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生命科学学院韩管助课题组在逆转录病毒基因选配研究取得重要进展
逆转录病毒需要整合到宿主基因组中来完成自身的复制。当逆转录病毒感染宿主生殖细胞时，整合的逆转录病毒便会从亲代传到子代，从而形成内源性逆转录病毒。内源性逆转录病毒广泛存在于脊椎动物基因中。绝大多数的内源性逆转录病毒会积累各种突变，从而在宿主基因组中失活或片段化。宿主有时会利用内源性逆转录病毒基因来行使自身生物学功能（图1），这个过程在进化生物学中被称为选配（co-option）。例如，抑制多种逆转录病毒复制的限制性因子Fv1以及参与到胚胎发育的Syncytins都是选配的逆转录病毒基因。但目前对脊椎动物中逆转录病毒基因选配事件尚无系统的研究。 韩管助课教授题组在756种脊椎动物基因组中系统地挖掘了逆转录病毒基因选配事件，共发现177个逆转录病毒选配事件。其中，93个选配事件涉及到逆转录病毒gag基因，gag基因选配事件主要发生在哺乳动物和鸟类中。84个选配事件涉及到逆转录病毒env基因，env基因选配事件主要发生在哺乳动物、鸟类和鱼类中。通过对选配事件发生的时间进行分析，发现选配事件的数目随着时间的推移而增多，仅有少数的选配的逆转录病毒基因在长时间尺度上被维持，这些结果表明逆转录病毒基因选配可以在脊椎动物中频繁的发生和丢失。 一般认为，参与到病毒与宿主间进化军备竞赛的宿主基因会受到正选择。该研究通过选择压力分析在很多选配的逆转录病毒基因中发现了正选择的证据，表明这些基因可能参与到病毒与宿主间进化军备竞赛中。还有部分选配的逆转录病毒基因的进化主要受到负选择，表明这些基因可能主要参与到非抗病毒的宿主功能之中。选配的逆转录病毒基因受到不同的选择压力表明这些选配的基因可能行使了多种宿主细胞生物学功能。总之，该研究为在脊椎动物进化过程中发生的逆转录病毒选配事件提供了一幅全景图，对全面理解逆转录病毒和脊椎动物间互作的进化具有十分重要的意义。
南京师范大学
2021-02-01
官智、何延红课题组在酶的非天然活性与有机电合成相结合的不对称催化研究中取得新进展
近日，西南大学化学化工学院官智教授、何延红教授与南宁师范大学黄初升教授开展合作，在国际顶尖化学期刊《德国应用化学》(AngewandteChemieInternationalEdition，)上在线发表了题为“MergingtheNon-NaturalCatalyticActivityofLipaseandElectrosynthesis:AsymmetricOxidativeCross-CouplingofSecondaryAmineswithKetones”（脂肪酶的非天然催化活性与电合成相结合：二级胺与酮的不对称氧化交叉偶联）的研究成果。
西南大学
2022-07-11
一种聚乙烯-醋酸乙烯酯共聚物/氢氧化镁-碳纳米管复合阻燃材料的制备方法
本发明公开了一种聚乙烯-醋酸乙烯酯共聚物／氢氧化镁-碳纳米管复合阻燃材料的制备方法和应用，由下述组分经过熔融共混热压成型制成，将100重量份聚乙烯-醋酸乙烯酯共聚物和1-10重量份基于碳纳米管基体的单分散氢氧化镁纳米粒子置于密炼机中，熔融混炼、热压成型、冷却固化。采用碳纳米管为载体，降低氢氧化镁粒径，使其实现纳米级分散。提高氢氧化镁与聚乙烯-醋酸乙烯酯共聚物接触面积，提高聚合物阻燃性能。
天津城建大学
2021-04-11
一种基于单相全桥二极管钳位多电平背靠背变换器的同相供电系统
本实用新型公开了一种基于单相全桥二极管钳位多电平背靠背变换器的同相供电系统，其平衡变压器(1)的输入端L
西南交通大学
2016-10-24
安徽大学基于金属有机框架纳米材料的电致化学发光生物传感器用于高灵敏检测肿瘤标志物研究取得新进展
Ti3C2Tx-MXene是一种新型的二维纳米材料，该材料具有良好的金属导电性、亲水性、大比表面积及丰富的表面修饰基团等优点被广泛应用在催化、电化学传感领域。
安徽大学
2022-06-13
安徽大学基于金属有机框架纳米材料的电致化学发光生物传感器用于高灵敏检测肿瘤标志物研究取得新进展
我校毛昌杰教授团队以二维过渡金属碳化物（Ti3C2Tx-MXene）为金属源合成金属有机框架纳米材料（Ti3C2Tx-PMOF），并成功将其应用于电致化学发光生物传感领域。
安徽大学
2022-06-01
技术需求：工业级SLA打印机二极管泵浦固体激光Nd:YVO4波长的控制研发控制程序的编程研发
工业级SLA打印机二极管泵浦固体激光Nd:YVO4波长的控制研发控制程序的编程研发
临沂拓普三维科技有限公司
2021-08-24
《自然·通讯》报道西安电子科技大学郝跃院士团队研制出国际最高功率优值13.2 GW/cm2氧化镓二极管并首次在氧化镓中实现空穴超注入效应
近期，西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授、周弘教授等在超宽禁带半导体氧化镓功率器件研究方面取得重要进展，研制出一种新型的空穴超注入p-NiO/n-Ga2O3半导体异质结二极管。
西安电子科技大学
2022-08-30