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超细晶高强钢
本项目经过多年研发，掌握了一种粉末冶金超细晶粒（均小于5微米）高强度钢（抗压强度达到2000MPa以上）的制备技术，该新型材料可用于高精度模具、精密齿轮、高强轴承等高精部件的制备。
西南交通大学
2015-01-26
晶华洗衣粉
山东晶华洗涤日化有限公司
2021-09-08
五部门：开展智能光伏与建筑节能、交通运输等领域交叉技术研究
光伏产业是基于半导体技术和新能源需求而融合发展、快速兴起的朝阳产业，也是实现制造强国和能源革命的重大关键领域。
人民网
2022-01-05
一种适用于单级式并网光伏逆变系统的最大功率跟踪方法
本发明公开了一种适用于单级式并网光伏逆变器的最大功率跟 踪方法。所述最大功率跟踪方法特征在于周期性执行如下步骤：(1)采 样光伏阵列输出电压，判断光伏阵列输出电压是否降低到设置的临界 值以下，是则跳过步骤(2)、(3)、(4)执行步骤(5)，否则执行步骤(2)；(2) 判断光伏阵列电压是否增加，若是则执行步骤(3)，否则跳过步骤(3)执 行步骤(4)；(3)记录当前光伏阵列电压和并网电流指令；(4)增加并网电 流指令并限幅，限幅值为步骤(5)中的记录值；(5)记录当前并网电流指 令，并减小并网电流指
华中科技大学
2021-04-14
Au的传统fcc晶相与4H晶相之间的转变
采用了原位透射电镜（in situ TEM）来表征相转化过程，因其可在原子尺度下直接观察样品在外界作用下（力、热、电、磁等）或化学反应过程中的微结构变化。动画1展示了fcc晶相向4H晶相的动态转变过程：首先fcc-Au纳米粒子中的金原子被高能电子束激活，在CO气体中扩散到界面区域，金原子扩散导致金颗粒烧结形成紧密接触的界面，然后从两相界面开始发生fcc-4H相变。此外，我们发现当fcc金纳米颗粒位于纳米棒的4H和fcc交界处时，位于4H区域的金转变
南方科技大学
2021-04-14
一种铁基非晶及纳米晶合金的成型方法
本发明公开了一种铁基非晶及纳米晶合金的成型方法，属于增 材制造领域。采用微喷射粘结成型方法将铁基非晶混合粉末或纳米晶 合金混合粉末制备成坯体，然后烧结坯体获得制品。铁基非晶混合粉 末或纳米晶合金混合粉末中均匀混合有粘结剂。烧结采用的温度高于 粘结剂的熔点 5℃～10℃，同时低于铁基非晶粉末相变温度或纳米晶 合金粉末相变温度。本发明方法能够用来制备大尺寸复杂形状块体铁 基非晶及纳米晶合金制品。
华中科技大学
2021-04-14
在硅基质表面制备油水浸润性光控可逆SiO2/TiO2复合涂层的方法
本发明公开了一种在硅基质表面制备油水浸润性光控可逆SiO2/TiO2复合涂层的方法，将硫酸洗液清洗过的硅基质样品浸入到SiO2凝胶中，以14厘米/分钟速度匀速提拉出液面，使玻璃表面覆盖均匀的SiO2涂层，220℃煅烧涂层，得到的覆盖SiO2涂层的样品浸入到TiO2凝胶中，以14厘米/分钟速度匀速提拉出液面，并在500℃煅烧涂层。最后经氟硅烷溶液浸泡进行涂层表面改性得到光控油水浸润性可逆转换的SiO2/TiO2复合涂层。本发明和以往制备亲疏水亲疏油可逆转换材料的方法相比，方法简便，耗时少，不需要特殊仪器。涂层呈现纳米TiO2微球包裹微米SiO2微球的类荷叶表面结构，在工程领域中具有良好的应用前景。
西南交通大学
2016-10-20
昼夜分开显示的钟表表盘、表针组件
本实用新型涉及一种昼夜分开显示的钟表表盘、表针组件，它包括表盘、双向时针、分针、日出时间挡板和日落时间挡板。在所述表盘的径向从外向内依次设有三圈刻度，最外圈刻度为分针刻度，中间一圈刻度为白昼时间刻度，最内圈刻度为夜晚时间刻度，所述白昼时间刻度和夜晚时间刻度均为24小时制式，所述分针刻度为60分制式，所述双向时针由白昼时针和夜晚时针组成，白昼时针和夜晚时针为夹角180°的一体结构，其分别位于轴孔的两侧，所述日出时间挡板的形状与日落时间挡板的形状对称，日落时间挡板为夹角120°的扇形板。本实用新型采用24小时制式，省去了使用12小时制式时的换算过程，本实用新型能够反映日出、日落时间。
河北师范大学
2021-05-03
一种水产养殖网箱及网箱组件
本实用新型提供了一种水产养殖网箱及网箱组件，所述水产养殖网箱包括骨架、设置在所述骨架上的多片基网、以及设置在每片基网外侧的可拆卸的插接网，所述基网的网孔大于所述插接网的网孔，在所述骨架上设有与所述插接网向匹配的插接槽，所述插接网的插接端位于所述插接槽内。通过设置网箱包括基网、以及插接网，这样网箱的网孔大小是基网和插接网叠加后的大小，网孔最大为插接网的网孔大小，在将插接网拆卸后可以使得网箱的网孔变大，可以通过插接网改变网箱的网孔的大小，保证养殖水产品所需要的网箱网孔条件；有效的减少了更换网箱的次数，避免了更换网箱对于养殖水产品的不良影响，还避免了操作人员的换箱操作。
青岛农业大学
2021-04-13
硅基GaN功率开关器件
宽禁带半导体硅基GaN器件以其高效率，高开关速度高工作温度抗辐时等特点,成为当前国际功率半导体器件与技术学科的研究前沿及热点，也是业界普遍认可的性能卓越的下代功率半导体器件。而S基GaN因其S基特性.能够突破新材料在发展初期的成本牦颈且易与S集成电路产业链匹配，因此兼具高性能与低成本的优点在消费电子(如手机快冲与天线充电).数据中心与人工智能，无人驾驶与新能源汽车、5G通信等团家战略新兴领城具有巨大的应用前景。电子科技大学功率集成技术实验室自2008年起即开展硅基GaN功率器件与集成技术研究,围绕硅基GaN两大核心器件:增强型功率晶体管、功率整流器进行基础研究与应用技术开发。解决了增强型功率晶体管阈值电压大范围调控功率二圾管导通电压调控与耐压可靠性加查等关键技术瓶颈,研究成果为硅基GaN的产业化奠定了重要基础。
电子科技大学
2021-04-10