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一种防腐耐磨铁基非晶薄膜及其制备方法
本发明公开了一种防腐耐磨铁基非晶薄膜及其制备方法，其包 括的成分及该成分的原子百分比含量分别为：14.0～22.0at.％Cr，6.0～ 16.0at.％Mo，4.0～7.0at.％B，4.0～20.0at.％C，0.0～3.0at.％W 以及余 量的 Fe。其制备方法包含 S1 制备单一合金靶材；S2 选择衬底材料， 将衬底表面进行平整化，然后清洗并吹干待用；S3 进行磁控溅射，其 中，背景真空度值不高于 5x10<sup
华中科技大学
2021-04-14
凹凸棒石矿物的棒状晶束纳米化解离
中国是凹凸棒石粘土矿的资源大国，但是由于成矿条件的苛刻，天然凹凸棒石粘土存在着一定的矿物学局限性。比如气候条件、地质环境与矿床成分的不同，都会影响凹凸棒石粘土的形成、晶体发育、元素组成等，所以，含量较高、单晶体发育良好的矿床很少，极大部 分的天然凹凸棒石粘土矿物中凹凸棒石粘土的含量都低于 50%，通常，在凹凸棒石粘土矿物开采之后，都要对其进行提纯处理，将其中的伴生矿物与之分离，同时，在提纯过程中减小矿物粒径，提高分散性， 使包含于凹凸棒石粘土聚集体中以及晶体束中间的杂质去除，获得均匀、完整的凹凸棒石
兰州大学
2021-01-12
乾立微晶款护眼教室灯-全护眼教育照明产品
深圳鹏翔智明光电科技有限公司
2021-08-23
安徽青软晶芒微电子科技有限公司
安徽青软晶芒微电子科技有限公司，位于安徽省合肥市国家高新技术开发区，是一家专业面向集成电路人才培养的实体企业，青软晶芒携手拥有5000颗芯片设计经验的集成电路产教融合和设计服务平台——青软晶尊微电子，共同打造面向国内提供集成电路领域产教融合整体解决方案的领先企业。
青软晶芒致力于打造集成电路人才培养新模式，通过集成电路产业学院共建/专业共建，产教融合平台共建，集成电路大赛，师资培共建，实验实训平台训，工信部培训认证，新工科优训营，课程改革等多种合作模式，推动集成电路教育与产业的无缝衔接，为客户创造价值。
青软晶芒拥有自主知识产权集成电路设计专利证书，软件著作权等十余项，愿通过校企合作和院校一起为集成电路人才培养做出贡献。
安徽青软晶芒微电子科技有限公司
2021-12-07
青岛青软晶尊微电子科技有限公司
青岛青软晶尊微电子科技有限公司，是国内面向集成电路设计领域提供产教融合整体解决方案的领先企业。具有五千颗芯片设计经验的集成电路设计服务与教育培训公司。公司以青岛总部为中心，先后成立南京子公司、上海分公司、安徽子公司等，全面辐射长三角经济带，形成东部沿海发展网络，打造国内一流的集成电路设计服务与教育培训基地。同时借助台湾业务平台，开拓国际业务，积极部署国际化发展战略。
青软晶尊集成电路设计服务始于1996年，为国内最早从事集成电路设计服务的企业，公司拥有20余年的集成电路设计服务经验，向客户提供高速DDR存储类芯片、固态射频IC、MCU、电源管理、LCD液晶驱动、AD/DA转换芯片等不同功能、不同工艺厂商芯片的设计服务。为客户累计完成5000余颗芯片的设计。公司依据高品质的设计服务能力，在美国、日本、台湾及国内积累了长期、稳定的客户群体，如Ti、AMD、TOSHIBA、TSMC、MTK等全球知名集成电路企业，并通过国际DNV信息安全风险管理体系认证。
青岛青软晶尊微电子科技有限公司
2021-12-07
中国科学技术大学气溶胶辅助生物合成高性能复合材料取得新进展
近年来，随着纳米技术的不断发展，聚合物基纳米复合材料由于其优异的力学性能和功能性在材料领域发挥着越来越重要的作用。然而，如何实现聚合物基纳米复合材料的高效、大规模、绿色环保、可持续且高度可控的制备仍然是一个世界难题。然而，对微生物辅助复合材料制备过程的探索有望为该问题提供一种全新的解决方案。
中国科学技术大学
2022-07-11
一种全天时准确测量大气温度和气溶胶参数的激光雷达系统
本发明公开了一种全天时准确测量大气温度和气溶胶参数的激光雷达系统。系统包括发射单元、光 学接收与信号检测单元和控制单元。发射单元采用种子注入的固体激光器输出极窄线宽的 532.23?nm 激 光并导向天顶；光学接收与信号检测单元收集大气物质后向散射光，同时提取弹性回波信号及 N2 分子 Anti?Stokes 纯转动 Raman 谱 J=6 和 16 的两支单谱线信号；控制单元保障整个雷达系统自动有序工作。本发明的激光雷达系统具备全天时工作能力，且具备更高的
武汉大学
2021-04-14
一种喷射沉积成形制备大块非晶合金的方法
雾化喷射沉积成形技术近年来被广泛用于研究和发展高性能的快速凝固材料。该技术最突出的创新点在于，将液态金属的雾化和雾化熔滴的沉积自然地结合在一起，是一种短流程快速凝固体材料制备新技术。喷射沉积成形块体致密件的形成，是在特定条件下的凝固过程。其基本特点是在沉积表面形成一层极薄的液膜，块体致密件的形成则是这一液膜不断凝固、推进的过程。在多年研究喷射成形技术的基础上，杨滨教授及其课题组成员近年利用喷射沉积成形技术成功地制备出了最大直径为380mm、最大厚度12～13mm的La62Al15.7(Cu, Ni)22.3大块非晶合金，这是国际上迄今报导的最大尺寸的镧基非晶合金样品。DSC测试结果表明，沉积态La62Al15.7(Cu, Ni)22.3非晶合金的过冷液相区宽度DTx和约化玻璃转变温度Trg均高于单辊旋转熔体快淬或铜模铸造法制备的同成分非晶合金。 已获得中国发明专利，杨滨，刘宗峰，张勇，张济山，陈国良，一种喷射沉积成形制备镧基大块非晶合金的方法，专利号：ZL200510086239.6。“高熔点高合金化材料快速凝固气雾化制备技术”，获中国有色金属工业科学技术奖一等奖（2003.12）。
北京科技大学
2021-04-11
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学
2021-04-11
一种超硬非晶碳薄膜的制备装置和工艺
项目为一种超硬的非晶四面体碳（ta-c）薄膜的制备装置和工艺，该薄膜具有极好的物理化学特性，在碳基薄膜中，是目前国际上公认的SP3键含量最高，超过85%，特性最接近天然金刚石的薄膜，硬度达到HV≥85Gpa，可见光和红外光透明，透光率达97%，吸收紫外光，达98%，薄膜均匀性好，薄膜平整度达0.2nm，摩擦系数≤0.08，电阻率达（1012Ω·cm），击穿电压3.5×106，（），热导率18（）,密度3.5（g/cm3），薄膜致密耐腐蚀作用极好。 该项目可用于高精度专有刀具、模具和摩擦滑动部件，提高使用寿命，减小摩擦，如手术和美容刀具、丝锥、PCB钻、拉丝模、冲压模具、压缩机滑块，滑动环等；用于视窗、镜片和传感器表面，可防止划伤，增强散热，利于红外光传递，等；用于激光透镜，可提高损伤阈值；用于射线辐射测量传感器，可抗射线辐射损伤，提高测量的灵敏度。
西安交通大学
2021-04-11