高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
乐华牌卧式风琴(钢琴式)
产品详细介绍
山东省枣庄师范乐器厂 2021-08-23
落地式中空塑料椅
产品详细介绍
吉林市振华遥控技术开发有限公司 2021-08-23
交互式电子教室
适合编程教学实践课堂  适合AI教学实践课堂 教学控制纯硬件设计,开机即教,零维护 重塑电子教室,智启交互与拓展新境 合班授课新高度,真正实现全球授课 自带设备入课堂,文件收发超丝滑 全系统兼容,Windows、苹果、信创产品随心带    
北京东方正龙数字技术有限公司 2021-08-23
重型锤式破碎机
临沂恒泰机械制造有限公司 2021-08-26
PCX高细锤式制砂机
临沂恒泰机械制造有限公司 2021-08-26
大尺寸宽禁带半导体氮化镓单晶衬底产业化技术
在大尺寸宽禁带/半导体单晶衬底外延设备、材料生长等方面做出了突出的工作。2001年始,研制出国内第一台用于氮化镓(GaN)衬底的卤化物气相外延(HVPE)系统,研究发展了获得高质量GaN衬底所需的所有关键技术并拥有自主知识产权,在氮化镓单晶衬底设备和材料技术领域已获授权国家发明专利30余项、申请国家发明专利30余项。在国内最早研制出2英寸毫米级GaN单晶衬底,建成6英寸HVPE系统并实现7片2吋及4-6吋GaN均匀生长;研究出创新性的GaN衬底批量制备技术,即将进行高质量、低成本GaN衬底的产业化应用,为第三代半导体应用奠定了材料基础。
南京大学 2021-05-10
匹配层前端带金属保护膜结构的气体超声波换能器
本发明公开了一种匹配层前端带金属保护膜结构的气体超声波换能器。金属壳内从下至上依次装有塑料壳、金属压板和硬质密封胶层,导线中的两根线芯分别焊接在压电片的正极面和负极面的边缘。压电片的上端面与塑料壳中心的凸台连接,下端面嵌入匹配层上端面中心的定位槽内,压电片、匹配层和塑料壳之间填充软胶填充层,帽状金属保护膜套在塑料壳的下端面,帽状金属保护膜与匹配层下端面连接,帽状金属保护膜的帽沿与金属壳间装有密封圈。本发明具有极好的耐高压、抗腐蚀能力,适宜安装在可对含有微量固体微粒和微量液体杂质的高压气体介质的体积流量进行计量、使用低电压电源供电的气体超声波流量计中。
浙江大学 2021-04-13
关于丰中子核16C的链状分子转动带的研究
不稳定原子核占有核素版图的绝大部分区域,近20多年来在实验室中逐步产生出来,表现出一系列新奇的结构和动力学性质,也带来新的应用前景。其中,丰中子原子核的特别奇异的线性链状分子结构已有多年理论预言,但实验发现十分困难,需用多种证据相互印证。此前多个实验组在14C中观察到链状分子态的个别证据(如北大组的前期工作[Phys. Rev. C 95, 021303R(2017) ])。 此次北大组在更加丰中子的16C中,通过反应Q值、能级、自旋、特征衰变纲图等多个观测量,完整确认了π2σ2构型的正宇称线性链状分子转动带的四个成员,成为这种结构研究的一项重要跨越。 此项研究的实验探测在我国的大科学装置兰州重离子加速器(HIRFL)上的RIBLL1放射性束流线上完成。实验采用每核子23.5 MeV的16C次级束流,通过非弹散射将16C激发到集团破裂阈值之上的高激发态。采用精密的零度粒子望远镜和多套大角度的探测器组合,精确测量末态全部三个粒子。通过全粒子能动量守恒关系逐事件推知入射粒子能量,避开了放射性次级束流能量扩散的缺陷,首次在弹核碎裂型次级束实验中得到分辨率很高的Q值谱,从而清晰的识别出16C的选择性衰变路径。分析过程并采用特殊方法区分了相邻硅微条信号的真假来源,大大提高了最终获得的多重关联真实事件数,从而在足够的统计下通过模型独立的角关联分析获得了分子转动带头号成员的自旋。实验最终确认了价中子处于π2σ2构型的正宇称线性链状分子转动带的四个成员:16.5 MeV(0+)、17.3 MeV(2+)、19.4 MeV(4+) 和21.6 MeV(6+)。图1概略显示了观察到的分子带成员及其衰变特性。实验还观察到一个可能的纯σ4构型的分子态(27.2 MeV),为后续实验提供了指引。
北京大学 2021-04-11
一种高精度高电源抑制比的带隙基准源
本发明公开了一种高精度高电源抑制比的带隙基准源,包括启 动电路和基准电压产生模块;基准电压产生模块包括电源抑制比增强 电路、基准电压产生电路和温度补偿电路;电源抑制比增强电路的第 一输入端连接至启动电路的第一输出端,基准电压产生电路的第一输 入端连接至启动电路的第二输出端,基准电压产生电路的第二输入端 连接至电源抑制比增强电路的第一输出端;温度补偿电路的第一输入 端连接至启动电路的第二输出端,温度补偿电路的第二输入端
华中科技大学 2021-04-14
一种多轴联动砂带磨削加工中的路径规划方法
本发明公开了一种砂带磨削加工的路径规划方法,用于实现对被加工曲面上的刀具路径规划,其特征在于,该方法具体包括:S1 提取被加工曲面的等参数线;S2 在参数域内,规划相邻的等参数线间的过渡路径,各等参数线与所述过渡路径形成参数域内的初始刀位轨迹;S3 将参数域中的初始刀具轨迹离散,并根据参数域与待加工曲面的点对应关系,将参数域中规划出的离散点映射到待加工曲面上,获得刀触点;S4 计算每个刀触点对应的刀位点、刀轴矢量和接触轮轴线矢量,得到砂带磨削加工的刀位数据,即可实现刀具路径规划。本发明的方法可以有效
华中科技大学 2021-04-14
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 111 112 113
  • ...
  • 543 544 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1