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DTMB 调制器/信号发生器
1 成果简介2006 年 8 月，中国颁布了地面数字电视强制性国家标准（ GB20600-2006，标准的英文缩写为 DTMB）。三年来， DTMB 在全国范围内逐渐推广，带动了一大批相关企业的发展。其中接收终端的生产厂家、接收芯片的研发企业迫切需要 DTMB 调制器用于接收终端和接收芯片的研发调试。为此，清华大学利用自主研发的 DTMB 信道编码调制专用集成电路DT6010，研发成功高性能 DTMB 调制器。2 技术指标工作频率范围： 474~858MHz频率步进间隔： 1MHz码流输入接口： ASI/SPI输出功率： -10~-40dBm，功率调整步进间隔： 1dB工作模式：支持 GB20600-2006 所有 330 种模式调制误差率(MER)： 32dB，频谱带肩： 49dB内置信噪比测试功能内置 PCR 校正功能可内置 MPEG-2 编码器模块3 应用说明本信号发生器可接收外置的码流播放器或编码器提供节目流，也可以使用内置的MPEG-2 编码器提供的码流，通过用配套的按键和 LCD 显示屏可以设置输出信号中心频率、输出信号功率、工作模式、信噪比等参数，可在现场或实验室对 DTMB 接收机、芯片进行相关指标的调试。4 效益分析目前已经完成设备的定型， 单台硬件成本约不超过 1 万元。
清华大学
2021-04-13
21017液体对器壁压强演示器
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
单口洗眼器/台式洗眼器
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温州市育人教仪制造有限公司
2021-08-23
DVI光纤延长器、HDMI网线延长器
产品详细介绍MFD-T/R是一款精巧型的DVI光纤传输器，可以将DVI信号转换成光纤传输，实现DVI信号长距离或超长距离的高速传输。DVI光纤传输器包括一个信号发送器（MFD-T）和一个信号接收器（MFD-R），采用4芯LC多模单纤可将4路光学信号：R、G、B和时钟Clock信号，在分辨率高达1920×1200@60Hz的情况下，采用传统OM250/125微米多模光纤可将信号延长500米。发射端支持EDID的读写操作，自动 EDID编程特性使本产品能够适应不同分辨率的显示系统，使用简洁、方便、可靠。技术指标： 信号输入端：DVI信号（18+1 male） DVI1.0标准；850 um 多模光纤，光功率：-5～-6dbm 信号输出端：850 um多模光纤，灵敏度：-18dbm；DVI信号（18+1 male） DVI1.0标准接口 类型：DVI（18+1 male）；4*LC最高分辨率：PC：1920×1200@60Hz ；HDTV：1080P 兼容分辨率：480i，480P，720P，1080i，1080P 电脑分辨率：VGA、 SVGA、 XGA、 SXGA、 UXGA、WUXGA 视频 带宽：1.6Gbps传输 距离：最远支持500米工作 功率：发射功率（TX）：0.75Watt；接收功率（RX）：0.75Watt 外接 电源：AC 110-240，DC 5V 600AM光纤 标准：50/125，62.5/125 LC两种工作 温度：0℃～50℃ 规 格：39*15*59（mm）重 量：35g
上海熙昂电子科技有限公司
2021-08-23
大尺寸宽禁带半导体氮化镓单晶衬底产业化技术
在大尺寸宽禁带/半导体单晶衬底外延设备、材料生长等方面做出了突出的工作。2001年始，研制出国内第一台用于氮化镓（GaN）衬底的卤化物气相外延（HVPE）系统，研究发展了获得高质量GaN衬底所需的所有关键技术并拥有自主知识产权，在氮化镓单晶衬底设备和材料技术领域已获授权国家发明专利30余项、申请国家发明专利30余项。在国内最早研制出2英寸毫米级GaN单晶衬底，建成6英寸HVPE系统并实现7片2吋及4-6吋GaN均匀生长；研究出创新性的GaN衬底批量制备技术，即将进行高质量、低成本GaN衬底的产业化应用，为第三代半导体应用奠定了材料基础。
南京大学
2021-05-10
匹配层前端带金属保护膜结构的气体超声波换能器
本发明公开了一种匹配层前端带金属保护膜结构的气体超声波换能器。金属壳内从下至上依次装有塑料壳、金属压板和硬质密封胶层，导线中的两根线芯分别焊接在压电片的正极面和负极面的边缘。压电片的上端面与塑料壳中心的凸台连接，下端面嵌入匹配层上端面中心的定位槽内，压电片、匹配层和塑料壳之间填充软胶填充层，帽状金属保护膜套在塑料壳的下端面，帽状金属保护膜与匹配层下端面连接，帽状金属保护膜的帽沿与金属壳间装有密封圈。本发明具有极好的耐高压、抗腐蚀能力，适宜安装在可对含有微量固体微粒和微量液体杂质的高压气体介质的体积流量进行计量、使用低电压电源供电的气体超声波流量计中。
浙江大学
2021-04-13
关于丰中子核16C的链状分子转动带的研究
不稳定原子核占有核素版图的绝大部分区域，近20多年来在实验室中逐步产生出来，表现出一系列新奇的结构和动力学性质，也带来新的应用前景。其中，丰中子原子核的特别奇异的线性链状分子结构已有多年理论预言，但实验发现十分困难，需用多种证据相互印证。此前多个实验组在14C中观察到链状分子态的个别证据（如北大组的前期工作[Phys. Rev. C 95, 021303R(2017) ]）。 此次北大组在更加丰中子的16C中，通过反应Q值、能级、自旋、特征衰变纲图等多个观测量，完整确认了π2σ2构型的正宇称线性链状分子转动带的四个成员，成为这种结构研究的一项重要跨越。 此项研究的实验探测在我国的大科学装置兰州重离子加速器(HIRFL)上的RIBLL1放射性束流线上完成。实验采用每核子23.5 MeV的16C次级束流，通过非弹散射将16C激发到集团破裂阈值之上的高激发态。采用精密的零度粒子望远镜和多套大角度的探测器组合，精确测量末态全部三个粒子。通过全粒子能动量守恒关系逐事件推知入射粒子能量，避开了放射性次级束流能量扩散的缺陷，首次在弹核碎裂型次级束实验中得到分辨率很高的Q值谱，从而清晰的识别出16C的选择性衰变路径。分析过程并采用特殊方法区分了相邻硅微条信号的真假来源，大大提高了最终获得的多重关联真实事件数，从而在足够的统计下通过模型独立的角关联分析获得了分子转动带头号成员的自旋。实验最终确认了价中子处于π2σ2构型的正宇称线性链状分子转动带的四个成员：16.5 MeV(0+)、17.3 MeV(2+)、19.4 MeV(4+) 和21.6 MeV(6+)。图1概略显示了观察到的分子带成员及其衰变特性。实验还观察到一个可能的纯σ4构型的分子态（27.2 MeV），为后续实验提供了指引。
北京大学
2021-04-11
一种高精度高电源抑制比的带隙基准源
本发明公开了一种高精度高电源抑制比的带隙基准源，包括启 动电路和基准电压产生模块；基准电压产生模块包括电源抑制比增强 电路、基准电压产生电路和温度补偿电路；电源抑制比增强电路的第 一输入端连接至启动电路的第一输出端，基准电压产生电路的第一输 入端连接至启动电路的第二输出端，基准电压产生电路的第二输入端 连接至电源抑制比增强电路的第一输出端；温度补偿电路的第一输入 端连接至启动电路的第二输出端，温度补偿电路的第二输入端
华中科技大学
2021-04-14
一种多轴联动砂带磨削加工中的路径规划方法
本发明公开了一种砂带磨削加工的路径规划方法，用于实现对被加工曲面上的刀具路径规划，其特征在于，该方法具体包括：S1 提取被加工曲面的等参数线；S2 在参数域内，规划相邻的等参数线间的过渡路径，各等参数线与所述过渡路径形成参数域内的初始刀位轨迹；S3 将参数域中的初始刀具轨迹离散，并根据参数域与待加工曲面的点对应关系，将参数域中规划出的离散点映射到待加工曲面上，获得刀触点；S4 计算每个刀触点对应的刀位点、刀轴矢量和接触轮轴线矢量，得到砂带磨削加工的刀位数据，即可实现刀具路径规划。本发明的方法可以有效
华中科技大学
2021-04-14
证明了这个二维体系的带隙是拓扑平庸的
交换场为零时，非磁性拓扑绝缘体Bi 2
南方科技大学
2021-04-14