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可控离子渗入技术（PIP 技术）
项目简介： PIP 可控离子渗入技术是一种金属表面改性技术， 是在Q PQ 技术（盐浴氮碳氧多元共渗）的基础上研究开发的新技术 ， 进一步降低了零件的处理温度， 达到 480
西华大学
2021-04-14
技术需求：肿瘤异体移植技术
该项目为一个三靶点的小分子一类抗肿瘤新药，是全球首创在一个小分子化合物上同时具备两类三个重要靶点抗肿瘤活性药物。我公司拥有完全自主知识产权，在中国和美国均已授权专利；我公司已完成前期原料和制剂工艺研究，同时也开展了较多的体外活性和动物药效研究，抗肿瘤药效比对临床一线药物更强，安全窗口更大，市场预期销售额超过10亿；现已进入按国家药品监督管理局规定进行一类新药研究申报的研究阶段，需要委托有相关资质并符合国家药品监督管理局要求的机构进行药理药效和药代动力学实验，临床前安全性评价实验，原料的制备工艺和中试研究及稳定性研究，制剂的制备工艺和中试研究及稳定性研究；获得临床批件后还需要进行原料及制剂的生产放大验证工艺研究及稳定性研究，在具有GCP资质的三甲医院开展1--3期临床试验研究，并进行生物样本的检测，同时向国家药品监督管理局申报生产批件正式上市。整个研究耗时较长，资金投入相当大，需要与国内各顶尖研究机构合作，需要相关专家技术支持！
南昌双天使生物科技开发有限公司
2021-11-01
技术需求：机电液控制技术
1、机电液控制技术；2、流体传动及控制工程技术；3、极端环境测试技术；4、成套装备技术。
太重集团榆次液压工业（济南）有限公司
2021-06-15
【中国日报网】第63届高博会：吉林动画学院原创 IP 以“技术 + 艺术” 点燃数字创意
5月23日至25日，吉林动画学院携“技术 + 艺术” 融合成果亮相第63届中国高等教育博览会，以《疯狂电脑城》赛博朋克美学与裸眼 3D、虚拟角色互动等形式，打造穿越次元的数字创意盛宴，诠释产教融合创新实践。
中国日报网
2025-05-25
液压无级转向技术和液压复合无级转向技术（技术）
成果简介：从履带车辆的无级转向技术的发展来看，液压无级及液压复合无级转向是上世纪70至80年代发展的具有代表性的新技术。世界各国发展的新型和改进型军用履带车辆的传动装置上，几乎全部采用了这类新型的无级转向机构。在民用工程车辆上也逐渐开始采用。可实现履带车辆无级转向功能。主要技术指标是：车辆吨位：10～50t；可匹配的发动机功率范围：50～600kW；输入转速范围：2000～3000r/min；传动效率：90%～93%。 项目来源：自行开发 技术领域：先进制造
北京理工大学
2021-04-14
技术需求:高端智能化、高效节能、低耗能的机械设备主要为： 履带式的移动破、圆锥破
高端智能化、高效节能、低耗能的机械设备主要为：履带式的移动破、圆锥破
临沂恒泰机械制造有限公司
2021-08-26
一种铝合金周期性点阵多孔结构的快速成形制造方法
本发明公开了一种铝合金周期性点阵多孔结构的快速成形制造 方法。通过 CAD 软件构建基于点阵单元的周期性点阵多孔结构的三维 模型，将模型以 STL 格式输出，导入到 SLM 成形设备中，激光束根 据切片层的数据选择性地熔化区域内的铝合金粉末得到二维的金属结 构，经层层堆积最终可以得到与 CAD 模型一致的三维铝合金多孔结 构，再经过热处理、分离、喷砂等后续处理即可得到表面光洁、性能 良好的铝合金周期性点阵多孔结构。本
华中科技大学
2021-04-14
一种具有高粉末原料利用率的高能束增材制造方法与设备
本发明公开了一种具有高粉末原料利用率的高能束增材制造方 法及设备。方法根据待成形金属构件切片轮廓形状确定成型缸的内部 结构，使各铺粉层的金属粉末尽量只处于待成形金属构件切片轮廓形 状对应的区域，以大幅度减少金属粉末的用量，并提高高能束增材制 造的功效。设备包括一个或多个成型缸，该成型缸的内部结构与待成 形金属构件切片轮廓形状相匹配。本发明通过使用镶块以及与金属构 件切片轮廓形状相适应的异形基板，实现了针对不同金属构件
华中科技大学
2021-04-14
一种用于高能束增材制造的温度场主动调控系统及其控制方法
本发明公开了一种梯度温度场主动调控系统及其控制方法，系 统由温度场监控系统、加热系统和控制系统；温度场监控系统用于测 量成形区域 XOY 平面及四周的温度场信息，将获得的温度场信息进行 量化处理后反馈给控制系统，加热系统根据控制系统指令对成型缸的 底部和四周进行温度场的分区独立实时调节，以实现在加工过程中整 个加工区域的温度场恒定，保证已加工区域与未加工区域处于合理的 温度梯度，避免热应力导致构件翘曲、变形、开裂。本
华中科技大学
2021-04-14
一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺
本发明公开了一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺，包括步骤：1)在洁净硅片上热生长一层 SiO<sub>2</sub>薄膜、2)在有 SiO<sub>2</sub>层的硅片表面光刻出圆孔阵列图形、3)刻蚀暴露的 SiO<sub>2</sub>，将光刻的图形转移到 SiO<sub>2</sub>层、4)镀Cu 膜、5)去除表面的光刻胶及光刻胶表面的 Cu、6)生长 Si 微米线阵列、7)在 Si 微
华中科技大学
2021-04-14