n-型有机薄膜晶体管
设计并成功合成了两种新型噻唑酰亚胺缺电子受体单元,并在其基础上得到全受体类型均聚物PDTzTI(图1a)。单晶XRD分析表明,DTzTI单体中存在S…N非共价键相互作用因而平面性较好,单体间的π堆积也非常紧密,非常适合构建全受体聚合物。噻唑酰亚胺的强拉电子能力也使得聚合物的前沿轨道能级较低,有利于晶体管中电子注入并提升器件稳定性,同时抑制空穴注入和降低器件关电流。基于PDTzTI的有机薄膜晶体管器件表现出优异的单极性n-型输运性能(图1b)。晶体管电子迁移率达到1.6 cm 2 V -1 s -1 ,关电流仅为10 −10 -10 −11 A,因而电流开关比高达10 7 -10 8 。该迁移率是全受体均聚物材料中的最高纪录,同时在晶体管关电流和开关比性能上显著优于常见给体-受体共聚物材料,表明全受体结构是实现单极性n-型聚合物材料的有效途径,为新型受体单元和单极性n-型材料的设计提供重要参考依据。
南方科技大学
2021-04-13