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制冷与空调电子教材(软件)
产品详细介绍
杭州蒙特信息技术有限公司 2021-08-23
电子科学计算器
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深圳市大雁电子有限公司 2021-08-23
电子科学计算器
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深圳市大雁电子有限公司 2021-08-23
电子.电工两用台
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浙江湖州立方教育用品有限公司 2021-08-23
电子装配工作台
技术规格:1. 外形尺寸:① 整体尺寸:约1600×800×1650mm(长×宽×高);② 桌面高度:780mm; ③ 桌面尺寸:1600×800mm(长×宽); ④ 挂板尺寸:约1500*300mm(长×宽)。 2. 材质: ① 整体架构:R15*70*70工业级铝型材,表面阳极氧化成本色;桌架主结构3030冷轧方钢管、1.5*20*80mm冷轧方钢管; ② 桌架连接件:承重型铝合金压铸件,表面抛丸后喷塑处理; ③ 桌面:25mm厚度高密度防火板,颜色为暖白色,环保阻燃; ④ 抽屉:钢制双抽屉斗箱一套(两只抽屉),表面喷塑处理,颜色为暖白色; ⑤ 电源线:符合国家标准,长2.5m,电源线芯为国标1.5平方铜芯; ⑥ 插座:250V/10A电源插座,符合国家标准。 ⑦ 防静电台垫:环保,无毒无味且耐用; ⑧ 挂板:材质为1.5mm冷轧电镀锌薄钢板,表面喷塑处理,颜色暖白色。 3. 样式: ① 1位总开关、1位指示灯、10位插座、整齐排列于插座面板上; ②  配置4只金属挂钩; ④ 工具挂板为两块,挂板上配置相关工具挂件; ⑤ 四只桌脚配有杯状式支脚,可调节桌位高度。 4. 安全指标: ① 电源:供电电源为AC220V,带电源指示灯、漏电保护、接地保护,保证使用者正常安全使用电路插座; ② 防静电胶皮:需环保,无毒无味且耐用; ③ 桌面:抗压防水不变形; ④ 插座面板:插座面板内部线路整齐排布,无裸漏铜线情况。  
镇江凯奇智能科技有限公司 2022-05-27
电子实训流水线
高端铝合金工作台
镇江凯奇智能科技有限公司 2022-05-27
电子装配工作台
可根据用户不同需求定制!
镇江凯奇智能科技有限公司 2022-05-27
一种改善电子传输材料醇/水溶性和电子注入特性的方法
本发明提供一种简单的酸处理方法以改善传统蒸镀型电子传输材料的醇/水溶性和界面修饰特性。传 统的蒸镀型含氮杂环类电子传输材料在醇类或水溶液当中的溶解性一般较差,不适合于制备全溶液加工 的有机电致发光器件。采用简单的酸处理方法将含氮芳杂环质子化进而改善其醇/水溶性,同时这些质子 化后的含氮盐具有良好的界面修饰特性。将这些含氮盐用作电子注入/传输层而应用于溶液加工法制备的 有机电致发光器件当中不仅能够显著提升器件的效率、减缓器件效率衰减,而且还能够简
武汉大学 2021-04-14
电工电子实验室设备,电工实验室,电子实验室
产品详细介绍本公司专业生产电工电子实验室设备,电工实验室设备,电子实验室设备
上海上益教学仪器有限公司 2021-08-23
低维半导体表界面调控及电子、光电子器件基础研究
本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长,解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题,开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究,主要技术创新点有: 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长,解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题,开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构,得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上,共计40余篇,授权专利16项;与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作,成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延,为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺,系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质,极大地拓展了传统的半导体光电材料体系;首次提出一种桥接的异质结构筑方式,大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒,获得了高性能二维异质结光电器件;发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法,调节晶体管特性为强增强型,利用这种设计,实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测,相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上,共计30余篇,授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控,首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型,实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器;利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性,在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性;通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管,使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限,有效降低了器件能耗;创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构,实现了器件高性能与多功能的集成,器件性能为当时最高指标;发展了新型存算一体架构电子器件技术,首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器,有望突破当前算力瓶颈,提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上,共计60余篇,授权专利7项。
武汉大学 2022-08-15
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