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基于硅基悬臂梁Ｔ型结间接加热式毫米波信号检测器
本发明的基于硅基悬臂梁Ｔ型结间接加热式毫米波信号检测器，主要实现结构包括由悬臂梁耦合结构、Ｔ型结、间接加热式微波功率传感器和开关。悬臂梁耦合结构包括两组悬臂梁，每组悬臂梁由两个对称的悬臂梁构成，两个悬臂梁之间ＣＰＷ传输线的电长度在所测信号频率范围内的中心频率３５ＧＨｚ处为λ／４。功率通过第一间接加热式微波功率传感器进行检测；频率检测通过利用间接加热式微波功率传感器测量两路在中心频率处相位差为９０度的耦合信号的合成功率实现；相位检测通过将两路在中心频率处相位差为９０度的耦合信号，分别同两路等分后的参考
东南大学
2021-04-14
硅基已知频率缝隙耦合式Ｔ型结直接式毫米波相位检测器
本发明的硅基已知频率缝隙耦合式Ｔ型结直接式毫米波相位检测器是由共面波导传输线、缝隙耦合结构、移相器、Ｔ型结功分器、Ｔ型结功合器以及直接式热电式功率传感器所构成，整个结构基于高阻Ｓｉ衬底制作，一共有四个缝隙耦合结构，上方的两个缝隙耦合结构连接着两个直接式热电式功率传感器，下方的两个缝隙耦合结构实现信号的相位测量，在前后缝隙之间设置有一个移相器；Ｔ型结功分器和Ｔ型结功合器是由共面波导传输线、扇形缺陷结构和空气桥所组成；直接式热电式功率传感器主要由共面波导传输线、两个热电偶和一个隔直电容所构成，每个热电偶
东南大学
2021-04-14
硅基已知频率缝隙耦合式Ｔ型结间接式毫米波相位检测器
本发明的硅基已知频率缝隙耦合式Ｔ型结间接式毫米波相位检测器是由共面波导、缝隙耦合结构、移相器、Ｔ型结功分器、Ｔ型结功合器以及间接式热电式功率传感器所构成，整个结构基于高阻Ｓｉ衬底制作，一共设置有四个缝隙耦合结构，上方的两个缝隙耦合结构连接着两个间接式热电式功率传感器，下方的两个缝隙耦合结构实现信号的相位测量，在前后缝隙之间设置有一个移相器；Ｔ型结功分器和Ｔ型结功合器是由共面波导、扇形缺陷结构和空气桥所组成；间接式热电式功率传感器主要由共面波导、两个终端电阻以及热电堆所构成，热电堆是由两种不同的半导体
东南大学
2021-04-14
一种具备截料机构的列管式生物质气化炉反应器
本发明属于可再生清洁能源装置领域，并公开了一种具备截料机构的列管式生物质气化炉反应器，其从上到下依次包括上部汇料室、中部壳体和下部气固分离室，其中中部壳体的内部设置有多个在竖直方向上彼此平行的气化列管，在各个气化列管的内部还分别配置用于对生物质气化反应过程中所产生的碳颗粒执行拦截功能的截料机构，该截料机构包括竖直设置在气化列管中的支撑杆、水平贯穿安装在此支撑杆上且沿着竖直方向间隔分布的多个截料小孔板、使所有支撑杆予以固定的支架，以及与所述支架相连用于使得所述截料小孔板发生偏心运动的驱动单元。通过本发
华中科技大学
2021-04-14
硅基未知频率缝隙耦合式Ｔ型结间接式毫米波相位检测器
本发明的硅基未知频率缝隙耦合式Ｔ型结间接式毫米波相位检测器是由共面波导传输线传输线、缝隙耦合结构、移相器、单刀双掷开关、Ｔ型结功分器、Ｔ型结功合器以及间接式热电式功率传感器所构成，整个结构基于高阻Ｓｉ衬底制作，其上有四个缝隙耦合结构，上方的两个缝隙耦合结构实现信号的频率测量，下方的两个缝隙耦合结构实现信号的相位测量，在前后缝隙之间有一个移相器；Ｔ型结功分器和Ｔ型结功合器是由共面波导传输线传输线、扇形缺陷结构和空气桥所组成；间接式热电式功率传感器由共面波导传输线传输线、两个终端电阻以及热电堆所构成，热
东南大学
2021-04-14
17KW三相两级式无变压器隔离并网发电逆变器
该成果采用两级式电路，两级式光伏并网逆变器一般是在逆变器前级加入一个 DC/DC变换器。前级 DC/DC 变换器主要完成最大功率点跟踪功能，通过控制太阳能电池板的输出电压 UPV 跟踪基准 Umppt，进而实现太阳能电池板最大功率输出， PI 调节器的输出与载波比较生成 PWM 信号控制 DC/DC 变换器的开关管。后级 DC/AC 环节主要实现并网功能和稳定直流母线电压功能。成果中两级式拓扑结构是由前级一个 Boost 变换器和后级一个全桥逆变器构成。
扬州大学
2021-04-14
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。
电子科技大学
2021-04-10
一种带自动定位装置的扫描电镜样品台
本实用新型公开了一种带自动定位装置的扫描电镜样品台包括：样品仓，设有样品工作位；扫描单元，安装在所述样品仓内位于样品安装位的正上方，通过马达系统在X，Y方向上移动；交换仓，设有样品安装位，与所述样品仓连通，还设有样品进出口和交换仓门；移动导轨，在所述样品仓和交换仓之间传输样品；样品安装座，安装在所述移动导轨上，在所述样品安装位和样品工作位之间移动；交换杆，一端连接所述样品安装座，一端伸出交换仓；摄像头，安装在交换仓内位于所述样品安装位的正上方；控制器，设有导航模块，所述导航模块根据在样品安装座的图像上指定位置以控制扫描单元平移到对应的观察位置上。
浙江大学
2021-04-13
一种水性带锈防腐涂料及其制备方法
简介：本发明提供一种水性带锈防腐涂料及其制备方法,属于钢铁表面防腐涂装技术领域。该涂料的原料组成及质量百分数为:铁锈转化剂20～30、复合高分子乳液50～60、渗透剂0.01～0.2、成膜助剂0.1～0.5、增稠分散剂0.01～0.2、去离子水10～20。本发明所制备的水性带锈防腐涂料可直接用于锈蚀钢材的涂装,所提供的制备方法具有制备工艺简单、成本低廉的优点,所制备的水性带锈防腐涂料性能优良。
安徽工业大学
2021-04-13