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鼓励和引导高校院所深化职务科技成果赋权改革!《关于促进长三角科技创新协同发展的决定》9月1日起施行
以法治力量推动区域科技创新协同发展再添新样本。
云上高博会 2025-08-05
科技成果转化服务手册来啦!你想知道的都在这里
2024年7月,党的二十届三中全会审议通过的《中共中央关于进一步全面深化改革 推进中国式现代化的决定》,明确提出深化科技成果转化机制改革,加强国家技术转移体系建设,建立职务科技成果资产单列管理制度,深化职务科技成果赋权改革等要求。
上海科技 2024-09-12
《科技成果转化常见问题工作手册(2024年版)》发布
《手册》面向高校院所、医疗卫生机构科研人员,技术转移机构从业人员,科技企业从业人员,定位于科技成果转化工作入门级“科普”读物,聚焦科技成果转化制度体系、转化流程、知识产权管理等领域的高频政策问题,为科技成果转化实践提供简明扼要的参考指引。
北京科技成果转化服务中心 2024-11-26
关于印发《黑龙江省科技创新券管理办法》的通知
为贯彻落实《新时代龙江创新发展60条》,更好地发挥黑龙江省科技创新券作用,激发科技型中小企业创新活力和发展动力,鼓励和引导科技创新券服务机构更好服务科技型中小企业技术创新,加速科技成果转移转化,推动省内优质科技资源开放共享,特制定本办法。
黑龙江省科学技术厅 2024-12-05
关于印发《山东省科技计划项目监督管理办法》的通知
为加强和规范我省科技计划项目监督工作,提高项目组织实施质量和财政资金使用效益,根据国家和省科技计划项目、科研经费管理等有关规定,制定本办法。
山东省科学技术厅 2024-12-02
《江苏省深化职务科技成果赋权改革实施方案》印发
赋权改革主体范围包括江苏省内利用财政性资金设立的高等学校、科研院所。鼓励中央驻苏高校院所根据实际情况,参照本方案开展赋权改革。
江苏省科技厅 2025-01-17
第63届高博会开幕燃爆北国春城,科技赋能擘画振兴新篇
5月23日上午,第63届高等教育博览会在中铁·长春东北亚国际博览中心盛大启幕,吸引了全国千余所高校及科研机构、800余家科技企业参与,展览面积超12万平方米。通过展览展示、高端论坛、政企签约等系列活动,搭建起教育、科技、人才深度融合的国家级平台。
高等教育博览会 2025-05-26
中国海洋大学集成电路多功能实验基础平台、电子学院教学终端等设备采购项目公开招标公告
中国海洋大学集成电路多功能实验基础平台、电子学院教学终端等设备采购项目招标项目的潜在投标人应在青岛市市北区敦化路138号甲西王大厦24楼23A01室或者邮件报名获取招标文件,并于2022年06月23日14点00分(北京时间)前递交投标文件。
中国海洋大学 2022-06-01
北京师范大学-香港浸会大学联合国际学院
“北京师范大学-香港浸会大学联合国际学院(Beijing Normal University-Hong Kong Baptist University United International College,中文简称:北师港浸大,英文简称:UIC) 由北京师范大学和香港浸会大学于2005年在广东省珠海市携手创立,是首家中国内地与香港高等教育界合作创办的大学,获得国家教育部特批。成立至今,北师港浸大得到教育部和广东省教育厅大力支持,并与珠海市政府在2014年签订了合作协议。2016-2017学年,北师港浸大获教育部批准开展研究生教育。2017年,北师港浸大建立研究生院,培养研究型硕士、博士及授课型硕士,毕业生获颁香港浸会大学学位证书。 北师港浸大由许嘉璐教授、吴清辉教授创校,采用校董会领导下的校长负责制,现由前全国人大副委员长许嘉璐教授任校董会主席,中国科学院院士汤涛教授任校长。创校十五年,北师港浸大已发展成为一所拥有独特教育理念的国际化大学,秉承全人教育办学理念,创新地推行博雅教育、四维教育及国际化办学模式。学校设有工商管理、人文与社会科学、理工科技和文化与创意四个学部,开设二十多个本科专业,实施四年全英文教学,所有课程均通过香港浸会大学严谨的课程评审。学校拥有一支来自32个国家和地区的优秀师资队伍,在校生六千余人。毕业生学成后获颁香港浸会大学学士学位证书和UIC本科毕业证书,在内地、香港及国际范围均获认可。 UIC毕业生逾七成前往欧美、澳洲、亚洲等多个国家和地区继续深造,其中超过一半进入全球前100强名校。参与就业的毕业生也深受跨国企业、国企以及政府机构等单位青睐。”
北京师范大学-香港浸会大学联合国际学院 2021-02-01
低维半导体表界面调控及电子、光电子器件基础研究
本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长,解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题,开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究,主要技术创新点有: 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长,解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题,开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构,得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上,共计40余篇,授权专利16项;与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作,成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延,为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺,系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质,极大地拓展了传统的半导体光电材料体系;首次提出一种桥接的异质结构筑方式,大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒,获得了高性能二维异质结光电器件;发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法,调节晶体管特性为强增强型,利用这种设计,实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测,相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上,共计30余篇,授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控,首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型,实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器;利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性,在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性;通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管,使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限,有效降低了器件能耗;创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构,实现了器件高性能与多功能的集成,器件性能为当时最高指标;发展了新型存算一体架构电子器件技术,首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器,有望突破当前算力瓶颈,提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上,共计60余篇,授权专利7项。
武汉大学 2022-08-15
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