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光峰激光高清超短焦投影机
深圳光峰科技股份有限公司
2021-08-23
光峰DLP激光超短焦投影机
深圳光峰科技股份有限公司
2021-08-23
光峰DLP高清超短焦投影机
深圳光峰科技股份有限公司
2021-08-23
光的三原色合成实验器
可单独可合成
石家庄市艾迪科教设备有限公司
2021-08-23
凯迅护眼防蓝光光健康光管
功率：9W/13W/18W波动因数：＜0.5产品尺寸：600MM/900MM/1200MM显色指数：＞95 R9＞90色温：3000K&4000K&5000K/6000K光通量：＞1900lm频闪：无蓝光危害：无危害光生物安全：RG0可光谱定制（全光谱+红外光谱）
广东凯西欧光健康有限公司
2021-08-23
光的三原色合成实验器
宁波浪力仪器有限公司（余姚市朗海科教仪器厂）
2021-08-23
3D微纳光场显示系统
当前市场的外设式3D成像设备，包括VR/AR/MR（头戴式）、3D大屏（眼镜式）等，都是
利用人的双目视差成像，但大多存在屏幕闪烁、高串扰等显示问题，会导致长时间观看易疲劳、
易眩晕等缺陷。
我们采用全新的3D技术，光线通过前偏光板倒置相位差90°后，再经过圆偏振片进行光排
布，使人眼观察到3D影像，相比原有3D屏幕的主动快门显示技术，产品性能有了大幅提高。我
们通过控光模组的重新设计，解决了传统3D屏幕亮度损失大、频闪和有害光未得到有效过滤导致
的眼睛不适等问题，通过3D微纳光场显示系统展现的高清晰、大出入屏深度的影像，结合可按需
定制的 交互方式，可以打造更真实、更触手可及的沉浸式体验，为建构3D行业应用提供全新方
式。
班度科技（深圳）有限公司
2022-06-14
上海工矿灯厂家帝光品牌专业照明
产品详细介绍 节能从节电开始 大管大功率节能灯 台湾技术生产ＧＴＬ帝光大功率节能灯省电80%以上 管中管日光灯省电50%以上 大功率工矿节能灯特性： 一.超节能自镇流足瓦数110W，相当于水银灯500W的亮度,省电75%以上 二.超长寿命平均寿命在10000小时以上,保固12个月 (开关测试超过2万次) 三.显色指数高 显色指数高达85%以上,物体原色不失真,使物体看得更清楚 四.新型预热式(瞬间)启动 不会影响工厂生产时间 五.拥有独家专利 常温至零下20度均能启动照明 六.高频率 无频闪,无眩光,保护眼睛健康 七.安装方便 免外接镇流器 上海富粟电子生产帝光大管螺旋节能灯，高功率节能工矿灯，使用环保固汞，缔造健康节能。节能改造，安装方便，工厂企业后续维护可降低成本。帝光品牌提倡高效节能照明，自镇流螺旋工矿灯。 帝光品牌管中管节能灯的三大特点：省电, 长寿命, 亮度更亮 一、超节能 节能50%以上，亮度超过120%；20W直管灯亮度超过普通45W日光灯； 二、长寿命 1、保固可达16个月，保质期内“以坏换新”； 2、寿命为普通灯管的6倍以上； 三、通用性强 使用帝光管中管节能灯无需更换灯具，直接安装即可使用（无需灯具原有“启动器”）； 四、特殊结构 1、“T5＋T8”双结构,可直接替换传统T8灯管； 2、“插拨式”新结构，更环保，更耐用； 五、演色性(Ra)佳 三基色荧光粉纯度100%，显色指数85Ra以上，色温指数超过8000K，光效高，使眼睛所看到的都如同阳光下的色彩,真实自然，保护视力； 六、绿色环保 1,无噪音、无闪烁；一开即亮,无需等待； 2, 抗干扰、热辐射小！ 适合大范围照明、路灯、工厂、商场作业等，可更取代普通耗电灯泡
上海富粟电子有限公司
2021-08-23
一种喷射沉积成形制备大块非晶合金的方法
雾化喷射沉积成形技术近年来被广泛用于研究和发展高性能的快速凝固材料。该技术最突出的创新点在于，将液态金属的雾化和雾化熔滴的沉积自然地结合在一起，是一种短流程快速凝固体材料制备新技术。喷射沉积成形块体致密件的形成，是在特定条件下的凝固过程。其基本特点是在沉积表面形成一层极薄的液膜，块体致密件的形成则是这一液膜不断凝固、推进的过程。在多年研究喷射成形技术的基础上，杨滨教授及其课题组成员近年利用喷射沉积成形技术成功地制备出了最大直径为380mm、最大厚度12～13mm的La62Al15.7(Cu, Ni)22.3大块非晶合金，这是国际上迄今报导的最大尺寸的镧基非晶合金样品。DSC测试结果表明，沉积态La62Al15.7(Cu, Ni)22.3非晶合金的过冷液相区宽度DTx和约化玻璃转变温度Trg均高于单辊旋转熔体快淬或铜模铸造法制备的同成分非晶合金。 已获得中国发明专利，杨滨，刘宗峰，张勇，张济山，陈国良，一种喷射沉积成形制备镧基大块非晶合金的方法，专利号：ZL200510086239.6。“高熔点高合金化材料快速凝固气雾化制备技术”，获中国有色金属工业科学技术奖一等奖（2003.12）。
北京科技大学
2021-04-11
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学
2021-04-11