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盐酸决奈达隆及片绿色制备工艺的研发
心房颤动(房颤)是最常见的心血管疾病之一，全球心房纤颤发病率不断走高，并成为新的公共卫生难题。现行药物由于疗效较差，且有严重的致室性心律失常和心脏外毒性等副作用，治愈率很低，更不能降低死亡率和中风率。因此，迫切需要一种更安全有效的抗房颤药物。盐酸决奈达隆被认为是过去20年里，抗心律失常药物研发领域里具里程碑意义的创新新药，是心血管病的大品种新药。目前国内外报道的盐酸决奈达隆制备工艺均存在路线长、操作繁琐、三废严重、总收率低、成本高等弊端。南京工业大学率先在国内开展盐酸决奈达隆的绿色生产工艺研发，旨在通过技术攻关和创新，在国内率先实现盐酸决奈达隆的廉价、绿色生产，使盐酸决奈达隆及片早日上市，造福人民。
南京工业大学
2021-04-13
一种放射科用多功能观片装置
本实用新型属于放射科用医疗器械技术领域，具体涉及一种放射科用多功能观片装置。包括阅片桌、阅片板，所述阅片桌的桌面由透明玻璃制成，下方为阅片层，阅片层内设有灯和辊轮，灯和辊轮与片子的运动方向垂直，均匀相间分布；在阅片层的底层设有若干出气口，出气口均匀分布在灯和辊轮的间隙中；阅片板通过转盘和调节杆连接在阅片桌的进片口或出片口上方；阅片板的内部设有灯，顶部设有弹簧夹，弹簧夹外套有橡胶套。通过设计阅片桌和阅片板实现同时观看多个片子，并方便对比分析，再通过出气口固定片子的方式，避免片子产生划痕。
青岛大学
2021-04-13
一种带状插件与肋片配合强化传热装置
本发明涉及一种带状插件与肋片配合强化传热装置，包括蛇形通道、肋片和波形带状插件结构。蛇 形通道带有 180°U 型转角，在蛇形通道的壁面上焊接有多个平行布置的肋片，在蛇形通道的内部还插有 一个波形的带状插件。肋片能够提高壁面附近流体的湍流程度，强化壁面附近的传热;波形带状插件可 以促使近壁区和主流区之间的掺混，进一步强化传热。其中肋片与波形带状插件之间存在相位差:采用 180°相位差的方案，可以获得更均匀的努塞尔数分布和强度最大的传热;采用 0°相位差的方案，可以获 得最高的综合传热效率。
武汉大学
2021-04-13
聚乳酸补片阻隔纤维环穿刺后椎间盘内炎症
通过纤维环穿刺注入各种生物因子是目前研究椎间盘退变生物治疗的常用方法。已有研究表明纤维环穿刺所致的炎症反应有可能导致继发退变,是目前尚未解决的重要干扰因素。本项目拟构建具有适当空间构型，足够机械强度和柔韧性的聚乳酸(PLA)补片;在体外构建椎间盘细胞/右旋多聚乳酸(PDLLA)支架复合物；同时悬浮培养T淋巴细胞和单核细胞，然后用PLA补片隔离共培养实验来检验其阻断炎症反应的作用;建立纤维环穿刺椎间盘损伤退变动物模型，用贻贝粘附蛋白将该补片粘附在纤维环外层穿刺针孔，研究补片修复纤维环后椎间盘内炎症反应的情况，以及该过程中补片和贻贝粘附蛋白在体内环境作用下的变化。通过高分子材料补片封闭穿刺所形成的针孔，从而阻断穿刺后的炎症反应，进而阻断后续退变过程的方法，为椎间盘退变研究和治疗过程中,减少各种靶物质引入椎间盘而导致的炎症反应和继发退变提供一种可能的解决方法。?????
四川大学
2016-04-26
一种 LED 倒装芯片的圆片级封装结构
本实用新型公开了一种 LED 倒装芯片的圆片级封装结构，包括LED 倒装芯片、硅基板、透镜、印刷电路板和热沉；硅基板正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的长度与芯片的长度相同；硅基板的反面加工有两组通孔，两通孔与凹腔相连通；在凹腔和两通孔的表面沉积有绝缘层；凹腔表面的绝缘层上沉积有散热金属层和反光金属层；两通孔内填充有金属体，通孔内的金属体与凹腔表面的散热金属层相接；凹腔内底部的两金属层存在一开口，用于将该金属层隔离为两部分；硅基板的反面沉积有绝缘层，该绝缘层表面布线用于电极连接的金属层；凹腔内涂覆有
华中科技大学
2021-04-14
一种气道湿化管固定防痰片
本实用新型涉及一种气道湿化管固定防痰片，包括与气管套管配合使用的主体，所述主体包括中间设置有贯通孔的防痰部和沿着所述防痰部圆周上设置的固定部，所述主体上设置有由所述贯通孔指向所述固定部的用于安放固定湿化管的管体固定件。本实用新型不仅可以对湿化管进行固定，而且可以有效吸收患者痰液咳出的痰液和湿化液，防止其对切口造成感染和污染纱布，降低患者反吸造成污染的概率，减少护理工作量，大大提高了气管切开的护理效率。
浙江大学
2021-04-13
基于阻容网络的避雷器阀片电阻监测方法
本发明公开一种基于阻容网络的避雷器阀片电阻监测方法，包括步骤:步骤 1，构建避雷器三维阻 容网络模型;步骤 2，基于三维有限元静电场对避雷器三维阻容网络模型求解避雷器间部分电容和避雷 器阀片电容;步骤 3，将泄漏电流测量装置安装于现场运行避雷器最下端法兰处，获得避雷器的泄漏电 流实测值和相角差实测值;步骤 4，迭代求解避雷器阀片电阻。本发明方法可精确获得避雷器运行状态 下阀片电阻值，并且误差可控，能满足工程要求，从而实现避雷器运行状况的直接有效监测，同时可为 电网运维人员提供准确的数据参考;适用于高压氧化锌避雷器的在线监测。
武汉大学
2021-04-13
供应各种窗片棱镜晶体等（定制）//长春博盛量子
产品详细介绍 滤光片滤色片（尺寸要求可定制）带通滤光片 截止滤光片 干涉滤光片 激光滤光片 荧光滤光片红光蓝光绿光可见光滤光片325nm-1064nm 产品名称： CS式滤光片支架 产品名称： 滤光片支架产品名称： 滤光片支架产品名称： 滤光片轮产品名称： 滤光片固定轮产品名称： 滤光片轮 FR 65 产品名称： 滤光片轮 FR 40 产品名称： 真空紫外滤光片产品名称： 激光线滤光片产品名称： 荧光滤光片产品名称： 拉曼滤光片产品名称： 光通信薄膜滤光片产品名称： Andover公司系列滤光片 产品名称： 双滤光片盒产品名称： AB系列滤光片 产品名称： AB系列全自动滤光片轮 产品名称： 滤光片轮产品名称： LDP系列滤光片 滤光片包含波段325nm355nm375nm387nm473nm488nm491nm532nm561nm632.8nm647.1nm670.1nm780nm785nm808nm830nm976nm980nm1047.1nm1064nm
长春博盛量子科技有限公司
2021-08-23
交直流磁场控制系统亥姆霍兹线圈系统磁场发生装置电磁铁系统
磁场控制系统主要由磁场发生装置（电磁铁、赫姆霍兹线圈或螺线管等）和程控高斯计及电源组成，这些设备通过串口线连接至电脑，然后通过电脑里的上位机软件对该系统进行控制，控制主要通过两种方式，第一是直接控制电源的输出电流大小，从而控制了磁场强度的大小，而高斯计则将测量值显示并记录在电脑中，用于分析；第二种方式则是通过软件可以直接设置磁场强度的大小，此时电源则会输出稳定电流直至磁场强度达到设定值后会稳定下来。这两种方式均提供了一套可以控制的电磁场系统，并形成系统闭环。
系统配置：
装置
产品
说明
磁场发生装置
赫姆霍兹线圈、电磁铁、螺线管等
高磁场一般选用电磁铁、均匀低磁场选用赫姆霍兹线圈和螺线管
测量装置
高斯计、磁通门计等
一般选用高斯计，特低磁场选用磁通门计（比如1GS及以下）
供电装置
程控电源
根据磁场要求可选用不同精度及稳定性的电源
控制中心
控制软件
控制电流输出及磁场大小，并进行记录和分析
厦门盈德兴磁电科技有限公司
2026-04-07
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11