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西安交大科研人员在有机绝缘驻极体薄膜研究领域取得重要进展
场效应晶体管(Field Effect Transistor, FET)是芯片与集成电路的基本单元,由金属电极、半导体电荷传输层和绝缘电介质层三部分组成。近年来,电气设备和电子产品小型化、轻量化、智能化的发展趋势对FET等基础电学元器件提出了向高性能、微型化、高频化和柔性化发展的需求。进入21世纪后,随着多种具有共轭π键体系聚合物和小分子的合成,有机半导体材料的优良电荷传输特性已被较为充分地发掘,分子结构创新的匮乏导致半导体材料电荷传输性能难有跨越式的提升。基于这种现状,西安交通大学鲁广昊教授课题组将研究重点转向绝缘电介质层,通过充分挖掘绝缘介质带电特性形成可控的栅极补偿电场,实现FET半导体层电荷传输的调控并提高器件性能。近日,前沿院鲁广昊教授课题组与电气学院李盛涛教授课题组、理学院张志成教授课题组、中科院长春应用化学研究所崔冬梅研究员课题组开展合作,通过自由基聚合合成了一种新型绝缘聚合物分子:无规4-氟代聚苯乙烯(Poly(4-fluorostyrene),FPS)。该聚合物具有较高的深电荷陷阱密度、高击穿场强、高热稳定性和疏水性,可实现高度稳定的驻极体。以FPS薄膜作为栅极介电层,并以C12-BTBT作为半导体层制备的有机场效应晶体管具有高达11.2 cm2·V-1·s-1的场效应迁移率,高达107的开/关比和较小的阈值电压。与广泛使用的聚苯乙烯相比,FPS的电子和空穴陷阱密度及陷阱能级均有所上升,带来6.8×1012cm-2的高带电量。利用FPS制备的OFET存储器件可在大于100 V的宽存储窗口下工作,并具有在空气环境中大于一个月的存储稳定性。 该研究成果以“Soluble Poly(4-fluorostyrene): a High-performance Dielectric Electret for Organic Transistors and Memories”为题发表在国际材料领域权威期刊Materials Horizons上(影响因子:14.356)。该文第一作者为西安交大前沿院助理教授朱远惟博士,通信作者为前沿院鲁广昊教授、电气学院李盛涛教授和中科院长春应化所刘波副研究员。该工作得到了国家自然科学基金、陕西省自然科学基础研究计划、国家博士后基金、电力设备电气绝缘国家重点实验室中青年基金及校基本科研业务费的资助。论文链接为:https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2020/mh/d0mh00203h/unauth#!divAbstract课题组网站:http://gr.xjtu.edu.cn/web/guanghaolu/home
西安交通大学 2021-04-11
挥发性有机污染物 VOCs 处理系列关键技术与设备
本项目包括三大核心技术:1、强制冷凝 VOCs 废气处理设备,创造性地将强制换热技术改造后应用于 VOCs 强制冷凝处理工艺中,针对高浓度有机废气,回收经冷凝的 VOCs 物质,同时回收废气中的温度生产热水。设备内表面均采用实验室自行研发的特殊拒油涂层处理,以防止有机物质对冷凝器的污染,提高冷凝装置稳定运行效率并降低设备维护成本。  2、开发的光催化氧化剂和附着技术克服纳米光催化剂易团聚、易流失的弊端,开发出新型快速的光催化剂负载技术,能够大大推进光催化剂在废水、废气中的实际应用,负载材料廉价易得,加工方便,寿命长,具有巨大的比表面积,能够在吸附VOCs物质的同时,直接发生光催化反应,将VOCs物质完全矿化。 3、开发的高效苯吸收液及分层技术采用特殊吸收液配方制备能够分层的高效苯吸收液,能够有效地吸收废气中的苯、甲苯、二甲苯等有毒有害物质,净化VOCs废气。吸收的VOCs物质能够静置分层,从而能够更快速地富集,方便下一步的回收分离,吸收液可以重复使用。 三大技术可以互相结合为工艺组合,在高浓度有机废气的净化与有价值物质的回收、油烟净化、企业VOCs治理等方面具有广阔地应用前景。已成功解决了河北省三家企业的VOCs处理与排放问题。 项目特色:自2005年企业进行VOCs产生全过程分析,积累了大量第一手资料, 2013年于宏兵承担了环保部大气污染治理应急项目VOCs污染控制欲核算方法研究项目,对工业企业VOCs排放特征、排放量核算技术方法和VOCs处理技术绩效进行评估,建立了天津的VOCs污染控制体系。在VOCs污染前端预防、后端治理技术研究中积累了丰富的经验。南开大学清洁生产研究中心以南开大学科研平台为依托,自身拥有XRD、同步热重分析仪、便携式气相色谱仪、液相色谱仪等大中型仪器共计25台,价值合计300余万元,拥有非常雄厚的技术力量支撑科研工作。 市场应用前景:VOCs治理工况复杂、技术路线众多也决定了这一行业的 发展特点:市场分散,需求多样化,企业要想把规模做大很困难。正因为市场分散,VOCs治理行业要垄断也不容易,市场完全开放,各家企业凭借自身的技术、策略来获得竞争优势,这个市场在未来几年将以30%的速度增长。VOCs 污染治理正在起步,有望撬动近700亿产值。目前,国内VOCs 污染平均治理成本约500-600万元,按每座工业园5家企业参与治理,省均150 个工业园区,全国20个省保守估算,市场空间将达到625~750亿元。未来,随国内VOCs 排放标准有望提高,VOCs治理投资有望进一步增加。投资估计:投资500万元, 经济和社会效益:利润率20-30%,经济效益显著,污染物减排效果显著。
南开大学 2021-04-13
基于谐振频率的硅微谐振式加速度计在线温度补偿方法
本发明公开了一种基于谐振频率的硅微谐振式加速度计在线温度补偿方法,在零加速度情况下标定出两谐振梁谐振频率平方和与其谐振频率差的单调变化关系曲线,然后在输入加速度情况下对两谐振梁谐振频率和谐振频率差进行测量,结合先前获得的关系曲线将温度引起的谐振频率差从测量得到的谐振频率差中减去,完成温度补偿工作。本发明提供的硅微谐振式加速度计温度补偿方法,克服了传统直接温度补偿方法中温度场分布的不确定性和热传导延迟给补偿结果带来较大偏差的缺陷,能够实现实时的、高精度的温度补偿。本发明方法的温度补偿成本低,该方案全部基于FPGA实现,不需要额外增加传感器和引入其它设备,仅利用已有电路器件即可实现。
东南大学 2021-04-11
面向物联网硅基SIW带金属柱悬臂梁可重构带通滤波器
本发明公开了一种面向物联网的硅基SIW带金属柱悬臂梁可重构带通滤波器,包括SIW带通滤波器、转接结构(3)和带金属柱的MEMS悬臂梁结构。带金属柱的MEMS悬臂梁结构包括MEMS悬臂梁(6),MEMS悬臂梁依靠锚区(7)的支持悬浮在硅衬底(1)之上,MEMS悬臂梁的下表面上设置有金属柱(11),硅衬底对应金属柱的位置开设有孔(14),且该孔(14)穿过硅衬底(1)上的氮化硅层(10)和上表面金属层(5)进入硅衬底(1)中。本发明只需要通过控制MEMS悬臂梁的状态就能够改变滤波器通带的中心频率,达到切换滤波器通带中心频率的目的,MEMS悬臂梁可以实现快速的DOWN态和UP态的转换,可以有效地实现微波电路中对滤波器滤波范围的控制。
东南大学 2021-04-11
高效率、大面积碳纳米管 - 硅异质结太阳能电池
碳纳米管-硅太阳能电池将具有优异透明导电性能的碳纳米管和高吸光性能的单晶硅完美结合,工艺简单,备受学术界关注。和目前光伏领域所研究的钙钛矿、半导体薄膜、量子点等材料相比,碳纳米管-硅电池将传统硅材料和新型碳纳米材料两者优良的光电性能相结合,有望成为下一代光伏候选技术。和传统晶体硅电池相比, 该电池省略了制备p-n结的热扩散工艺,小面积时无需蒸镀金属栅格,单壁碳纳米管的导电性和载流子迁移率远远高于晶体硅,因此具有低成本、高效率的优点。目前, 该领域的典型结构,无论是碳纳米管-硅还是石墨烯-硅电池,都存在电池效率仍有待提高、电池面积偏小的问题,距离实际应用还比较遥远。
北京大学 2021-02-01
多晶硅真空感应熔炼除磷连续化生产关键技术及其产业化
低成本冶金法生产太阳能级多晶硅的技术瓶颈是无法实现真空感应熔炼的连续化生产,因此无法实现规模化量产。因此,本团队开展“低成本太阳能级多晶硅真空除磷连续化生产关键技术及其产业化”的研究,重点要解决太阳能级多晶硅真空感应熔炼除磷的连续化生产关键技术,彻底突破低成本冶金法生产太阳能级多晶硅的关键工艺技术瓶颈。
厦门大学 2021-04-11
利用聚二甲基硅氧烷疏水材料板分离微丝菌的方法
本发明提供一种利用聚二甲基硅氧烷疏水材料板分离微丝菌的方法,该方法的步骤是将污水处理厂曝气池中已发生以微丝菌为优势菌的膨胀污泥混合液滴加在具有凹槽结构的聚二甲基硅氧烷疏水材料板上,冷藏放置保存后,采用氯化钠溶液对聚二甲基硅氧烷疏水材料板进行冲洗,利用相似相容原理实现微丝菌从活性污泥混合液中的分离。本发明的效果是该方法操作简单易行,可快速地实现微丝菌从活性污泥混合液中的分离,克服了微丝菌从活性污泥系统中分离困难的问题,可将分离有微丝菌的聚二甲基硅氧烷疏水板上置于培养基中,进行微丝菌的纯培养,与传统的稀释平板法和涂布平板法等微丝菌纯培养方法相比,加快了微丝菌菌种的筛选,可将微丝菌的纯培养周期缩短3~6周。
天津城建大学 2021-04-11
青海省建成国内首条太阳能晶硅光伏组件回收中试线
7月5日,青海省重点研发计划项目“晶硅光伏组件回收利用技术研究”通过专家验收。项目通过对晶硅太阳能电池组件材料的回收循环再利用研究,探索清洁能源固废规范回收以及可循环、高值化再生利用的新兴产业途径,建成我国首条具有自主知识产权的高回收率太阳能晶硅光伏组件回收中试线,为晶硅电池综合回收利用提供了科技示范样板。
青海省科学技术厅 2023-07-07
硅基缝隙耦合式T型结的间接式毫米波信号检测器
本发明的硅基缝隙耦合式T型结的间接式毫米波信号检测器是由共面波导传输线、缝隙耦合结构、移相器、单刀双掷开关、T型结功分器、T型结功合器以及间接式热电式功率传感器所构成,基于高阻Si衬底制作,其上有四个缝隙耦合结构,上方的两个缝隙耦合结构实现信号的频率测量,下方的两个缝隙耦合结构实现信号的相位测量,在前后缝隙之间有一个移相器;T型结功分器和T型结功合器是由共面波导传输线、扇形缺陷结构和空气桥所组成;间接式热电式功率传感器由共面波导传输线、终端电阻以及热电堆所构成,热电堆是由两种不同的半导体臂级联组成。
东南大学 2021-04-14
硅基缝隙耦合式T型结的间接式毫米波信号检测仪器
本发明的硅基缝隙耦合式T型结的间接式毫米波信号检测仪器是由传感器、模数转换、MCS51单片机和液晶显示四大模块组成,传感器是由共面波导传输线、缝隙耦合结构、移相器、单刀双掷开关、T型结功分器、T型结功合器以及间接式热电式功率传感器所构成,整个结构基于高阻Si衬底制作,上方的两个缝隙耦合结构实现信号的频率测量,下方的两个缝隙耦合结构实现信号的相位测量;T型结功分器和T型结功合器主要是由共面波导传输线、扇形缺陷结构和空气桥所组成;间接式热电式功率传感器由共面波导传输线、终端电阻以及热电堆所构成。模数转换
东南大学 2021-04-14
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