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一种半导体脉冲激光器热电阶梯冷却方法
本发明公开了一种半导体脉冲激光器热电阶梯冷却方法,包括以下步骤:1)根据半导体脉冲激光器的额定工作温度 Ts 选择热电模块,将热电模块安装在半导体脉冲激光器内并使用可编程直流电源控制其电压;2)半导体脉冲激光器在 jt0 时刻释放热量 Qc 使半导体脉冲激光器内的温度上升,可编程直流电源在 jt0 时刻相应地由恒定电压 Us 调整为阶梯电压并施加在热电模块上,以使半导体脉冲激光器的实际工作温度降低到 Ts±2℃;其中,j 为大于零的正整数。本发明通过给热电模块施以合适的阶梯电压,使热电模块冷端温度呈现出衰减振荡过程,能减小过冷温度和增益温度,保证半导体脉冲激光器的温度要求。
华中科技大学 2021-04-13
中药七叶一枝花种子快繁技术平台的建立
重楼为百合目延龄草科植物或称七叶一枝花P.polyphllasmithvar.Chinensis,重楼的根茎,具有清热解毒、消肿止痛、凉肝定惊之功效。近年来发现重楼及其化学成分具有良好的抗菌作用、抗炎作用、抗胃溃疡作用、抗肿瘤作用、心血管作用、镇静镇痛作用、止咳平喘作用、以及抑精作用等生理活性,已成为多种中成药和新药的主要原料,然而,重楼种子具有“二次休眠”的生理特性,即成熟的重楼果实中种子的胚尚发育不全,萌发过程中胚芽需要一定的休眠期,所以在自然情况下要经过两个冬天才能出土成苗。重楼种子“二次休眠”的生理特性,使其自然的年生产量远远低于药厂的年消耗量。由于重楼具有非常大的药用价值和经济价值。已引起研究者的广泛重视。但迄今为止,重楼的组培快繁的研究仍未取得很完满的结果,用重楼的茎、叶和花蕾作外植体均未获得愈伤组织;用幼芽诱导的愈伤组织生长缓慢,用重楼的茎、叶和花蕾作外植体均未获得愈伤组织;用幼芽诱导的愈伤组织生长缓慢,并且有的不含原植物中的甾体皂甙等。因此,解决重楼的快繁问题已迫在眉睫。南开大学分子细胞遗传学试验室从2000年开始对由于种胚发育不完全而造成的发育迟缓等问题进行了研究,并利用该技术已在大花蕙兰、蝴蝶兰、石斛、丹参等多种植物上获得成功。根据我们在其他植物上摸索的成功的经验,利用我们实验室自己建立独特的快繁技术,开展重楼的快繁研究,建立重楼快繁技术平台,可能会解决上述重楼培养的困难,可缓解重楼生产中的资源缺乏问题。为解决重楼自然生产量严重不足的问题提供一个技术平台。
南开大学 2021-04-10
二维Bi2O2Se超快高敏红外芯片材料
具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体芯片材料(硒氧化铋,Bi 2 O 2 Se),在场效应晶体管器件、量子输运和可见光探测方面展现出优异性能。由Bi 2 O 2 Se制备成的原型光电探测器件具有很宽的光谱响应(从可见光到1700 nm短波红外区),并同时具有很高的灵敏度(在近红外二区1200nm处灵敏度高达~65A/W)。 而利用飞秒激光器组建的超快光电流动态扫描显示Bi 2 O 2 Se光电探测器具有约1皮秒(10 -12 秒)的本征超快光电流响应时间。化合物由交替堆叠的Bi 2 O 2 和Se层组成,晶体中氧的存在,使其在空气中具有极佳的稳定性,完全可暴露于空气中存放数月且保持稳定。
北京大学 2021-04-11
中国科大研制用于快充锂电池的新型双梯度石墨负极材料
中国科大俞书宏院士团队与姚宏斌、倪勇教授团队合作提出了在不牺牲锂离子电池能量密度的前提下,在石墨负极内部引入颗粒尺寸以及孔隙率的梯度异质分布结构设计,实现了石墨负极快充性能提升。
中国科学技术大学 2022-06-02
高性能系列铌酸锂、钽酸锂晶体和光电器件
光电晶体及其器件作为激光技术的关键材料和器件,被诸多国家 列为优先发展的技术领域。本项目在国家 863 计划、天津市重大科技 攻关、国防科工局民口配套等项目支持下,瞄准国家需求,围绕产品 化关键技术攻关,取得了以下主要科技创新: (1)自主设计基于经验数据库的智能计算机晶体生长自动控制 系统,并开发了晶体生长成套装备,应用于多种晶体生长,得到批量 推广应用。 (2)发展了两种非固液同成分共熔配比晶体的制备方法,实现 了 SLN 晶体和 SLT 晶体的批量、廉价制备。 (3)开发了宽温度范围工作铌酸锂电光调 Q 晶体及电光调 Q 开 关,在-55℃~70℃温度区间稳定工作,大幅提高了军用激光系统的温 度稳定性。(4)以高温度稳定性电光调 Q 开关为核心技术自主研发的系列 高温度稳定性铌酸锂电光调 Q 激光系统,实现了批量生产和应用。 (5)开发了满足激光雷达等长期在线工作的低内电场铌酸锂电 光调 Q 晶体和电光调 Q 开关。 (6)开发了高抗光损伤阈值的钽酸锂电光调 Q 晶体和电光调 Q 开关,典型 1064nm 波段的激光损伤阈值比铌酸锂晶体提高两个数量 级以上,且能够满足军工宽温度范围要求。
南开大学 2021-04-13
SDY-08D家用电器音视频培训考核设备
产品详细介绍  SDY-08D家用电器音视频培训考核设备 电视实训考核台是用于液晶电视和CRT彩色电视机的实训与考核,液晶显示器要求为32寸,所彩机型32寸液晶电视,故障点设置不少于32个,彩电采用25吋CRT电视作为考核平台。电视实训电路板增设了故障点考核装置。故障点为手动设置方式,减少了对电路的影响,画面清晰。适用于家用电子维修技师的实训与考核。
上海上育科教仪器有限公司 2021-08-23
江苏省靖江市生中无线电器材厂
        靖江市生中无线电器材厂(原靖江市无线电器材厂,创建于1970年),专业生产“思中”牌教学仪器已有三十多年的历史,是原国家教委和江苏省的定点企业,现为中国教育仪器行业协会和江苏省教育仪器行业协会会员单位。主要产品有电磁打点计时器,电火花计时器,初高中学生电源,教学电源系列,滑动变阻器系列,平抛运动、气体定律、向心力、碰撞等实验器系列及可拆变压器、变压器原理说明器、小型变压器系列。2000年新教材配备的新产品,油膜实验器、电学元件黑箱,已通过教育部部级鉴定,传感器应用实验器、电火花计时器也已通过了省级鉴定,受到了广大用户的一致好评。   我厂拥有一支专业的技术人才队伍,其中大专以上文化的人员占全厂职工的30%,具有很强的研发和产品维护能力。多年来,我们始终坚持“质量第一、信誉第一、用户第一、服务上门”的宗旨,以质优价廉的产品服务于国内外广大客户。   面临着新的教育形势和新的竞争考验,我厂将不断开发新产品,并始终把产品质量放在第一位,以期更好的服务于教育事业,为全民的素质教育作出更大的贡献.
江苏省靖江市生中无线电器材厂 2021-01-15
东南大学科研团队在热电转换研究领域取得新进展
近日,东南大学物理学院倪振华教授和吕俊鹏教授课题组与新加坡科技局材料工程研究院吴靖研究员合作,发现在基于二维Bi2O2Se的场效应晶体管中施加门电压可以调控极化光学声子散射到压电散射的转变,实现了塞贝克系数与电导率的去耦合,达到了宽温度范围的高热电功率因子。 基于塞贝克效应的热电材料可以实现热能和电能的直接转换,在绿色清洁能源和低温制冷等领域有着十分重要的应用,如何提高热电材料转化效率一直是该领域研究的核心问题。热电参数之间的强耦合使得提高材料的热电性能具有挑战性。长期以来,由于载流子散射机制的复杂性,在调控载流子散射机制方面十分困难,因此常常忽略了载流子迁移率在独立增强热电性能(不牺牲塞贝克系数的情况下提高电导率)方面的作用。 不同于目前广泛研究的石墨烯、过渡金属硫化物、黑磷等二维材料,二维Bi2O2Se的低声子群速度和强声子非谐散射使其具有极低的热导率(~0.92 W/mK APL 115, 193103 (2019)),同时兼具的高电子迁移率和良好的环境稳定性使得其在热电以及能源转化领域有着巨大的潜力。基于二维Bi2O2Se场效应晶体管的热电输运,二维Bi2O2Se载流子迁移率在高温下由极化光学声子散射主导,在低温下由压电散射主导。当压电散射主导时,其迁移率显著提高。同时电导率的急剧上升并没有导致塞贝克系数的明显下降,表明散射机制的调控可以实现电导率和塞贝克系数的去耦合。这与之前通过调控载流子浓度来平衡电导率和塞贝克系数的策略完全不同。同时,这种散射机制的转变温度具有高度的门电压可调性,通过施加一定大小的门电压,可以显著提高极化光学声子散射到压电散射的转变温度。热电功率因子与迁移率在两个数量级的调制上展现出近似线性的相关性,最终实现宽温度范围(80-200K)的高热电功率因子(>400mW-1m-1K-2)。 该工作发现了通过门电压调控二维Bi2O2Se的散射机制可以有效的调节其热电性能,证明了散射机制的调控可以很好的实现热电参数之间的去耦合。高栅极可调性允许对散射机制进行精细的控制,从而揭示更深入的物理机制。对于探索低维材料应用于低温制冷和物联网自供电领域具有深远意义。
东南大学 2021-02-01
一种微波快速合成-烧结制备ZrNiSn块体热电材料的方法
(专利号:ZL 201510388992.4) 简介:本发明公开了一种微波快速合成‑烧结制备ZrNiSn块体热电材料的方法,属于热电材料制备方法技术领域。本发明的一种微波快速合成‑烧结制备ZrNiSn块体热电材料的方法,其步骤:原料配制和冷压成型,微波合成,ZrNiSn热电合金的破碎、球磨和二次冷压成型以及微波烧结。本发明通过将微波合成与微波烧结相结合,并控制合成与烧结过程中的各种工艺参数,使ZrNiSn热电材料的组织中原位析出纳米晶粒,从而显著降低ZrNiSn热电材料的热导率,获得热电性能优越、组织和性能分布均匀且具有单一相的ZrNiSn块体热电材料。
安徽工业大学 2021-04-11
面向物联网的砷化镓基具有热电转换功能的MESFET器件
本发明提供的一种面向物联网的砷化镓基具有热电转换功能的MESFET器件,主要包括MESFET和热电偶。MESFET选择半绝缘的GaAs作为衬底,通过GaAs工艺和MEMS表面微机械加工实现具有能量转换功能的MESFET。在源漏栅的金层四周制作一层二氧化硅,化学机械抛光后,制作热电偶的金属Au型热电臂和砷化镓型热电臂,蒸金连接两种热电偶臂,将源漏栅的热电偶电极进行金属连线,留下两个热电偶电极作为塞贝克电压的输出极。该砷化镓基具有热电转换功能的MESFET器件根据塞贝克效应,可以将器件工作产生的热能转换为电能,实现能量收集的同时缓解了散热问题。通过检测输出塞贝克电压的大小来实现对热耗散功率大小的检测。
东南大学 2021-04-11
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