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用太阳能多晶硅切割废料制备太阳能级多晶硅项目
随着光伏产业的高速的发展，硅锭切割产生的切割废料也将出现井喷式的增长。仅2012年一年，我国就用了23万吨的多晶硅，产生了近25万吨的粒度≤5mm的二次切割废料(SiC和Si)，回收厂家院内废料堆积如山，粉尘飞扬，环境恶劣。而粒度≤5mm的二次切割废料(SiC和Si)中的SiC和晶体Si粉都是通过高能耗、高成本制备出来的，所以如能将这些废料得以回收利用，不仅减少了环境污染，也会产生出巨大的经济效益。特别是如能将二次废料中价值最高的晶体硅粉得以回收并再用于制造太阳能多晶硅，这对我国减少多晶硅的进口是有重要意义的，所以说，从晶体硅切割废料中回收多晶硅是今后一个重要的发展方向。 （1）本项目可从多晶硅切割废料中提取出太阳能级多晶硅，其技术含量高、生产成本低、能耗小。生产的多晶硅可以替代国外进口产品，减少我国多晶硅的进口量，这对降低光伏能源成本，实现光伏能源的普及有重要意义。 (2) 本项目同时生产的副产品碳化硅制品的最大特点耐高温和耐磨性等性能远好于同类产品，且价格远优于国内同类产品，因此该副产品有着广阔的市场前景，市场竞争力强。该副产品作为耐火材料可广泛应用于冶金、陶瓷、能源、化工等行业。如钢铁厂高炉的炉窑内衬和钢包内衬、电解铝厂铝电解槽的侧部、火法炼锌的罐体的内衬等；如陶瓷行业所用窑炉内所用的窑板和棚板等。 (3) 产品附加值高：由于本项目所用原料主要是来源于光伏行业产生的切割废料，原料的来源丰富且价格便宜，产品的科技含量高，生产成本低，故产品的附加值高。本项目拥有CN103086378A, CN101941699A, CN102275925A, CN102241399A, CN101724902A, CN101671022B等多项专利。
东北大学
2021-04-11
一种钼酸锂纳米棒电子封装材料
简介：本发明公开了一种钼酸锂纳米棒电子封装材料，属于电子封装材料技术领域。本发明钼酸锂纳米棒电子封装材料的质量百分比组成如下：钼酸锂纳米棒65‑80％、聚乙烯醇8‑12％、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸钠0.05‑0.5％、异丙醇铝4‑8％、微晶石蜡4‑8％、水3‑7％，钼酸锂纳米棒的直径为50‑100nm、长度为1‑3μm。本发明提供的钼酸锂纳米棒电子封装材料具有绝缘性好、耐老化及耐腐蚀性能优良、导热系数高、热膨胀系数小、易加工、制备过程简单及制备温度低的特点，在电子封装材料领域具有良好的应用前景。
安徽工业大学
2021-04-11
一种微流控芯片的封装方法
本发明公开了一种微流控芯片的封装方法，用于对具有微通道 结构的微米级基片和与基片相固定连接的盖片进行封装得到微流控芯 片，包括下述步骤，S1 根据微流控芯片上的图案制备基片与盖片；S2 根据微流控芯片上的图案制备与其图案相同的自蔓延多层膜；S3 分别 将进行表面处理后的所述基片和所述盖片层叠在所述自蔓延多层膜两 侧面以形成封装结构；S4 对所述封装结构施加压力并引燃所述自蔓延 多层膜，燃烧引起材料融化实现所述基片和所
华中科技大学
2021-04-14
一种用于 RFID 标签封装的热压头
一种用于 RFID 标签封装的热压头，自上而下地包括热压端组件（10）、隔热组件（20）、导向组件（30）、凸轮微调组件（40）、动力组件（50）、安装组件（60），其中，凸轮微调组件（40）包括导向销（43）和套接在导向销（43）上的凸轮（42），旋转导向销（43）带动凸轮（42）转动时，可使凸轮（42）高度调整，从而使热压头高度得到微调。本发明提供的采用凸轮结构调节高度的热压头，彻底解决了现有技术采用弹簧装置调整热压头高度存在的压力与高度调节相矛盾的技术问题，能够快速、精确地调节热压头高度，特别
华中科技大学
2021-04-14
一种 LED 封装透镜的形貌控制方法
本发明公开了一种 LED 封装透镜的形貌控制方法，包括：步骤 1，采用点胶设备将制备透镜的聚合 物或熔融玻璃转移至 LED 模块，并覆盖住 LED 芯片；步骤 2，采用点胶设备或微注射器将与聚合物不 相溶的液滴转移至聚合物表面；步骤 3，采用加热法固化聚合物、蒸发液滴，获得具火山口形凹槽的透 镜。本发明在降低加工成本、缩短加工周期的同时，还极大提高了透镜的表面光洁度，从而可改善 LED 产品光学性能，适用于包括支架式、板上芯片、阵列式、系统封装
武汉大学
2021-04-14
高性能电子封装材料用联苯型环氧树脂
1、 成果简介：（500字以内）环氧模塑料作为微电子封装材料，以其低廉的成本、高性能化和可靠性等特点，已成为最重要的封装材料。目前，95 %以上的集成电路都用环氧模塑料进行封装。近年来，环氧树脂封装模塑料紧随超高集成电路的快速发展，新品种虽然不断地涌现，也面临着前所未有的挑战。耐高温、低吸水率一直是高性能环氧模塑料的发展方向。我们开发的联苯型环氧树脂是高耐热性、低吸潮性、低应力环氧树脂的一个典型代表。在环氧树脂骨架中引入联苯基团，一方面可以提高其耐热性;另一方面可以减小自由体
吉林大学
2021-04-14
维意真空高真空金属有机蒸发镀膜机支持定制
EV-400高真空金属有机蒸发镀膜机
真空腔室：前开门真空腔体，方便取放基片、更换钨舟、添加蒸发材料以及真空室的日常维护保养；
真空系统：国产分子泵作为主抽泵，真空极限优于5.0✕10-5Pa（经烘烤除气后）；另可选进口磁悬浮分子泵或是低温泵作为主抽泵，真空极限优于3.0✕10-6Pa（经烘烤除气后）；
真空抽速：大气～8✕10-4Pa≤30min；
蒸发源：4～6组欧美技术金属或是有机束源炉蒸发源可选，多源共蒸获得复合膜/分蒸获得多层膜，功能强大，性能稳定；
蒸发电源：真空专业蒸发电源，恒流/恒功率控制。电流、功率可预先设置，可实现一键启动和停止的自动控制功能；
基片台：最大120mm基片/15～25mmITO/FTO玻璃25片，可定制一体化高精度刻蚀掩膜板；基片台公转，转速0～20r/min连续可调；
基片台功能：衬底可选择加热（室温～300℃可调可控）或水冷，基片台可选升降，源基距最大350mm；
溅射电源：直流脉冲溅射电源、全自动匹配的射频溅射电源可任选；
膜厚监控仪：可选配国产或进口单水冷探头膜厚仪；
可镀材料：可沉积金属（Au、Ag、Al、Ca、Cu、Mg、Fe、Cr、Ti、Ni等）、非金属、化合物（MoO3、LiF等）及有机材料，可拓展沉积单层膜、多层膜及混合膜；
控制方式：PLC+触摸屏控制系统，具备漏气自检与提示、通讯故障，实现一键抽停真空。
北京维意真空技术应用有限责任公司
2025-04-25
长循环硅基复合薄膜负极
随着微电子行业等微型化科技的快速发展，薄膜材料得到广泛应用。薄膜电池作为微型电源器件具有广阔发展空间。薄膜材料对于硅基负极而言，其短程储锂深度和单向膨胀的优势能够有效克服硅基材料的本征导电率低和体积膨胀大的问题。开发无需粘结剂的硅基负极薄膜材料对于薄膜负极发展意义深远。项目通过物理沉积方法，实现电极结构设计与导电型材料复合，改善硅基材料低导电率问题，优化硅基材料体积膨胀缓冲空间，从而完成无粘结剂硅基材料制备和倍率、循环等性能的提高。
厦门大学
2021-01-12
硅通孔结构及其制造方法
本发明公开了一种硅通孔结构的制造方法，包括以下步骤：将硅片的厚度减薄至 5 微米至 20 微米；去除硅片表面的所有绝缘层；在硅片的导电区表面和绝缘区表面制作掺杂掩膜，以对导电区和绝缘区分别进行粒子掺杂，绝缘区与导电区掺杂的粒子的极性相反；在粒子掺杂完成后去除掺杂掩膜；在导电区表面覆盖金属电极；在硅片的表面除金属电极之外的区域覆盖绝缘层。本发明的方法制造工艺简单，可避免刻蚀、绝缘处理等工艺对硅片的破坏，并能够提高制造硅通孔结构的成品率。本发明还公开了一种硅通孔结构。
华中科技大学
2021-04-11
一种深硅刻蚀方法
本发明公开了一种深硅刻蚀方法，包括如下步骤：（1）在硅片表面制备图形化的光刻胶掩膜；（2）对硅片进行深感应耦合等离子体干法刻蚀，包括多个刻蚀阶段，每个刻蚀阶段均在感应耦合等离子体机内，通过钝化、轰击和刻蚀三个步骤交替循环加工完成，随着刻蚀深度的增加，各刻蚀阶段中轰击步骤的轰击强度逐渐增强。本发明有效解决了现有技术中侧壁垂直度及粗糙度难以控制以及大刻蚀深度难以实现的问题，在提高刻蚀效率的同时，提高了对光刻胶的选择比，刻蚀槽侧壁垂直度高，粗糙度小，刻蚀深度大。
华中科技大学
2021-04-14