XM-116头颅骨模型   XM-116头颅骨模型可以拆分为颅盖、颅底和下颌骨3部分，并有3颗可拆下牙：切牙、尖牙、磨齿，显示颅骨形态毗邻和颅底的内、外、前和侧面的结构和形态及骨性标志。 尺寸：自然大，19×15×21cm 材质：PVC材料

XM-205两性人体头、颈、躯干模型23件45CM   XM-205两性人体头、颈、躯干模型可拆分为23部件，显示两性人体内脏器官的位置及头部解剖的形态和构造，表现呼吸、消化、泌尿，生殖等主要人体解剖系统，头颈半侧显示颅骨、咬肌、颞肌等结构，眼眶内有眼球，在头颈部作矢状切面，颅腔容纳脑的半球，示鼻腔、口腔、喉部、喉腔、喉室、声门裂、甲状腺，胸腔内的两肺额状切面显示肺内结构，心脏作冠状解剖，表示左右房室的构造异同，心脏血管有上下腔静脉、肺动静脉、主动脉，供讲解大小血液循环应用，胸盖显示女性乳房外形及解剖状。模型包含：躯干、女性胸腔盖、头、眼球、脑、一块脊椎神经、肺2件、心2件、肝、肾、胃2件、肠4件、男性生殖器官2件、女性生殖器官带胎儿3件。 尺寸：高45cm 材质：PVC材料

XM-209两性人体躯干模型20件55CM   XM-209两性人体头、颈、躯干模型可拆分为20部件，显示两性人体内脏器官的位置及头部解剖的形态和构造，表现呼吸、消化、泌尿，生殖等主要人体解剖系统，头颈半侧显示颅骨、咬肌、颞肌等结构，眼眶内有眼球，在头颈部作矢状切面，颅腔容纳脑的半球，示鼻腔、口腔、喉腔、喉室、声门裂、甲状腺，胸腔内的两肺额状切面显示肺内结构，心脏作冠状解剖，表示左右房室的构造异同，心脏血管有上下腔静脉、肺动静脉、主动脉、供讲解大小血液循环应用。模型包含：躯干、头、眼球、脑、肺2件、心脏2件、肝、胆、肾、胃2件、肠2件、男性生殖器官2件、女性生殖器官2件、脊椎神经。 尺寸：高55cm 材质：PVC材料

XM-631头面及颈部血管神经分布模型   XM-631头面及颈部血管神经分布模型由头面部动脉分布、头面部静脉及三叉神经3个部件组成，主要显示头部浅层、深层的动静脉及神经的分布情况及相应的结构形态。 尺寸：自然大 材质：玻璃钢材料

XM-205两性人体头、颈、躯干模型23件45CM   XM-205两性人体头、颈、躯干模型可拆分为23部件，显示两性人体内脏器官的位置及头部解剖的形态和构造，表现呼吸、消化、泌尿，生殖等主要人体解剖系统，头颈半侧显示颅骨、咬肌、颞肌等结构，眼眶内有眼球，在头颈部作矢状切面，颅腔容纳脑的半球，示鼻腔、口腔、喉部、喉腔、喉室、声门裂、甲状腺，胸腔内的两肺额状切面显示肺内结构，心脏作冠状解剖，表示左右房室的构造异同，心脏血管有上下腔静脉、肺动静脉、主动脉，供讲解大小血液循环应用，胸盖显示女性乳房外形及解剖状。模型包含：躯干、女性胸腔盖、头、眼球、脑、一块脊椎神经、肺2件、心2件、肝、肾、胃2件、肠4件、男性生殖器官2件、女性生殖器官带胎儿3件。 尺寸：高45cm 材质：PVC材料

XM-208两性躯干模型40件85CM   XM-208两性人体头、颈、躯干模型可拆分为40部件，显示两性人体内脏器官的位置及头部解剖的形态和构造，表现呼吸、消化、泌尿，生殖等主要人体解剖系统，头颈半侧显示颅骨、咬肌、颞肌等结构，眼眶内有眼球，在头颈部作矢状切面，颅腔容纳脑的半球，示鼻腔、口腔、喉腔、喉室、声门裂、甲状腺，胸腔内的两肺额状切面显示肺内结构，心脏作冠状解剖，表示左右房室的构造异同，心脏血管有上下腔静脉、肺动静脉、主动脉、供讲解大小血液循环应用，胸盖显示女性乳房外形及解剖状，带胸骨，后背打开可示脊柱、脊髓和脊神经的相互关系。模型包含：躯干、女性胸腔盖、头、眼球、脑8件、脊椎神经4件、肺4件、心2件、气管、食管和主动脉、横膈膜、肝、肾、胃2件、肠4件、男性生殖器官4件、女性生殖器官带胎儿3件。 尺寸：高85cm 材质：PVC材料

XM-209两性人体躯干模型20件55CM   XM-209两性人体头、颈、躯干模型可拆分为20部件，显示两性人体内脏器官的位置及头部解剖的形态和构造，表现呼吸、消化、泌尿，生殖等主要人体解剖系统，头颈半侧显示颅骨、咬肌、颞肌等结构，眼眶内有眼球，在头颈部作矢状切面，颅腔容纳脑的半球，示鼻腔、口腔、喉腔、喉室、声门裂、甲状腺，胸腔内的两肺额状切面显示肺内结构，心脏作冠状解剖，表示左右房室的构造异同，心脏血管有上下腔静脉、肺动静脉、主动脉、供讲解大小血液循环应用。模型包含：躯干、头、眼球、脑、肺2件、心脏2件、肝、胆、肾、胃2件、肠2件、男性生殖器官2件、女性生殖器官2件、脊椎神经。 尺寸：高55cm 材质：PVC材料

XM-634头颈部血管神经附脑模型   XM-634头颈部血管神经附脑模型由头颈部正中矢状切面（左侧半可向上移动）、颅顶、脑正中矢状切面、眼、左侧半胸锁乳突肌、三角肌、胸大肌、斜方肌、下颌骨、锁骨等19个部件组成，并显示头顶部正中矢状切面、颅顶、颅底、大脑半球、间脑、小脑和脑干各个部分，以及脑神经和脑血管等结构。 尺寸：自然大，34×37×20.5cm 材质：PVC材料

产品详细介绍德国莱卡LEICA MC170HD、MC120HD高清彩色数码摄像头联系方式： QQ 179520327 电话13910287536 MC170HD :500万有效像素、1/2.3" CMOS 、像元尺寸3.4 μm x 3.4 μm 、24bit 彩色深度MC120HD :250万有效像素、1/2.3" CMOS 、像元尺寸2.35 μm x 2.35 μm 、24bit 彩色深度LEICA MC120 HD、LEICA MC170HD 的优点：◇  无需计算机主机即可直接连接到具有HDMI接口的显示器上并可捕捉250万像素的静态或全高清的影片片段，并直接储存在可取出的 SD 卡上。（动态图像在1920*1080分辨率下达30帧/s），并通过遥控器进行独立操作。◇ 也可以通过USB接口连接到计算机主机通过 Leica 成像软件进行相关操作(动态图像最大分辨率1600*1200/10fps,1024*768/24fps)。◇ MC120 HD 分辨率为 250 万像素，是大多数显微镜应用的最佳选择。◇ MC170 HD 分辨率为 500 万像素，适用于在低放大倍率下摄取微小细节。◇ 在高清显示器上呈现超快速或高分辨率动态预览图像(720 p 或 1080 i/p)。◇ 出色的性价比和成本效率。◇ 设计符合人体工学，可在双目镜筒和高清显示器之间切换视图。◇ 通过相应的 C 型接口适配器可安装在任何带 C 型端口的显微镜上。◇ 可便捷地将高画质图像存储到 SD 卡，节约成本。◇ 可直接将全高清视频片段记录到 SD 卡 (MP4 格式)。◇ 通过红外遥控器可直接控制所有摄像头参数 (在高清模式下)。◇ 可直接在计算机上储存和管理所摄取的图像。◇ 最佳图像质量和锐度，无虚化，无反光。◇ 可通过自动、预定义或用户自定义三种方式选择摄像头参数。◇ 通过计算机供电和传输数据的 USB2 接口。◇ 包含标准 LAS 软件，便于进行摄像头控制、图像摄取、注释和测量。

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。