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郑州大学材料科学与工程学院在碳复合能源催化方面取得新进展
研究团队以硼(B)掺杂碳为载体，通过电子供体硼(B)对铱 (Ir) 的“原子束缚工程”以及对Ir活性中心电子结构的调控，获得高活性HER催化剂Ir@NBD-C，且Ir的用量仅占商用催化剂的1/4。
郑州大学
2022-06-08
清华大学机械系何永勇课题组在液体润滑领域界面摩擦机理研究方面取得新进展
清华大学机械系摩擦学国家重点实验室何永勇课题组从边界润滑膜和动压润滑膜的耦合作用行为角度，首次系统地解释了液体润滑界面摩擦和磨损性能的逆相关现象，澄清了边界润滑膜与动压润滑膜的内在耦合机理，提出了二者的耦合模型。
清华大学
2022-02-24
科研进展 | 西湖大学裴端卿实验室破解机械敏感离子通道OSCA/TMEM63力感应和传递机制
西湖大学细胞命运调控实验室继3月份报道人源电压门控钾离子通道Eag2电压感应下的延迟整流机制后1，团队联合Victor Chang心脏研究所在Nature Communications杂志发表题为"A mechanical-coupling mechanism in OSCA/TMEM63 channel mechanosensitivity"的研究论文。
西湖大学
2023-07-11
人才需求：机械行业管理；精通视觉算法、程序编写和视觉应用；机器人和AGV整体结构设计
1.管理类人才，有丰富的机械行业管理经验；2.技术人才，精通视觉算法、程序编写和视觉应用的高级人才1-3人。3.精通机器人和AGV整体结构设计的高级人才1-3人
安丘博阳机械制造有限公司
2021-06-22
云上高博会寄语—电子科技大学校长曾勇
电子科技大学校长曾勇寄语云上高博会，积极推进中国高等教育博览会“线上+线下”融合发展。
云上高博会
2020-09-22
南京大学场发射扫描电子显微镜系统公开招标公告
南京大学场发射扫描电子显微镜系统 招标项目的潜在投标人应在中招联合招标采购平台网址为：http://www.365trade.com.cn/获取招标文件，并于2022年06月29日 14点00分（北京时间）前递交投标文件。
南京大学
2022-06-09
一种用于全伺服并条机自调匀整控制的电子差速齿轮
本发明公开了一种用于全伺服并条机自调匀整控制的电子差速齿轮，设置于并条机前后罗拉编码器（8，10）之间，包括分频器（2）、数字滤波器（3）、脉冲发生器（4）、测速模块（5）、脉冲合成器（6）和速度合成器（7），其中，前罗拉编码器（8）和自调匀整控制器（9）的输出信号分别经分频器（2）和数字滤波器（3）进行分频和滤波处理，同时分别经测速模块（5）和脉冲发生器（4）进行速度测量和脉冲测量后再进入脉冲合成器（6）和速度合成器（7），进行速度和脉冲合成后输出到后罗拉电机驱动器（1
华中科技大学
2021-01-12
一种用于全伺服并条机自调匀整控制的电子差速齿轮
本实用新型公开了一种用于全伺服并条机自调匀整控制的电子差速齿轮，设置于并条机前后罗拉编码器（8，10）之间，包括分频器（2）、数字滤波器（3）、脉冲发生器（4）、测速模块（5）、脉冲合成器（6）和速度合成器（7），其中，前罗拉编码器（8）和自调匀整控制器（9）的输出信号分别经分频器（2）和数字滤波器（3）进行分频和滤波处理，同时分别经测速模块（5）和脉冲发生器（4）进行速度测量和脉冲测量后再进入脉冲合成器（6）和速度合成器（7），进行速度和脉冲合成后输出到后罗拉电机驱动器（10），实现
华中科技大学
2021-01-12
全电子式智能型（节能型）电弧焊机防触电保护器
1、使用该装置，则电焊把手处的空载电压不大于3V（峰峰值），该电压既不会直接也不会间接导致电焊工伤亡事故。目前市场上销售量的同类产品的空载电压24V（有效值）； 2、该产品具有非常明显的节能效果，不使用该产品，电弧焊机的空载能耗约为1000W以上，使用该产品，电弧焊机的空载能耗不大于1W； 3、该产品为智能化产品，体积小(是目前市场上销售量最大的产品的1/2以下)，重量轻，便于安装且即接即用无需调试（其它产品大多需现场调试），免维护（其它产品维修率高），对应用环境要求低（能用电焊机的地方都可用），接线简单，相当于串接供电开关，且含漏电保护功能； 4、该产品的加工及调试简单，核心控制系统模块化，不需要高水平的技工； 5、产该产品只需计算机、示波器、万用表、电烙铁等常用设备，及几十平方米的场地。 应用范围： 2005年国家安全生产条列规定，每个电弧焊机必须安装该产品，且5年强制报废。据权威部门统计，目前，我国电弧焊机保有量约500万台。 预期效果： 该产品的材料成本不高于300元，销售额约700元，1个生产人员年产量约12000台，每个生产人员年毛利480万。 生产该产品只需要计算机、示波器、万用表、电烙铁等常用设备，及几十平方米的场地，不需要太多资金；而且该产品的加工及调试简单，核心控制系统已经模块化，生产不需要高水平的技工，且单人可生产。
北京交通大学
2021-04-13
解析超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构
超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构及表面特性。首先使用改良的布里奇曼方法得到高质量的层状Bi2O2Se半导体单晶块材，其低温2 K下霍尔迁移率可高达~2.8*105 cm2/Vs（可与最好的石墨烯和量子阱中二维电子气迁移率相比），并观测到显著的舒布尼科夫-德哈斯量子振荡。随后，在超高真空条件下，研究组对所得Bi2O2Se单晶块材进行原位解理，并利用同步辐射光源角分辨光电子能谱（ARPES）获得了非电中性层状Bi2O2Se半导体完整的电子能带结构信息，测得了电子有效质量（~0.14 m0）、费米速度（~1.69*106 m/s，约光速的1/180）及禁带宽度（~0.8 eV）等关键物理参量。
北京大学
2021-04-11