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高等教育领域数字化综合服务平台
“英才计划”打造首届大学生创新创业论坛 探索人才培养多元服务新模式
中国科协和教育部自2013年开始共同组织实施“英才计划”，为有志于攀登科学高峰的优秀青少年搭建平台，目前已累计培养优秀中学生近四千名。
新华网
2019-07-30
第四批高校国家知识产权信息服务中心名单公布
我国高校国家知识产权信息服务中心目前已增至103家。
国家知识产权局
2022-12-23
哈尔滨工程大学软包/固态电池电极极片制备设备采购及服务竞争性磋商
哈尔滨工程大学软包/固态电池电极极片制备设备采购及服务竞争性磋商
哈尔滨工程大学
2022-06-06
一种位置服务中基于假位置和几何学的位置隐私保护方法
高校科技成果尽在科转云
电子科技大学
2021-04-10
支持大数据理解的头戴式无障碍呈现技术装备与云服务平台
一、项目简介 当前虚实融合技术面临的重大挑战可以归结为以下两个关键科学问题：（1）非配合虚实环境的无缝融合与交互自然呈现。（2）云环境下虚实融合环境的语义理解、统一表达与应用软件快速定制。为解决上述两个关键科学问题和技术瓶颈，本项目重点研究了自然虚实融合呈现的硬软件技术和装置，构建虚实融合应用流程框架和规范，创新云软件定制和服务模式，实现应用示范。充分利用移动、穿戴式设备的多传感器优势以及云端结合方式进行三维结构的重建、语义标注、识别理解与信息关联。 二、前期研究基础 目前已发表论文10篇，包括4篇期刊论文等（包括TIP、TMM等权威期刊论文）。申请专利3 项。 三、应用技术成果 1）基于搜索的图像深度估计，相对误差低于传统方法，对训练集的需求小于基于深度学习的方法。 Make3D数据集的深度估计结果2）基于双模深度玻尔兹曼机（DBM）的三维场景物体检测框架，给出了RGBD训练数据不足的难题，流程如下 3）基于序列约束的哈希算法在不同比特率情况下均取得了很好的效果。 在LabelMe和Tiny100K上使用不同哈希比特率的效果
厦门大学
2021-04-11
一种基于VR技术的非机动车道路段服务水平测算方法
本发明属于交通运输领域，涉及一种基于VR技术的非机动车道路段服务水平测算方法，包括以下步骤：A、筛选典型路段；B、录制典型路段视频；C、处理路段视频和采集道路交通状况数据信息；D、进行非机动车道满意度调查实验；E、建立非机动车道服务水平模型。
北京交通大学
2021-04-10
【院士名师重庆行】推动科技教育深度融合，服务地方经济社会发展
2024年11月15日至17日，第62届中国高等教育博览会特色活动“院士名师重庆行”成功举行。本次活动邀请了中国科学院院士高德利，全国高校黄大年式教师团队负责人彭成、李小兵等十余位来自全国知名专家学者。他们走进重庆的高校、企业、中学和乡村，聚焦教育与科技的深度融合，服务重庆经济社会高质量发展。
中国高等教育博览会
2024-12-11
中国高等教育学会科技服务专家指导委员会工作会在常州召开
为了落实中国高等教育学会2025年重点工作研讨会精神，聚焦“围绕中心，服务大局，解放思想，创新发展，为加快建设教育强国贡献更多智慧和力量”中心思想，推进科服委工作走深走实，1月8日，中国高等教育学会科技服务专家指导委员会工作会在常州召开。
中国高等教育学会
2025-01-10
关于加快构建普通高等学校毕业生高质量就业服务体系的意见
加快构建高校毕业生高质量就业服务体系，畅通教育、科技、人才良性循环。
新华社
2025-04-08
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10