柔性透明电极是柔性光电子器件中的核心部分，如果其表面生长褶皱，将会造成粗糙度的迅速上升和透射率的急剧下降。因此，发展抗褶皱的柔性透明电极和相关器件对柔性电子技术具有重要意义。 团队在研究中发现，如果双层体系中硬膜（例如柔性电极的金属导电层）的等效泊松比（网络或多孔等非块体

1. 痛点问题 日常血压计主要是基于袖带充气式的血压计，该类型的血压计在测量时需要完全阻断动脉血流，经过1分钟左右的充放气时间，获取到收缩压与舒张压的信息。该方法存在的主要问题为：阻断动脉血流会导致人体不适，不能长时间进行血压监控；血压瞬时波动可能很剧烈，比如白大褂效应；在夜间、旅途或不方便主动测量的时候，无法监测血压；测量时间较长；测量设备不便携。此外，因为该方法获取的数据是瞬时的、单点的，难以分析血压在一天24小时中的节律变化，难以在血压异常的时候进行及时预警，从而很难降低心脑血管疾病或其并发症的发病风险，难以在第一时间通知病人自己、家属或医生进行干预或治疗。 2. 解决方案 本成果实现了在手腕处，通过多种脉搏波波形及其相位差测量血压。本成果不需要阻断动脉血流，更加舒适、无扰；测量点都集中在手腕处，可以集成到智能手环、手表上，测量设备便捷；其中算法通过对5-10秒的脉搏波波形进行分析就可以输出血压值，实时性更强，可以做到连续监测血压。 本成果的技术特点使得用户可以在夜晚、旅途或不方便主动测量血压的时候，自动监测血压变化；适合观测血压的24小时节律变化，或更长时间的变化趋势；通过提供更多数据，为疾病预防、诊断、治疗、用药提供更全面的参考信息，进而推动临床医学和日常连续血压监护的发展。

无试剂COD多参数水质检测仪，解决现在用户在化学试剂报备、购买、运输、使用、储存及排放等难题，采用先进的光谱技术，仪器操作简便，无需消解，一键读数，可同时测出水中COD、TOC、BOD、TOD、浊度，降低用户使用成本，没有二次污染，绿色环保，可广泛应用于河道水、生活污水处理排放口、工业污水处理排放口、医院废水处理排放口检测。

XM-DJB-1无张力深部打结操作模型（带电子监测）   功能特点： ■ XM-DJB-1无张力深部打结操作模型（带电子监测）由透明材质制成，模拟人体深部血管场景。 ■ 可设定不同血管距离，设置考核难易程度。 ■ 牵拉力过大时有警报提示。 ■ 可反复进行练习。

产品详细介绍 医用高压水枪 型      号：JK-88 枪体材质 :    不锈钢 ◆ 产品说明:  [全国医博会参展商 专业品质，值得信赖！] 年销达10万套 ◆ 医用高压水枪是我厂按照卫生部2004年《内镜清洗消毒技术操作规范》规定的标准设计制造，配备日本进口多功能直套型和螺纹型喷头、喷枪、进口快速接头、6米弹簧连接管、喷头固定架、挂钩、管接头、4分外丝等组成。我厂生产的医用高压冲洗水枪是改进后的新型医疗用具清洗保养装置，主要用于各医院内窥镜室、手术室、供应室、检验室等相关科室。通过对内窥镜管道、手术器械、玻璃器皿等进行冲洗，达到去污清洁的目的，是医院内医疗用具清洗的必备产品。 ■ 用 途：用于各类软性、硬性内窥镜、手术器械冲洗，配备八个功能冲洗喷头，方便医院内镜室，供应室等各科室的使用。 ■主要性能特点： ●方便：喷嘴自由拆卸。螺纹型冲头轻松拧上,不易脱落.适合医院各科室医疗器具的冲洗。可清洗不同管径大小的内窥镜及手术器械。八个多功能喷头，可连接不同的出水口 ●快捷：快接式喷头使更换喷嘴异常容易，缩短冲洗时间，提高工作效率。 ●安全：专为医用内窥镜、各类手术器械设计。 ■使用方法：将高压水枪的连接管接于水管的出水处，打开阀门即可进行高压冲洗或喷洒。针对不同的内窥镜管道、手术器械和玻璃器皿，可更换不同的喷嘴，用于控制水压及喷洒角度，达到彻底清除污垢的目的。 A 混合型喷嘴，用于配合真空水泵混合其他小溶液B 深锥型喷嘴，用于窄口玻璃器皿C 尖嘴型喷嘴，用于各种口径的管道和导管D 硅胶盖口型喷嘴,用于移液管、吸液管和测量管E 粗堵口型喷嘴,用于带Luer连接器的注射器和套管针F 短锥散型喷嘴,用于导液管、引流管G 花洒型喷洒,用于器械表面的喷洒H 细堵口型喷嘴,用于带连接器的注射器和套管针 售后服务： 公司根据客户需要负责安装、调试及相应人员培训，负责上门维修。终身维护。超过保修期，维修只收取零部件成本费。 24小时售后维修电话：13215694991、0551-65683226 理想的洗消设备. 来自金尼克. 因为我们更专业!

产品详细介绍无液氦超导强磁场平台能够提供一个5~18特斯拉的强磁场环境，温度可以从1.6K连续变化到300K，无需液氦制冷，大大降低了运行费用，操作灵活简便。 应用领域：磁光效应，磁化率和磁特性测量霍尔效应测量和电特性测量           超导转变点和临界电流，磁性转变点和磁场中的比热测量顺磁共振和核磁共振医学方面研究工业方面的应用（高磷土等工业矿石的处理）晶体生长污水净化核磁共振成像技术  产品特点：Ø  无需液氦，运行费用低实验时不需要再消耗昂贵的液氦或者液氮就可以维持4K或更低的温度，拥有制冷剂自动循环系统，使运行费用降到最低。Ø  快速变温能力，控温准确变温样品室和超导磁体共用同一个制冷装置，温度从300K降到4K只需1个小时左右，控温精度可达25mK 。Ø  全自动操作,安全可靠系统具有多项自动保护功能，确保设备安全运转。操作简单，非专业人士也可自如操作。同时也提供了数据共享，采用其它相关软件也可以实现操作控制。Ø  功能强大的软件系统，自动控温装置低温公司开发了一套软件用来控制和检测无液氦超导系统。可实现对磁场，样品温度控制实时监控。可视化操作界面，操作起来更加方便。提供实验数据分析，也可以将数据导出用于专业软件分析。性能指标磁场范围（标准）：5~18特斯拉控温范围：1.6K~300K样品降温时间：大约1个小时从300K~4K样品室尺寸：24mm或者29.5mm系统测试选件 1、霍尔效应及电阻率测量选件主要指标：Ø  2400电流源表量程范围：1 nA to 1 A.Ø 2182数字万用表的测量范围：100nV to 10V. Ø 电阻测量范围： 108 ohm to 10-7 ohmØ 测量精度：0.01% （量程的极端测试除外）Ø 系统具有扫描功能RnX 测量选件带有8 个电接头， 最多电测量接头可达到24个，因此一次实验，最多可测量6个样品。最大样品尺寸 10mm 直径DC电阻测量量程 10-7 to 108 OhmsDC电压量程 1V to 1mV电阻测量精度 < 0.1%  1-106 ohmAC 电阻测量频率，使 Stanford PSD 电桥法 1Hz to 100kHz 2、AC磁化率测量选件   在变温样品室内装上带线圈的特殊探杆，来产生AC磁场和监测样品的反应。样品室的直径为5mm，样品可手动的从上安装在线圈的中心，在测试探杆上装有Cenox传感器，用来检测样品的温度，AC磁场频率范围宽，磁场的监测器采用的是PAR高灵敏度相位探测器。主要技术指标如下：AC磁场最大值 10Hz时为100G1kHz灵敏度 4K时为10-8emu有效频率范围 0.1Hz到10kHz最大样品尺寸 5mm直径探杆外径尺寸 24mm温度范围 1.6K-300K 3、振动样品磁强计（VSM）选件特殊的带有线圈的测试探杆与低温装置外部的样品驱动的机械装置配合使用，便形成了测量材料DC磁特性的振动样品磁强计选件。VSM的样品驱动机械装置是由Cryogenic公司开发研制的，样品在测试线圈中的最大运动距离为10mm，可测试的最大样品尺寸为5mm，线圈探测器采集的信号直接由高灵敏度的PAR锁相放大器进行处理。 技术规格样品尺寸 最大为5mm直径的球体样品的移动 10mm （peak to peak）VSM的振动幅度 0到10mm（peak to peak）频率范围 10—100Hz通常操作频率 20Hz背景噪音 10-6emu精确度及重复性 0.5%温度范围 1.6  1.6K到300K4、比热测试选件  比热测试选件采用氮化硅薄膜上的带温度计和加热器的微型热量计对毫克级的样品进行比热测试。热量计工作在低压的交换气体中，封闭在锥形密封的腔体中。样品通过真空润滑脂直接粘到热量计的芯片上。AC热量测试法是可行的热量测试方法，加上生产传感器用的氮化硅薄膜技术，AC测试方法具有非常卓越的灵敏度，而且操作非常简单。5、热传导测试选件 Cryogenic公司采用锁相技术来进行热电功率和热传导的测试，测试探杆可根据用户样品的具体测试需要来进行定做。 热电功率的测试技术指标热电系数：+/-цV/ K温度范围：3到300K 系统扩展选件 1、 He3和稀释制冷机选件He3选件可以提供低至0.3K的样品温度。稀释制冷机选件可以提供低至0.01K的样品温度。2、 电阻测量选件的高温炉装置温度范围:300K到1000K3、 振动样品磁强计高温炉装置温度范围：300K到1000K4、 样品旋转平台一维、二维及三维样品旋转平台，可以使样品可在与磁场垂直的方向上进行分辨率为0.2度的旋转。5、 光学窗口系统还可以根据用户需要加上光学窗口，用作低温强磁场下的光学实验平台。 

本发明公开了一种有源钳位反激变换器的自适应同步整流控制系统及控制方法；控制系统包括采样及信号处理电路、以微控制器为核心的控制电路和栅驱动器；控制方法能够实现有源钳位反激变换器副边同步整流管的开启状态、关断过早、关断过晚、恰好关断状态的直接检测，并能够根据检测结果控制同步整流管准确开启以及下一个周期内同步整流管的导通时间。经过数个周期的自适应控制后，同步整流管进入恰好关断状态，避免了有源钳位反激变换器输出波形的振荡、降低了损耗、提升了效率；根据不同状态检测时间段，分时复用微控制器内部的比较器，节省了硬件资源，降低了电路成本和调试难度。

宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线

本发明公开了一种基于全息波导的头戴式显示器件，该器件包括入耦合光栅（１）、左视场偏折光栅（２）、右视场偏折光栅（３）、出耦合光栅（４）、矩形波导（５）；入耦合光栅（１）、左视场偏折光栅（２）、右视场偏折光栅（３）、出耦合光栅（４）、贴附于矩形波导（５）的上表面或下表面；入耦合光栅（１）、左视场偏折光栅（２）、右视场偏折光栅（３）、出耦合光栅（４）、矩形波导（５）贴于上表面或下表面由出入瞳光线设计方向决定。本发明利用光瞳重塑方式解决了传统二维扩瞳方式产生的大视场角情况下的视场分离。