硅通孔结构及其制造方法
本发明公开了一种硅通孔结构的制造方法,包括以下步骤:将硅片的厚度减薄至 5 微米至 20 微米;去除硅片表面的所有绝缘层;在硅片的导电区表面和绝缘区表面制作掺杂掩膜,以对导电区和绝缘区分别进行粒子掺杂,绝缘区与导电区掺杂的粒子的极性相反;在粒子掺杂完成后去除掺杂掩膜;在导电区表面覆盖金属电极;在硅片的表面除金属电极之外的区域覆盖绝缘层。本发明的方法制造工艺简单,可避免刻蚀、绝缘处理等工艺对硅片的破坏,并能够提高制造硅通孔结构的成品率。本发明还公开了一种硅通孔结构。
华中科技大学
2021-04-11