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一种用于镀锌板、铝及铜合金表面处理的无铬钝化液
(专利号:ZL 201410008509.0) 简介:本发明公开了一种用于镀锌板、铝及铜合金表面处理的无铬钝化液,属于金属材料表面处理技术领域。该无铬钝化液的质量百分比组成如下:双(三乙醇胺)钛酸二异丙酯0.5-15%、双(二辛氧基焦磷酸酯基)乙撑钛酸酯0.5-15%、三乙醇胺0.1-2%、醋酸铵0.1-5%、纳米氧化硅0.01-2%、氟钛酸0.1-5%、偏钒酸铵0.01-5%、余量水。本发明无铬钝化液的组分简单、产品环保及使用前无需预处
安徽工业大学 2021-01-12
一种适于用作有机染料催化剂的笼状纳米金银合金的制备方法
本发明公开了一种适于用作有机染料催化剂的笼状纳米金银合金的制备方法,其主要步骤以下:将海藻酸钠水溶液和银盐水溶液混合,在搅拌条件下,控制反应温度为50 100℃,完全反应10 180min;之后,加入氯金酸,控制反应温度为50 100℃,继续反应10 180min,即得;其中,银盐为硝酸银、氯化银或银氨溶液中的一种或几种的混合物,其与氯金酸的摩尔比为1︰1 10。本发明工艺简单、绿色环保,所制备出的纳米金银合金为笼状结构,产品质量稳定、活性高,不易聚集、可长期储存不变性;并具有很高的催化活性,可催化有机染料的降解与脱色,具有良好的市场前景。
青岛大学 2021-04-13
一种铌钼复合微合金化高强度贝氏体钢及其制备方法
本发明涉及一种铌钼复合微合金化高强度贝氏体钢及其制备方法。其技术方案是:将铸坯采用热轧机组进行轧制,粗轧开轧温度为1150——1200℃,精轧开轧温度为950——1000℃,精轧终轧温度为900——950℃;然后以30——50℃/s的速度冷却至420——450℃,再空冷至330——380℃,在330——380℃条件下保温30——45min,然后水冷至室温。所述铸坯的化学成分及其含量是:C为0.19——0.224wt%,Si为1.43——1.50wt%,Mn为1.94——2.05wt%,Nb为0.025——0.027wt%,Mo为0.142——0.15wt%,P<0.008wt%,S<0.002wt%,N<0.004wt%,剩余部分为Fe及不可避免的杂质。本发明具有成本低廉、工艺简单和生产周期的特点,所制备的制品的强度与塑形良好匹配,综合性能优良。 (注:本项目发布于2015年)
武汉科技大学 2021-01-12
一种基于有限元的钛合金变齿距铣削三维建模方法
本发明公开了一种基于有限元的钛合金变齿距铣削三维建模方法,包括以下步骤:首先获取刀具系统参数、工件与刀具的材料参数,并制定切削工艺参数;根据工艺参数,按照铣刀各刀齿与前一刀齿的径向夹角之比等于对应的每齿进给量之比的原则进行铣刀几何建模;对铣刀与工件的物理模型、接触关系与运动关系进行建模;提交工作到ABAQUS/Explicit求解器进行求解计算;得到求解结果后,绘制铣削力-时间曲线图,铣削温度-时间曲线图,或某特定节点集合的应力、应变图。由于本发明中考虑了铣刀的螺旋角,更加接近真实的加工状况,而且采用变齿距的几何建模,能够一次性模拟不同每齿进给量的工况,节省了建模与计算时间。
华中科技大学 2021-04-14
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS(互补金属氧化物半导体)技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制,需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质,有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料,进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求,二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而,现有二维半导体材料体系(过渡金属硫族化合物、黑磷等)薄膜制备仍未满足现实要求,因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备,率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体(硒氧化铋,Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统,在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3,LaAlO3,或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上,利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用,促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性,可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率(>150 cm2/V s)、大的电流开关比(>105)和较高的开态电流(45μA/μm)。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学 2021-04-11
高效率薄膜晶硅纳米构架柔性太阳光伏项目
 高性价比太阳光伏电池技术,及其低成本规模化开发应用,是我国中长期科技发展规划中所框定的重点“能源领域”技术突破方向之一。新一代高性能柔性薄膜太阳能电池为丰富光伏器件应用和推广太阳能建筑一体化提供关键基础,而其实现的核心技术在于制备高品质、稳定且低成本的柔性薄膜材料。本项目在可规模化应用的柔性薄膜衬底上实现低温晶硅薄膜外延生长、分离转移、器件优化和先进纳米构建框架等一系列核心技术。同时,通过融合和集成先进纳米构建体系和材料性能调控,探索新一代高性价比薄膜光伏电池。
南京大学 2021-04-14
自增强 6 型杂 化串晶改性聚丙烯材料及制品
项目简介: 常规聚丙烯 ( PP) 材料存在强度低、韧性差、单位体积质量难以进一步降低等缺陷。本项目基于这一现状,利用分子
西华大学 2021-04-14
豌豆淀粉和蜡质玉米淀粉纳米晶复合膜及其制备方法
本发明公开了一种豌豆淀粉和蜡质玉米淀粉纳米晶复合膜的制备方法,包括以下步骤:(1)将含质量分数为0.047%的豌豆淀粉,质量分数为0.023%的甘油的水溶液,经沸水浴搅拌加热40-50min后冷却至45-55℃;(2)向步骤(1)所得溶液中加入WMSNC,所述WMSNC的加入量为PS干基含量的1%-9%;(3)将步骤(2)所得溶液磁力混合搅拌25-35min后倒入抽滤瓶中,用真空度为1.0MPa的真空泵脱气6-15min,得复合膜液体;(4)取上述复合膜液体平铺于平面皿上,置于35-45℃的恒温干燥箱中干燥即得复合膜。添加WMSNC后,复合膜的TS和M增加,而E降低,透水系数和透水速率显著降低。纯PS膜表面平整、光滑,随着WMSNC添加量的增加复合膜表面逐渐粗糙。
青岛农业大学 2021-04-13
浅色导电纳米晶须及白色复合导电纤维的制备技术
成功开发具有自主知识产权的新型浅色导电晶须,用晶须替代纳米颗粒作为基体制备导电填料加入纤维基体中,具有比导电超细颗粒更好的分散性,而且由于晶须是棒状结构,分散在纤维中可以通过搭接的方式首尾相接,更利于纤维导电。浅色导电晶须的开发研究对白色导电纤维的制备提供了理论和实践基础,葛明桥教授团队开发的白色导电纤维经检测达到 109Ώ(熔融纺丝)和 106Ώ(湿法纺丝)达到导电纤维要求,是国内导电纤维领域的一项重大突破,可提高白色导电纤维自产率,应用前景广阔。 关键技术 (1)将高速搅拌与化学共沉积法结合,制备出的浅色导电二氧化钛纳米晶须的电阻率达到了 103 Ώ•cm。 (2)将纳米晶须添加入纺丝液中,通过湿法纺丝方法制备出复合导电纤维,该种纤维的电阻达到了 106Ώ。 (3)与企业合作制备导电母粒,进而通过熔融纺丝方法制备出各种复合结构的导电纤维,该种纤维的电阻达到了 109Ώ。 知识产权及项目获奖情况 发表学术论文 9 篇;申请专利 6 项 项目成熟度 建立了 50L 的纳米晶须合成反应釜,实现产业化生产 投资期望及应用情况 目前已与部分企业合作,成功制备该导电材料并应用于化纤、纤维素等。
江南大学 2021-04-13
无线应变仪|JM3812无线应变仪-扬州晶明专业生产
产品详细介绍1.概述扬州晶明测试技术有限公司(http://www.yzjmtest.com/comp/2-JM3812ZB.htm)生产的JM3812ZB无线应变是每台16个测点的无线应变仪。每个测点分别自动平衡,可用一台计算机直接观察最多100台仪器的测试状态。所有操作均由计算机完成。我们无线应变仪稳定性好,抗干扰能力强,广泛应用于桥梁、建筑物、飞机、船舶、车辆、起重机械状态测试,本系统采用zigbee通讯协议,基本低功耗设计,内置高容量锂电池,给工程测试带来极大的方便。2.应用范围2.1 根据测量方案,完成全桥、半桥、1/4桥(公用补偿片)状态的静态应力应变的多点巡回检测.2.2 和各种桥式传感器配合,实现压力、力、荷重、位移等物理量的多点巡回检测.2.3 与热电偶配合,通过热电偶分度号的计算,对温度进行多点巡回检测.2.4 对输出电压小于20mV的电压信号进行巡回检测,分辨率可达1μν.3.特点3.1 采用进口高性能机械继电器,通过特殊的电路设计,消除了开关切换时,接触电势的变化对测量结果的影响。因此所有指标均包含了切换开关的影响.3.2 先进的隔离技术和合理的接地,使系统具有极强的抗干扰能力。每个测点可任意组桥,具有较强的灵活性,适用于各种工程现场的检测。 3.3 数据采集箱可通过USB口和计算机通讯,采集箱网络化分布式设计。4.技术指标4.1 测量点数:16点/台(用户自选);4.2采样频率:10Hz4.3组网接口:无线 4.4 适用应变片电阻值:50~10000Ω任意设定;4.5 应变片灵敏度系数:1.0~3.0自动修正;4.6 供桥电压:2V(DC);4.7 测量应变范围:±19999με;4.8 最高分辨率:1με; 4.10 系统精度: ± 0.3%Fs±2με;4.11 温漂:不大于3με/2h;4.12 平衡范围:±15000με(无需电容平衡);4.13 长导线电阻修正范围:0.0~100Ω;4.14 电源:220V±10% 50Hz±2%;4.15 使用环境:GB6587.1-86-Ⅱ组;5.系统软件 全汉化的WINDOWS应用软件,方便直观的应变、应力、桥式传感器、拾振器等测试的参数设置功能。自动平衡、手动采样、连续采样、定时采样等方式,自动完成测量结果的修正,实时显示测量数值、应力和应变花计算,满足静态桩基抗压、抗拔、水平静载荷试验;报告打印等功能,操作简单、方便。数据文件可转换为Text(.txt)、Excel(.xls)文件格式。开放的二次分析数据接口。扬州晶明科技有限公司扬州晶明测试技术有限公司地址: 江苏扬州市维扬路25号公司主页 http://www.yzjmtest.com公司邮箱 sale@yzjmtest.com电话     0514-87850416,87867922,82960507传真     0514-82960507联系人   唐先生手机     15952768463QQ       1225605447MSN      Dynamictestor@hotmail.com 个人邮箱 tcb@yzjmtest.com 或 yztcb@sohu.com  
扬州晶明科技有限公司 2021-08-23
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