一种磷硅镉单晶体的生长方法与生长容器
一种磷硅镉单晶体的制备方法,以富磷CdSiP2多晶粉末为原料,工艺步骤为:(1)生长容器的清洗与干燥;(2)装料;(3)将装有生长原料并封结的双层坩埚放入三温区管式晶体生长炉,然后将生长炉的高温区和低温区以30~60℃/h的速率分别升温至1150~1180℃、950~1050℃,并保持该温度,继后调节梯度区的温度,使温度梯度为10~20℃/cm,当所述生长原料在高温区保温12~36h后,控制双层坩埚以3~6mm/day匀速下降,当双层坩埚下降到低温区并完成单晶生长后,使其停止下降,在低温区保温24~72h,保温时间届满,将高温区、梯度温区、低温区的温度同时以20~60℃/h降至室温。一种单晶体生长容器,由内层坩埚和外层坩埚组成,内层坩埚与外层坩埚之间的环形腔室内加有调压用CdSiP2多晶粉末。
四川大学
2021-04-11