美国Lake Shore 335控温仪 产品介绍 美国Lake Shore 335控温仪具有很多用户可自行设定的功能及一些服务于★端控温仪的先jin功能。335控温仪是*一套具有用户设定功能的两通道控温仪，用户可以设定控温仪的加热器输出功率，两通道加热器输出功率总和为75W，可分别设定为50W和25W，也可以设定为75W和1W。有了这个功能，仪器虽然体积小，但却可以提供比较大的功率，完成前所未能及的控制。 在控温仪的控制输出中不仅配有硬件还配有软件，这样就允许使用者，可以简单方便的来控制自己的实验。通道一具有电流的输出能力，而通道二有电压和电流两种输出模式。在通道二采用电压输出模式的时候，不仅具有±10 V的模拟输出能力，同时还有1W的加热器输出能力，并且还可以完成PID的控制能力。报警和延迟的功能可以帮助自动匹配二级控制功能。被改良的自动调整功能，允许335控温仪自动需寻找合适的PID参数，这样为您的试验节约了大量的时间。 美国Lake Shore 335控温仪 两路PID控制回路 335控温仪不仅可与LakeShore生产的传感器连用，还可以支持大多数工业的低温传感器，包括二极管、电阻、热电偶等传感器。 控温仪的zone功能可以允许在300mk到1500K的温度区间内完成连续的测量和控制。在被测温度超出了现有传感器的测量范围时，Zone功能可以自动转换传感器输入通道。使用者不需要担心温度超限或测量不能连续的问题。 335控温仪直观的前面板布置和键盘逻辑、明亮的真空荧光显示屏、LED灯都进一步增强了335控温仪前面板操作界面的友好性。四种标准显示模式，可适合于不同的仪器设定规格，满足不同用户的偏好。用户可以为每个传感器通道设定标签来帮助记忆，永远的向为传感器贴标签的方式告别，不会再出现各通道传感器与设备对应的出错。如上功能在加上仪器的USB和IEEE-488接口、直观的菜单结构和逻辑支持，大大提高了仪器的使用效率及易于使用性。 Lake Shore335控温仪中包括硅二极管、铂电阻、氧化钌、热电偶传感器的标准温度曲线。同时在不可擦除记忆芯片中可以输入39条200点的Lake Shore公司的传感器标定曲线。集成的SoftCal逻辑算法可以为硅二极管和铂电阻传感器生成温度曲线，可以作为用户曲线进行保存。使用LakeShore公司提供的Curve Handler软件，温度传感器的校准数据可以很简单的导入到335控温仪中。 美国Lake Shore 335控温仪 两路PID控制回路 主要特点 • 配合合适的负温度系数电阻温度计使用，zui低温度可以到300mK • 两路传感器输入通道 • 两路PID控制回路，50W和25W,或75W和1W • 自动调节功能可自动进行PID参数计算 • 采用ZONE功能自动切换传感器输入通道，完成从300mK到1505K连续测量和控制 • 用户可以自定义每路传感器的标签 • 支持硅二极管、电阻、热电偶温度传感器 • 温度传感器激励电流就有翻转功能，可以消除电阻传感器的EMF误差口 • ±10V模拟输出、报警及延时功能口 • 以太网、USB、IEEE-488接口 美国 Lake Shore 335控温仪 温度计输入 美国Lake Shore 335控温仪提供两个标准传感器输入通道，支持硅二极管和电阻型温度传感器。3060选件卡可现场进行安装，这样就增加了两通道传感器输入支持热电偶传感器的功能。传感器输入通道采用高分辨率24位模拟数字转换器、每个输出通道具有自己独立的直流电源。两个传感器输入通道与其它电路进行了可视的隔离，以此来降低噪音，并提供可重复的传感器测量。电流反向消除了电阻型传感器（EMF）的热电动势的误差。 十个激励电流能级使测量和控制范围可从低至300mK的温度到420K（使用合适的负温度系数温度传感器）。 自动量程模式可以自动的改变负温度系数传感器的激励电流大小，在低温的时候减少因温度计自热产生的测量误差。使用硅二极管传感器或镓铝砷传感器，zui低温度可以测量到1.4K。一旦通过控温仪前面板设定好传感器的类型，软件就会选择合适的激励电流。 为了提到测量效率，ZONE功能可以自动的自行不同传感器之间的切换，这样就可以连续完成从300mK 到1500K的测量。 美国Lake Shore 335控温仪中包括硅二极管、铂电阻、氧化钌、热电偶传感器的标准温度曲线。同时在不可擦除记忆芯片中可以输入39条200点的Lake Shore公司的传感器标定曲线。集成的SoftCal逻辑算法可以为硅二极管和铂电阻传感器生成温度曲线，可以作为用户曲线进行保存。使用LakeShore公司提供的Curve Handler软件，温度传感器的校准数据可以很简单的导入到335控温仪中。 温度控制 加热器的总功率为75W，在如此小体积的控温仪中，335是可以提供zui大功率的控温仪。因为可提供干净的加热功率，精确温度控制在整个温度量程范围内得以保障，仪器提供了优越的测量稳定性和测量效率。两个独立的PID控制输出回路可以被设定为50W和25W或75W和1W。在温度设定点及控制传感器的反馈温度读数基础上，仪器可以进行精确的控制输出计算。因此335控温仪可以被广泛的应用于实验室的大多数低温系统和很多高温炉中。PID参数可以进行手动设定，也可以通过autotuning功能来自动的改善PID参数。 美国Lake Shore 335控温仪的autotuning功能自动计算PID参数，形成反馈来帮助建立Zone的表格。在向设定点升温时，温度平滑变化，连续的变化过程中的设定点，以可预见的方式达到设定点，无需担心有温度过冲的发生或者花费过多的稳定时间。当被测温度超过输入传感器的测量范围时，控温仪的zone tuning功能可以自动转换输入传感，这个功能与10个传感器激励电流自动转换功能联合使用，使335控温仪可以在300mk到1500K的温度区间内完成连续的测量。 两个控制回路都是以底盘为参考地的可变直流电源。出厂默认设定为输出通道1和通道2功率分别为50W和25W。另外，输出通道2可以被设定为电压模式，当设定为电压模式时，不仅具有±10 V的模拟输出能力，同时还有1W的加热器输出能力，并且还可以完成PID的控制能力。当通道2为电压模式时，通道1的zui大输出功率为75W。 每个输入通道都是进行温度范围限定，用来保护仪器和外接系统，一旦有一个输入通道的温度超限，所有控制通道都自动切断。 接口 美国Lake Shore 335控温仪 标配带有串行USB接口和并行IEEE-488接口。除了可以通过这些接口进行测量数据的采集，基本上仪器所有的功能都可以通过这些接口来完成控制。你可以下载LakeShore公司的Curve Handler软件，通过这些接口将控温仪与电脑连接，就可以很容易的将传感器的校准曲线写入到控温仪中。 USB接口模拟RS-232口，采用固定的57600波特率。另外，还可以通过USB接口进行固件更新的下载，可以将固件的zui新版本信息更新到仪器中，而不需要进行硬件的不得已更换。 每一个输入通道有高、低报警功能，用来提供闭合和非闭合操作。335的继电器结合报警功能来提醒操作者故障或进行简单的开关控制。继电器能被独立的分配给任意一个报警功能或进行手动操作。 ±10V的模拟输出可以提供一个与测量温度成比例的电压信号到带状图标记录仪或数据采集系统。使用者可设定输出的比例和数据，数据包括温度或传感器的单位。 可现场进行安装的3060热电偶输入卡，使每个输入通道都增加了支持热电偶传感器输入的功能。此选件卡可以很方便的拆卸下来，但是没有必要这样做，当不是用来测量热电偶传感器时，每个通道依然具有之前所有的功能性。这个选件卡的校准是直接储存在这个卡片上的，因此一个选件卡可以与不同的335控温仪配合使用，而不需要重新校准。    

近年来我国核电发展迅速，已有大亚湾、岭澳、秦山、田湾、福清、阳江、宁德、方家山、红沿河、防城港和昌江等 11 个滨海核电厂的 34 台机组投入商运，还有海阳、石岛湾、三门、台山等滨海核电厂的 22 台机组在建，核电滨海式布局已经形成。我国滨海地区泥沙构成在世界上最复杂，泥沙运动强度又大，占世界 5%的水量输运了 30%的泥沙，泥沙与核素的耦合关系复杂难解，影响到泥沙、核素、温排水的准确分布和核电工程的安全与环境安全。因此研究泥沙、核素、温排水耦合输移是确保核电工程安全和环境安全的关键技术，决定了核电工程立项和设计的可行性。该项目组在国家自然科学基金和核电企业的资助下，经多年研究和实践，取得如下创新成果：一是构建了全三维水沙两相流变密度湍流模型，解决了螺旋流输沙等真实三维水沙计算难题；提出了工程泥沙计算的斜对角笛卡尔坐标方法，克服了河口及海岸工程大尺度泥沙计算中复杂边界的困难。该技术全面提升了水沙模拟的准确性和可靠性，是解决核电工程取、排水口头部、取水泵房内部泥沙冲淤的关键，为核电工程的安全运行提供了保障。二是首次提出了包含泥沙颗粒表面形貌信息的数学泥沙概念，基于数学泥沙确定了泥沙颗粒表面非均匀电荷分布规律，量化了核素与泥沙表面形貌之间微观作用机制，建立了泥沙输移和床面变形过程中核素迁移转化的物理‐化学过程模式，使水‐沙‐核素‐床面之间的静态模型变为动态模型，该技术大幅提升了核素在海域分布和积累模拟结果极值包络范围的合理性，给出了保护环境敏感区域和生态红线的设定方法。为核电工程环境安全设定阈值和条件提供了保障。三是提出了采用比尺模型分析物理模型试验比尺和变态率的研究方法，使物理模型试验比尺和变态率的取值更加合理且具有可操作性；揭示出模型试验中水动力垂向和横向速度误差远大于纵向速度误差的规律；提出基于不同海域岸线、地形、潮动力特性及环境保护目标要求等综合因素的远排差位式、交错分列式和混合式等核电工程取排水工程布置原则，保证了核电工程的取排水安全和环境安全，且大幅度降低了工程投资及运行成本。

本技术可以获取各种单一氧化物和多元氧化物纳米薄膜，以及叠层氧化物纳米薄膜。可用于提高金属的抗腐蚀性能以及获得多种特殊功能，如铁电性能、磁性能、电致变色、化学催化、超导、光电转换等。 本技术可以获得Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Ce、Yb、Ti、Zr、Hf、Ta、Cr、W、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Ir、Pd、Cu、Zn、Cd、Al、In、Si、Sn、Pb等元素的单一氧化物或它们的多元氧化物纳米薄膜，厚度<0.2um。氧化物薄膜质量优于溶胶凝胶法，厚度均匀，根据需要可以控制厚度膜。先后沉积不同的氧化物薄膜可以获得叠层氧化物纳米薄膜。制备过程简单，重现性好是本技术的优势。

南开大学 1978 年在国内率先开展非晶硅材料及其电池的研究，该技术获得天津市技术发明二等奖。自“六五”至“九五”期间，连续 4个五年国家科技攻关计划，获科技部重点攻关和天津市科委的支持，经过 20 余年潜心研发，硅基薄膜太阳电池性能跻身世界先进行列。于 2003 实现非晶硅电池产业化。 2000 年始，在国内率先开展新一代硅薄膜电池的研究。2007 年，该成果实现技术转移生产。 2009 年，研制成功我国首套基于自主专利技术的、衬底面积0.79m2、线列式 5 室连续 VHF-PECVD 系统及相应中试生产线及其组件制造技术。成为国际上为数不多可开展大面积新一代硅基薄膜太阳 电池研究的单位。 2011 年，开发出年产能 2 兆瓦、具有自主知识产权的、我国首条年产能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅锗/微晶硅叠层电池生产线及其组件生产技术。生产出的太阳电池组件效率达 9.59%，将新一代硅薄膜电池技术推向产业化。

南开大学 1978 年在国内率先开展非晶硅材料及其电池的研究，该技术获得天津市技术发明二等奖。自“六五”至“九五”期间，连续 4 个五年国家科技攻关计划，获科技部重点攻关和天津市科委的支持， 经过 20 余年潜心研发，硅基薄膜太阳电池性能跻身世界先进行列。 于 2003 实现非晶硅电池产业化。 2000 年始，在国内率先开展新一代硅薄膜电池的研究。2007 年， 该成果实现技术转移生产。 2009 年，研制成功我国首套基于自主专利技术的、衬底面积 0.79m2、线列式 5 室连续 VHF-PECVD 系统及相应中试生产线及其 组件制造技术。成为国际上为数不多可开展大面积新一代硅基薄膜太 阳电池研究的单位。 2011 年，开发出年产能 2 兆瓦、具有自主知识产权的、我国首条 年产能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅锗/微晶硅叠层电池生产线及其组件生 产技术。生产出的太阳电池组件效率达 9.59%，将新一代硅薄膜电池 技术推向产业化。

本发明阐述了一种激光溅射法制备CsPbBr3薄膜的方法。具体步骤为：先通过DMF、DMSO、环己醇、PbBr2、CsBr材料以溶液加热方法制备出足量的CsPbBr3单晶并压成靶材，再采用脉冲激光沉积薄膜制备技术：调整激光能量和基底温度，通过激光脉冲数控制薄膜厚度，真空沉积制备CsPbBr3薄膜。本发明利用脉冲激光沉积技术制备CsPbBr3薄膜，可实现均匀大面积薄膜的便捷制备，易于有效控制薄膜厚度并且节约材料，有利于该材料在太阳能电池的工业化生产与应用。

本成果包含如下内容：高转换效率的小面积碲化镉太阳电池制造技术，面积为1200mm×600mm 的碲化镉太阳电池组件规模化生产技术，年产30-50MW碲化镉太阳电池生产线及关键设备的设计。 主要技术指标： 组件效率超过12%。 应用范围： 用于太阳能直接发电，建立大规模光伏电站或小型户用光伏发电系统。国家扶持光伏发电系统的建设，每年新建在10GW以上。由于是薄膜太阳电池，出口不会受到限制。 项目目前已进入产业化阶段，成果权属为我校独自拥有。

一种柔性碲化镉薄膜太阳电池结构，本项发明所属领域为新型 能源。为了降低碲化镉太阳电池的成本，扩大电池的应用范围，柔性 碲化镉太阳电池将是未来发展方向之一。柔性碲化镉电池面临的难题 之一是如何解决金属背电极与碲化镉薄膜欧姆接触，即寻找一种材 料，加入到金属电极与碲化镉薄膜之间，有利于p载流子传输。本发 明是采用石墨烯作为碲化镉层与金属电极层的过渡层，充分利用石墨 烯载流子传输速度高、力学性能好的特点。将结晶石墨进行化学清洗， 用带胶的聚酰亚胺薄膜剥离石墨，使得一层石墨烯粘附于聚酰亚氨表 面。在此基础上再溅射沉积碲化镉，惰性气体保护下CdCl2退火，溅 射沉积硫化镉和ITO薄膜。制作出的柔性碲化镉薄膜电池具有重量 轻、成本低的优点。

北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。

本发明公开了一种用于柔性薄膜卷绕工艺的双驱动精密胀轴， 包括支撑模块、传动模块、切换模块、动力模块和胀轴模块，其中传 动模块能够在仅使用单个驱动电机的情况下，将动力模块的动力传递 到胀轴模块，并通过切换模块使得同一个动力模块可以分别向胀轴的 两种运动提供动力；胀轴模块包括转动轴、外轴、芯轴、滑块端盖和 膨胀块等，其中转动轴和外轴彼此固定联接，芯轴安装在两者的内部， 并且膨胀块可以在外轴上的通槽中径向升降，从而对料卷执行张紧操 作。通过本发明，能够仅采用机械构造即可实现料卷的张紧功能，同 时具备张力均