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XM-605颅脑模型（头解剖附脑动脉模型）
XM-605头解剖附脑动脉模型
XM-605颅脑模型（头解剖附脑动脉模型）可拆分为9部件，显示颅内的脑结构，包括颅底、大脑半球、间脑、小脑、脑干、中脑、脑桥、延髓各个部分以及脑神经和脑血管等结构。
尺寸：自然大
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
XM-629头部正中矢状切面模型
XM-629头部正中矢状切面模型
XM-629头部正中矢状切面模型头部作正中矢状切，显示脑、脊髓、鼻腔、口腔以及喉腔等结构，共有51个部位数字指示标志及对应文字说明。
尺寸：自然大，25×25×6cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
一种高增益低副瓣的毫米波封装天线
本发明公开了一种高增益低副瓣的毫米波封装天线，包括引线框架，引线框架上设有毫米波IC芯片和毫米波天线，毫米波IC芯片与毫米波天线之间实现高频互连，还包括封装罩，封装罩将毫米波IC芯片与毫米波天线密封在引线框架内，毫米波天线包括辐射单元，封装罩上对应毫米波天线辐射单元的位置处设有喇叭状凹槽，喇叭状凹槽的槽壁表面被金属覆盖。本发明通过在封装罩上设计喇叭状凹槽，能够有效提升天线的增益，降低天线的副瓣电平，并且不影响回波损耗性能，从而能够实现小型化、低成本和高性能的毫米波封装天线。
东南大学
2021-04-11
一种微机电系统的圆片级真空封装方法
一种微机电系统的圆片级真空封装方法，属于微机电系统的封装方法，解决现有封装方法存在的问题，使得微型真空腔长时间保持真空，满足十年以上使用寿命的要求。本发明包括：刻蚀步骤：在盖板圆片上对应硅基片 MEMS 器件的位置刻蚀相应空间尺寸的凹坑，再环绕凹坑刻蚀环形凹槽；吸气剂淀积步骤：在所述凹坑和凹槽内淀积吸气剂薄膜；键合步骤：在真空环境下将盖板圆片和硅基片紧密键合。本发明解决了现有封装方法存在的真空保持时间短、密封质量低、可靠性差、成本高的问题，可以长时间保持微型腔体内的真空度，极大的推动圆片级 MEMS
华中科技大学
2021-04-14
一种用于汽车前照灯的 LED 模块封装方法
本发明公开了一种用于汽车前照灯的 LED 模块封装方法，包括：(a)将中层基板设置有多个芯片焊盘的区域对准于上层基板的通槽结构，由此执行中层和上层基板的贴合；(b)在芯片焊盘上滴涂焊料，并利用焊料的液体表面张力使得芯片与芯片焊盘自动执行对准调整；(c)执行下层基板和中层基板之间的焊接，并完成各个 LED 芯片的电路连接；(d)将陶瓷粉末和硅胶的混合物填充在各个芯片彼此间隔的侧面区域，然后执行加热固化；(e)向上层基板
华中科技大学
2021-04-14
PT100型号薄膜铂电阻低温温度计PI封装
北京锦正茂科技有限公司
2022-03-26
VFT光纤过高真空密封装置配套的真空法兰盘
北京锦正茂科技有限公司
2022-08-18
非致命武器系统（一种可改变出膛力度的防暴枪和电击子弹等）
A在处理防基事件、捕获动物等情况时，在自身不受伤害的前提下，既要求将其击倒、擒获，又不能对 其造成致命伤害。现行的防暴枪,由于子弹的冲击力随着射击距离的增加而减小,当射击距离较远时,不能 有效地将暴徒击倒并擒获，当射击距离较近时，暴力人员或动物等又易于攻击防暴人员，会对自身造成伤 害。因此有必要开发一种防暴枪，在合适的射击距离下，该防暴枪的子弹冲击力不受射击距离变化的影响， 子弹冲击力始终一定。本发明的目的在 于提供一种可改变出膛力度的防暴枪， 以控制子弹冲击力的大小，从而减小伤 亡。（发明专利）B在公安、军警任务执行过程中， 很多情况希望能快速制服犯罪嫌疑人而 非致命。但一般的枪子弹很可能伤及生 命,因此亟需一种能够用于制服犯罪嫌疑人或者伤人疯牛的非致命武器,使目标瞬间丧失反抗能力。
西南大学
2021-04-13
聚合物基电子封装材料用高性能助剂的制备技术
随着电子封装技术向着“高密度、薄型化、高集成度”不断发展，对聚合物 基电子封装材料的各项性能提出了更高要求。目前，我国在先进电子封装材料的 研究和应用上与日本、韩国及欧美发达国家相比仍有较大差距。团队通过与无锡 创达新材料股份有限公司、无锡东润电子材料科技有限公司等企业开展产学研合 作，研发了一系列具备自主知识产权、高附加值以及高性能的电子封装材料用关 键助剂，包括环氧树脂增韧剂、环氧树脂固化促进剂、高性能有机硅树脂等，并 获得江苏省相关科技计划项目及人才项目的立项支持。相关功能助剂的应用可有 效提升电子封装材料的性能，对突破国内高档电子封装材料研发生产的技术瓶颈， 提升我国微电子封装产业的国际竞争力，具有积极作用。
江南大学
2021-04-13
一种微机电系统的圆片级真空封装工艺
一种微机电系统的圆片级真空封装工艺，属于微机电系统的封装方法，解决现有基于薄膜淀积真空封装工艺所存在的淀积薄膜较薄、腔体小，容易损坏，以及封装器件存在真空泄露、使用寿命降低的问题。本发明顺序包括：淀积吸气剂步骤；淀积薄牺牲层步骤；淀积缓冲腔牺牲层步骤；淀积厚牺牲层步骤；制作封装盖步骤；刻蚀释放孔步骤；去除牺牲层步骤和密封步骤。本发明解决了现有封装方法存在的真空保持时间短，密封质量低，封装尺寸大，工艺与标准 IC 工艺不兼容，成本高的问题，从而保证最里面的腔体气压；同时成本少于基于圆片键合工艺的真空封
华中科技大学
2021-04-14