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一种光伏太阳能硅片输送设备
本实用新型公开了一种光伏太阳能硅片输送设备，包括：机架、安装在机架上的硅片输入机构、缓冲机构、缓存机构和硅片输出机构，以及电气控制系统，其中硅片输入机构用于将硅片水平输送至缓冲机构；缓冲机构用于对光伏太阳能硅片执行输送缓冲和位置定位然后将其输入至缓存机构；缓存机构包括由左右侧板和设置在左右侧板之间的多层搁架共同构成的缓存料塔，所述缓存料塔在静止时与硅片输送路径保持水平以便缓冲机构输送过来的硅片插入且存放到搁架上，并在完成存放后上升以便存放下一硅片；硅片输出机构用于将存放在缓存料塔中的硅片逐一输出。通过本实用新型，能够通过简单、紧凑的结构实现硅片的缓冲和暂存功能，同时保证硅片输送过程中的精确定位。
华中科技大学
2021-04-11
一种光伏太阳能硅片翻转设备
本实用新型公开了一种光伏太阳能硅片翻转设备，包括：机架；安装在机架上用于将硅片水平输送至待翻转位置的硅片输入机构；安装在机架上并包括两个对称设置在硅片输送路径上的翻转翼的硅片翻转机构，各个翻转翼呈圆盘状且由六个 60 度的扇形结构共同组成，各个相邻的扇形结构之间具有接纳槽，所述接纳槽在翻转翼静止时与硅片输送路径保持水平以使输送过来的硅片插入到槽中并保持定位，然后通过翻转翼的旋转而执行对硅片的翻转；安装在机架上用于将执行翻转后的光伏太阳能硅片水平输出的硅片输出机构；以及用于对设备的整体工况提供相应操作的电气控制系统。按照本实用新型，具备输送平稳、轻柔快速、碎片率低且工作效率高等方面的优点。
华中科技大学
2021-04-11
密集矩阵式高倍聚光光伏模组及系统
砷化镓太阳能电池芯片。攻克了芯片外延生长、芯片设计及产业化制备和芯片封装等核心技术，实现了产业化。 密集矩阵式高倍聚光模组：解决了密集矩阵式菲涅尔透镜设计、分布式散热技术、模组封装技术， 实现了在低成本的前提下，保证跟踪系统精度、抗风雪能力及长期可靠性等问题。
北京工业大学
2021-04-13
离网无蓄电池的光伏制冷技术
所属领域：家用电器。 随着光伏电池产业的蓬勃发展以及光电转换效率的不断提高，太阳能光伏制冷技术显示出了强劲 的发展势头。但是太阳能具有不连续的特点，阴雨天和夜间不能被利用，而且蓄电池具有污染环境、 使用寿命短、重量重、体积大等缺点。潜热蓄能技术的冰箱其重量是低压直流蓄电池驱动的直流变频 压缩式冰箱的 2/3 左右，价格成本也降低到低压直流蓄电池驱动的直流变频压缩式冰箱的 2/3。开发了一款一种离网 / 无蓄电池的太阳能光伏直流变频蓄冷冰柜并将其应用在畜牧区。所属领域：家用电器。
北京林业大学
2021-04-13
密集矩阵式高倍聚光光伏模组及系统
北京工业大学
2021-04-14
高能效金属铝基底光伏光热集成组件
北京工业大学
2021-04-14
离网无蓄电池的光伏制冷技术
北京工业大学
2021-04-14
一种光伏发电并网控制方法及系统
本发明公开了一种光伏发电并网控制方法及系统。该方法一方 面利用光伏电池电压，电流信息，根据电压变化率，电流变化率以及 电导变化率将扰动法和增量电导法结合进行最大功率点跟踪(MPPT) 控制，在温度以及光照辐射强度变化时，实现对最大功率点的及时跟 踪，提高光伏电池的输出效率；另一方面采用多重控制策略，将并网 点的频率、功率以及电压作为控制量，能在光伏电池并网以及电网运 行状态发生变化时进行实时动态响应，从而实现对光伏发电并网运行 的控制。
华中科技大学
2021-04-14
高性能光伏用EVA封装胶膜的制备技术
EVA胶膜封装是太阳能光伏电池重要的组件之一，通过封装可以保护电池片和电极、提高电池的发电效率和耐久性。本产业化项目通过改善封装材料的透光率、粘接强度及耐老化等性能提高太阳能电池的发电效率和延长使用寿命，降低光伏发电成本，制备使用寿命可达30年、低成本高性能EVA胶膜。已实现工程化，可提供全套解决方案，包括配方、技术工艺、生产线设备定制等全套技术。建成示范生产线1条.
四川大学
2015-12-22
维意真空高真空金属有机蒸发镀膜机支持定制
EV-400高真空金属有机蒸发镀膜机
真空腔室：前开门真空腔体，方便取放基片、更换钨舟、添加蒸发材料以及真空室的日常维护保养；
真空系统：国产分子泵作为主抽泵，真空极限优于5.0✕10-5Pa（经烘烤除气后）；另可选进口磁悬浮分子泵或是低温泵作为主抽泵，真空极限优于3.0✕10-6Pa（经烘烤除气后）；
真空抽速：大气～8✕10-4Pa≤30min；
蒸发源：4～6组欧美技术金属或是有机束源炉蒸发源可选，多源共蒸获得复合膜/分蒸获得多层膜，功能强大，性能稳定；
蒸发电源：真空专业蒸发电源，恒流/恒功率控制。电流、功率可预先设置，可实现一键启动和停止的自动控制功能；
基片台：最大120mm基片/15～25mmITO/FTO玻璃25片，可定制一体化高精度刻蚀掩膜板；基片台公转，转速0～20r/min连续可调；
基片台功能：衬底可选择加热（室温～300℃可调可控）或水冷，基片台可选升降，源基距最大350mm；
溅射电源：直流脉冲溅射电源、全自动匹配的射频溅射电源可任选；
膜厚监控仪：可选配国产或进口单水冷探头膜厚仪；
可镀材料：可沉积金属（Au、Ag、Al、Ca、Cu、Mg、Fe、Cr、Ti、Ni等）、非金属、化合物（MoO3、LiF等）及有机材料，可拓展沉积单层膜、多层膜及混合膜；
控制方式：PLC+触摸屏控制系统，具备漏气自检与提示、通讯故障，实现一键抽停真空。
北京维意真空技术应用有限责任公司
2025-04-25