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高等教育领域数字化综合服务平台
高铁列控综合仿真培训系统
系统采用模拟仿真与实物相结合的方式，由C3高铁站、C2中继站、C2高铁站、C2区间、C3区间组成环形线路，使用现场真实数据，实现高铁列控系统功能和系统内各子系统之间的接口及逻辑关系，为高铁列控系统的学习、研究开发提供综合、专业的平台。已在西华大学、广东交通职业技术学院等高校应用。
兰州交通大学
2021-04-14
100吨/1000KN电液伺服井盖压力试验机
一、100吨/1000KN电液伺服井盖压力试验机设备主要用途：
微机控制电液伺服井盖压力试验机主要用于井盖的压缩强度试验。各种试验参数由计算机进行控制、测量、显示，集成度高，使用方便。
微机控制电液伺服井盖压力试验机专门对下水道篦子、铸铁井盖、钢纤维混凝土井盖、水箅盖再生树脂复合材料井盖等进行抗压强度试验（承载能力试验）。试验方法满足
CJ/T3012—93、JC/T889—2001、CJ/T121—2000、
CJ/T948-2005GB/T23858-2009《检查井盖》
CJ/T211-2005《聚合物基复合材料检查井盖》
CJ/T511-2017《铸铁检查井盖》
CJ/T1009-2006《玻璃纤维增强塑料复合检查井盖》
CJ/T327-2010《球墨铸铁复合树脂检查井盖》
CJ/T121-2000《再生树脂复合材料检查井盖》
CJ/T130-2001《再生树脂复合材料水箅》
CJ/T212-2005《聚合物基复合材料水箅》
CJ/T328-2010《球墨铸铁复合树脂水箅》等标准规定的试验要求。
二、100吨/1000KN电液伺服井盖压力试验机主要结构和功能特点：
该试验机主要由主机、油源、控制柜、试验力测量采集系统等部分组成。主机采用双立柱框架结构，结构紧凑，操作方便。油源采用试验机油源，系统压力高、噪音低、性能稳定。测量系统主要由高精度负荷传感器、残余变形测量装置采集数据。计算机显示试验力和变形量，具有清零、标定、增益调节、峰值保持等功能。
三、100吨/1000KN电液伺服井盖压力试验机主要技术参数
序号
技术名称
技术参数
1
试验力（kN）
1000
2
试验力测量范围
试验力的0-1000KN
3
试验力示值相对误差
≤示值的±1%
4
试验空间（mm）
300
5
立柱间距尺寸（mm）
1200*1200mm
6
活塞行程（mm）
0-300
7
试验力速度调节范围
1-3KN/S
8
试验机主机外形尺寸（长x宽x高约）（mm）
1400×1200×1750
9
主机重量（kg）
约2000
河北建仪仪器设备有限公司
2025-04-19
含氮有机络合剂的合成及其在硫酸铝中 除铁技术的应用
1.项目简介：目前，我国生产的硫酸铝的产品质量较低，主要表现在氧化铝的含量偏低（Al2O3≤17%）：铁离子含量过高（0.3~0.1%）。各生产厂家虽然投入了大量的人力和物力降低铁离子含量从而提高氧化铝的含量，但收效甚微。该项目中的含氮有机螯合剂是一种高效的铁离子螯合沉淀剂，在制备无铁或低铁工业硫酸铝中，与其它除铁试剂和方法相比，具有效率高，沉淀速度快，条件温和，工艺技术简单，成本低，无“三废”排放，经济效益和社会效益显著等特点；氮有机螯合沉淀剂用于硫酸铝母液中除铁，可以使固体硫酸铝产品中的含铁量从0.2%降至20ppm，达到无铁级标准。 高纯度的无铁离子硫酸铝广泛应用与高档纸品的生产。 2.技术特点： ①. 该技术除铁效果非常明显，产品经武汉市产品质量监督管理局检验化工站参照HG/T2225-2001标准方法检验，符合Ⅱ型一等品技术指标要求。 ②. 有机螯合沉淀剂的生产工艺简单，设备投资少；没有废酸、废水、废气等污染物排放。符合环保要求。 ③. 此技术应用到原有的硫酸铝生产工艺上无须较大的设备改造，即可达到理想的除铁效果。且该有机络合沉淀剂可回收重复使用。
武汉工程大学
2021-04-11
太阳能薄膜电池一种关键技术：磁控溅射制备微晶硅薄膜
目前在工业上广泛采用的CVD技术制备硅膜，工艺和设备复杂，成本高，且在安全和环保环节上投入巨大。我们在国内首创出了微晶硅薄膜的PVD法沉积工艺，在温度低于300度的条件下，在单晶硅片和普通玻璃片上制备出不同结晶度的微晶硅薄膜和纳米结构硅薄膜，可以得到具有高度<111>方向取向生长的微晶硅薄膜，并实现了控制工艺的稳定性和可重复性。利用磁控溅射技术成功实现微晶硅薄膜的制备是一项重大突破，从根本上克服了现有技术的缺点，具有绿色、高效、简单等优点。目前需要合作伙伴，把该实验室技术放大到工业规模。
大连理工大学
2021-04-14
一种激光溅射法制备CsPbBr3薄膜的方法
本发明阐述了一种激光溅射法制备CsPbBr3薄膜的方法。具体步骤为：先通过DMF、DMSO、环己醇、PbBr2、CsBr材料以溶液加热方法制备出足量的CsPbBr3单晶并压成靶材，再采用脉冲激光沉积薄膜制备技术：调整激光能量和基底温度，通过激光脉冲数控制薄膜厚度，真空沉积制备CsPbBr3薄膜。本发明利用脉冲激光沉积技术制备CsPbBr3薄膜，可实现均匀大面积薄膜的便捷制备，易于有效控制薄膜厚度并且节约材料，有利于该材料在太阳能电池的工业化生产与应用。
东南大学
2021-04-11
碲化镉薄膜太阳电池的产业化制造技术
本成果包含如下内容：高转换效率的小面积碲化镉太阳电池制造技术，面积为1200mm×600mm 的碲化镉太阳电池组件规模化生产技术，年产30-50MW碲化镉太阳电池生产线及关键设备的设计。 主要技术指标： 组件效率超过12%。 应用范围： 用于太阳能直接发电，建立大规模光伏电站或小型户用光伏发电系统。国家扶持光伏发电系统的建设，每年新建在10GW以上。由于是薄膜太阳电池，出口不会受到限制。 项目目前已进入产业化阶段，成果权属为我校独自拥有。
四川大学
2021-04-11
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11
金属和合金纳米粒子组装薄膜材料的气相制备技术
纳米粒子由于具有非常小的颗粒尺寸和大的比表面积，通常显示出许多不同于常规块体材料的电、磁、光和化学特性，在现代工业、国防和高技术发展中充当着重要的角色。随着科学技术的迅速发展，对材料性能的要求也越来越高，因此寻找一种可替代液相法的真空气相法来获得表面清洁纳米粒子的制备技术是开发具有优异性能新型纳米结构材料的迫切要求。特别是纳米粒子组装复合薄膜材料由于具有传统复合材料和现代纳米材料两者的优越性，成为一个重要的前沿研究热点，它有望将“传统功能材料”通过“纳米复合化”达到进一步提高和拓展材料性能的目的。
厦门大学
2021-01-12
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学
2021-04-11
一种超硬非晶碳薄膜的制备装置和工艺
项目为一种超硬的非晶四面体碳（ta-c）薄膜的制备装置和工艺，该薄膜具有极好的物理化学特性，在碳基薄膜中，是目前国际上公认的SP3键含量最高，超过85%，特性最接近天然金刚石的薄膜，硬度达到HV≥85Gpa，可见光和红外光透明，透光率达97%，吸收紫外光，达98%，薄膜均匀性好，薄膜平整度达0.2nm，摩擦系数≤0.08，电阻率达（1012Ω·cm），击穿电压3.5×106，（），热导率18（）,密度3.5（g/cm3），薄膜致密耐腐蚀作用极好。 该项目可用于高精度专有刀具、模具和摩擦滑动部件，提高使用寿命，减小摩擦，如手术和美容刀具、丝锥、PCB钻、拉丝模、冲压模具、压缩机滑块，滑动环等；用于视窗、镜片和传感器表面，可防止划伤，增强散热，利于红外光传递，等；用于激光透镜，可提高损伤阈值；用于射线辐射测量传感器，可抗射线辐射损伤，提高测量的灵敏度。
西安交通大学
2021-04-11