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一种反向开关晶体管的触发电路
本发明涉及半导体开关领域，提供了一种反向开关晶体管的触 发电路，包括预充电路、主电路、恒流充电电路和触发控制电路；主 电路包括 RSD 开关和主电容 C0；预充电路用于为 RSD 开关的导通提 供所需要的预充电流，恒流充电电路用于为主电路和预充电路充电， 当充电电压达到预设的电压阈值时，通过触发控制电路发出信号给预 充电路，预充电路发出预充电流给主电路中的 RSD 开关，RSD 开关导 通后主电路中的主电容 C0 放
华中科技大学
2021-04-14
一种丝素蛋白‑NIPAM光子晶体水凝胶及其制备方法
本项目属于功能材料领域，提供了一种丝素蛋白‑NIPAM光子晶体水凝胶及其制备方法。所述制备方法包括采用物理交联剂将丝素蛋白和N‑异丙基丙烯酰胺(NIPAM)在常温下共交联，并在交联反应过程中嵌入三维光子晶体阵列。本发明提供的制备方法制备的光子晶体水凝胶具有良好的生物相容性、弹力性能、吸水性能，与皮肤之间具有良好的贴合性，紧贴皮肤表面不易脱落，还同时具有优良的压力传感性和温敏性，可对温度和压力的变化产生颜色变化响应，实现压力和温度变化的裸眼观测。
北京理工大学
2022-06-17
一种铌酸锂晶体外调制驱动装置
本发明提出一种铌酸锂晶体外调制驱动装置,当铌酸锂晶体两端加上电场后，折射率的变化正比于电场强度，从而使通过晶体的光通量产生相应的线性变化。由于铌酸锂晶体折射率线性变化需要的电压在100V到600V的范围，本发明通过在光路部分增加四分一波片，降低铌酸锂晶体的直流工作点，对经过编码的数字信号采用两级复合式放大，直接放大到高电平正150V低电平负150V，做到了频率响应范围宽，工作稳定可靠，抗干扰能力强。
四川大学
2016-10-26
新一代硅烷法电子级晶体硅生产技术
上海交通大学
2021-04-13
一种具有存储功能的晶体管器件的应用
本发明涉及一种具有存储功能的晶体管器件的应用，属于半导体器件技术领域。针对现有二维电荷陷阱存储器中因缺乏合适电荷陷阱介质导致的可靠性差及集成度低等问题，本发明提出采用二维碘化铅（PbI<subgt;2</subgt;）作为电荷陷阱层，利用其天然存在的碘空位缺陷实现高效电荷捕获。所述器件由二维半导体材料（如WSe<subgt;2</subgt;）与PbI<subgt;2</subgt;通过范德华异质结构集成，形成栅控存储单元。该器件具有大存储窗口、高开关比、快速写入速度、多级存储能力、高久性及长数据保持时间。本发明为高集成度、低功耗非易失性存储器提供了创新解决方案。
南京工业大学
2021-01-12
WMG-4 晶体折射率-温度关系测定实验仪
WMG-4型晶体折射率-温度关系测定实验仪是我公司华东师范大学合作研发的一套实验仪器，该仪器是我们利用迈克尔逊干涉法测量固体材料折射率温度特性，测量钽酸锂晶体和铌酸锂晶体折射率随温度变化的特性曲线。该实验仪操作简便，适用性广泛，精确度较高，用此方法可以推广到测量各种透明固体材料折射率温度特性，颇具推广价值。
天津市拓普仪器有限公司
2022-07-12
硅通孔结构
本实用新型公开了一种硅通孔结构，其形成于硅片上，并包括掺杂粒子构成的导电区和绝缘区，绝缘区与所述导电区掺杂的粒子的极性相反，所述导电区表面覆盖有金属电极，所述硅片的表面除所述金属电极之外的区域覆盖有绝缘层。本实用新型硅通孔结构的优点在于：通过粒子掺杂方式形成硅通孔结构的导电区和绝缘区，导电区和绝缘区的基体都还是硅片本身，避免了目前硅通孔技术中金属和硅片热膨胀系数不同造成的热应力问题，能够提高器件的可靠性和寿命。
华中科技大学
2021-04-11
新型水下防爆结构
本实用新型公开了一种新型水下防爆结构，包括从上到下依次设置的柔性缓冲层、反射面板、消能 层，其中，柔性缓冲层包括弹性板和内嵌于弹性板中的第一波纹状钢板;反射面板由硬质材料制成;消 能层由装满细砂的封装壳构成，第二波纹状钢板嵌入细砂中。本实用新型装置适用于水下防爆，将反射 消能与变形消能巧妙的结合在一起，消能防爆效果大幅提高;采用泡沫，钢板，细砂等材料，价格便宜 且材料易得;利用水下爆炸的特性，采用
武汉大学
2021-04-14
DNA结构模型
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
木结构教学挂图
20张彩色挂图，与教材配套，规格：1200mm×900mm，适用高中通用技术教材
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23