可以量产/n该项目来源于国家自然科学基金、科技部对俄合作专项、一带一路专项。目前测试服务用户40 多个，来自国内20 个省市、国外个别单位。投产后年产值可达600-800 万元，净利润150-200 万元。主要技术指标:（1）紫外磁光谱：提供紫外偏振光谱、磁圆二向色性、磁圆偏振荧光谱测试服务，磁场1.5T，温度12-300K，波长380-980nm。设备为自研，可生产紫外磁光谱仪。（2）深紫外磁光谱：研发100-300nm

1 成果简介放射治疗是主要肿瘤治疗手段之一。我国目前每年有共计约 200 万肿瘤患者需要接受放射治疗，目前国内装备的直线加速器只能满足其中约五分之一左右的需求。据专家估计现在全国每年新增的医用直线加速器数量应该近 150 台，年均增长率近 15%左右。目前国内的放射治疗直线加速器市场尤其是中高端市场基本被三家跨国公司瓦里安、医科达和西门子所占据， 100%的中高端以及 60%以上的低端市场都被国外公司占据。 现代放射治疗需要影像引导，医用加速器与影像设备一体化是革命性发展方向。近年来，影像技术和计算机控制技术有了长足的发展，国外发展了称之为影像引导放疗（ ImageGuided Radiation Therapy, IGRT）的技术和设备。医科达的 Synergy以及瓦里安的 OBI等 IGRT加速器一经推出，就迅速普及推广。 但是，目前国际上放疗加速器厂商的 IGRT 设备，都分别存在各自技术缺陷。医科达的Synergy 以及瓦里安的 OBI（图 1 右下），都是使用 MV 级射线治疗，同时，与治疗射线束轴 90 度方向另加一套 KV 级 X 射线影像系统的方式来实现 IGRT。这种结构除了增加制造成本外，非同源影像所反映的治疗靶区运动变化情况也有先天的致命缺陷，无法保证治疗空间坐标和成像空间坐标的一致性，带来治疗误差；西门子的 MVision（图 1 左上） 以及Tomotherapy 公司的 Hi-Art 则利用治疗用的 MV 级射线成像，解决了同源问题，但由于 MV级射线能量高，无法得到高质量图像。“ 同源” 结构， KV 级射线的影像，成了几家主要厂商的无奈取舍，“ KV/MV 同源双束” 加速管技术就是解决以上问题的完美组合。各厂家近十年来均非常重视“ KV/MV 同源双束” 加速管技术的研发。  图 1 几种 IGRT 技术的对比 清华大学 2006 年 12 月承担了十一五科技支撑计划 “ 放射治疗及与影像定位一体化装置的研制” 课题，经过两年多的攻关，发明了国内外尚没有的“ KV/MV 同源双束” 加速管，并制造出能稳定出束，快速切换高能和低能的“ KV/MV 同源双束” 加速管，高能 6MV，低能达 500KV，其他指标亦完全符合设计要求，并研制出“ KV/MV 同源双束” IGRT 加速器样机。 2009 年该课题通过科技部、卫生部验收。2 技术指标3 应用说明本设备可以在病人每个射野照射治疗前进行 KV 级图像配准，验证位置误差，实现精确放疗。由于同源，定位便捷精确， KV 级影像带来的高质量影像，也完全满足位置验证的需求。该设备应用于我国千余家放疗单位（医院），还可出口海外。4 效益分析国外IGRT加速器售价在 1000~2000万元/台，本设备成本约 200万元，预计售价500~1000万元，预计年销售 30~50 台，年销售额约 3 亿（ 2008 年 Varian 公司全球放疗销售额 17 亿美元）。技术创新、自主知识产权的国产医用 IGRT 加速器产业化成功，不仅可以改变我国中高端医用加速器长期依赖进口的局面，还可出口海外市场，其经济、社会效益极大， 推广前景广阔。5 合作方式清华大学目前正进行产品化工作，寻求战略投资及合作伙伴。

XM-655脑干脑神经核传导束   XM-655脑干脑神经核传导束由6部件组成，显示脑干脑神经核及脑神经、锥体系传导束、锥体外系、浅深感觉传导束、视听觉和深感觉传导束、深感觉前庭传导束和脊髓小脑束等结构形态。 尺寸：放大 材质：优质铁丝

XM-655脑干脑神经核传导束   XM-655脑干脑神经核传导束由6部件组成，显示脑干脑神经核及脑神经、锥体系传导束、锥体外系、浅深感觉传导束、视听觉和深感觉传导束、深感觉前庭传导束和脊髓小脑束等结构形态。 尺寸：放大 材质：优质铁丝

随着技术的发展，对航空航天用开关电源的重量、体积、效率和可靠性提出了更高的要求。为了满足这要求，本项目旨在研究开关电源的软开关技术，以实现开关电源的高效率、高功率密度和高可靠性。 技术特征 1、研究了Buck变换器、Boost变换器、四管Buck-Boost变换器、全桥变换器、谐振变换器等常用开关电源拓扑的软开关技术。 2、提出了适用于第三代宽禁带器件的电力电子变换器的架构，即“预调节器+DCX-LLC谐振变换器”和“DCX-LLC谐振变换器+后调节器”的两级式结构开关电源，以大幅提升开关电源的效率和功率密度。

随着技术的发展，对航空航天用开关电源的重量、体积、效率和可靠性提出了更高的要求。为了满足这要求，本项目旨在研究开关电源的软开关技术，以实现开关电源的高效率、高功率密度和高可靠性。技术特征1、研究了Buck变换器、Boost变换器、四管Buck-Boost变换器、全桥变换器、谐振变换器等常用开关电源拓扑的软开关技术。2、提出了适用于第三代宽禁带器件的电力电子变换器的架构，即“预调节器+DCX-LLC谐振变换器”和“DCX-LLC谐振变换器+后调节器”的两级式结构开关电源，以大幅提升开关电源的效率和功率密度。应用范围:项目组将脉冲电源技术的相关研究成果，与中国航天科技集团公司第504研究所、第510研究所、中航工业第614研究所和中国船舶集团公司第704研究所展开密切合作，研发了相应产品，并取得了应用。

宽禁带半导体硅基GaN器件以其高效率，高开关速度高工作温度抗辐时等特点,成为当前国际功率半导体器件与技术学科的研究前沿及热点，也是业界普遍认可的性能卓越的下代功率半导体器件。而S基GaN因其S基特性.能够突破新材料在发展初期的成本牦颈且易与S集成电路产业链匹配，因此兼具高性能与低成本的优点在消费电子(如手机快冲与天线充电).数据中心与人工智能，无人驾驶与新能源汽车、5G通信等团家战略新兴领城具有巨大的应用前景。电子科技大学功率集成技术实验室自2008年起即开展硅基GaN功率器件与集成技术研究,围绕硅基GaN两大核心器件:增强型功率晶体管、功率整流器进行基础研究与应用技术开发。解决了增强型功率晶体管阈值电压大范围调控功率二圾管导通电压调控与耐压可靠性加查等关键技术瓶颈,研究成果为硅基GaN的产业化奠定了重要基础。

发明(设计)人：夏可宇, 阮亚平, 葛士军, 吴浩东, 唐磊, 陆延青。本发明公开了一种全光开关装置及方法，装置包括第一分束器、液晶盒、第二分束器、第三分束器、手性物质、第四分束器、第一反射镜、第二反射镜、相位调节器、第五分束器、第一光电探测器和第二光电探测器，其中，窄线宽激光在第一分束器将分束为控制光和参考光，参考光被第一光电探测器探测，经过液晶盒的控制光和入射的信号光在第二分束器合束，在第三分束器分为第一光束和第二光束，第一光束经手性物质和第一反射镜到达第四分束器，第二光束经第二反射镜、相位调节器到达第四分束器，两束光合束后干涉产生路径1光束和路径2光束，路径1光束分为透射光束和反射光束，透射光束被第二光电探测器探测。本发明可实现快速、稳定、能耗极低的全光开关控制。

电力设备输入电压不稳定，将造成电力设备使用寿命缩短。电力系统电压 可能偏离额定值，过高的电压将造成电能损耗加大、效率降低。改变电力变压 器分接头的方式进行电压调节是电力部门广泛采用的调压措施。在变压器有负 荷电流（有载）的条件下，把变压器某一个电压的分接头切换为另一个电压的 分接头，且保证切换过程电力用户不停电，需要使用高技术含量的有载分接开 关来实现。 目前，现有的有载分接开关切换器中的两个开关都采用先合后开的切换次 序，采用电阻过渡的方式实现两个开关的无缝切换过程。该方式的缺点是：为 了保证两个开关先跳后合之间的时间足够短，以免烧毁电阻，需要复杂的机械 凸轮滑动机构和压缩储能机构，操作振动大、噪音大、可靠性差；开关切换过 程有电弧；整体切换时间长（4 秒）；复杂机械机构决定有载分接开关不允许 频繁切换。

本发明公开了一种真空触发开关，包括密闭壳体；密闭壳体的 两端分别设有阴极和阳极，阴极包括阴极导杆、阴极触头和阴极触头 片，阳极包括阳极导杆、阳极触头和阳极触头片；阴极导杆和阳极导 杆均为中空的圆筒形，其上有螺旋状开槽；阴极触头和阳极触头均为 杯状结构，杯壁为圆筒形，杯底中心开有圆孔，杯壁上有螺旋状开槽； 阴极导杆和阳极导杆分别与阴极触头和阳极触头的杯底同轴紧密连 接，阴极触头和阳极触头的杯口分别与阴极触头片和阳极触头片紧密 连接。该开关避免了由于电弧集聚所带来的电极烧蚀问题，能有效阻止电弧中的金属等