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XM-654C脑干神经核团
XM-654C脑干神经核团
XM-654C脑干神经核团显示脑干神经核团及传导。
尺寸：放大，30×30×52cm
材质：塑料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
XM-613脑室基底神经核模型
XM-613脑室基底神经核模型
XM-613脑室基底神经核模型示脑室的前角、后角、下角、第三脑室、中央水管等结构，基底核示豆状核，尾状核体、尾状核头、尾状核尾及脊侧丘脑等结构。
尺寸：9×10×8.5cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
发现太阳大气中磁通浮现时期的磁绳形成机制
利用磁场外推发现90%的事件在耀斑发生前存在磁绳结构，并且磁绳的三维结构比理论模型复杂得多。进一步的研究发现，当磁绳的torus不稳定性参数（即衰减因子）大于1.3或者kink不稳定性参数（即磁力线缠绕度）大于2时，90%以上的事件是爆发型耀斑；而且在所有事件中，利用以上两个参数可以成功判断70%耀斑事件的类型。因此，这两个参数及其阈值可以为预报耀斑是否爆发提供重要参考。 大气科学学院周振军副研究员及合作者通过分析2010年7月至2013年2月的16个失败太阳暗条爆发的磁场和三维爆发形态，给出了控制磁绳爆发的关键参量，除了经典的衰减因子以外，暗条顶部的旋转也是其中的一个重要影响因素。通过构建衰减因子和旋转角度的相空间分布，他们发现达到或超过衰减因子之后，所有的爆发都具有强的旋转（50°到130°）。这种旋转可能引发内部或者外部的磁场重联，进而破坏磁绳的结构，并最终导致失败爆发。这一成果说明磁场重联在决定磁绳是否爆发中起到了重要作用，突破了原有的单一控制因素决定磁绳爆发的理论。
中山大学
2021-04-13
具有巨霍尔效应的纳米铁磁金属颗粒薄膜磁敏材料
本项目将巨霍尔效应这一纳米体系的新效应应用于器件领域，以纳米铁磁金属颗粒薄膜替代现有霍尔器件的掺杂半导体活性层材料，是一个全新的技术，取得了多项具有原始创新性的技术成果，进一步推进了纳米材料在新材料技术、电子信息技术等领域的应用。相关成果已获国家发明专利授权九项。 纳米铁磁金属颗粒薄膜霍尔器件具有的工作温度宽、温度稳定性能优异、抗核辐射等优点，在微弱磁场探测、航天器的精确定位、导航以及军事装备等方面都具有十分重要的用途，市场前景广阔。
南开大学
2021-04-14
一种碳包覆的TiO2核壳复合纳米粉体的制备方法
姚亚东，男，1963年4月26日生，汉族，工学博士，四川大学教授。
四川大学
2021-04-11
一种碳包覆的TiO2核壳复合纳米粉体的制备方法
本发明公开了一种碳包覆的纳米级TiO2核壳复合粉体(可表示为TiO2@C)的制备方法。它是以廉 价的无定形的水合二氧化钛为氧化钛源，长链的液态烷烃混合物(C11-C12)作为碳源，通过回流原位包覆有 机碳链，再经真空条件下的一定温度热处理制得TiO2@C纳米粉体。该方法具有碳源、氧化钛源来源廉价 且碳源可以反复循环使用，包覆的碳量可控可调，工艺操作简单、易于工业化等优点。
四川大学
2021-04-11
一种核壳中空结构MoO3@mSiO2微球的制备方法及应用
（专利号：ZL 201310397776.7） 简介：本发明公开了一种制备MoO3@mSiO2微球的方法，属于纳米材料制备技术领域。该制备方法利用十六烷基三甲基磷钼酸铵为核，采用溶胶凝胶法包覆一层SiO2，然后煅烧得到核壳中空结构的MoO3@mSiO2微球。该MoO3@mSiO2微球分散性好，粒径200～900nm，具有核壳中空结构，核是MoO3，壳是多孔SiO2。该微球对催化乙酸和丁醇合成乙酸丁酯的酯化反应具有很好的催化效果，其在反应温
安徽工业大学
2021-01-12
一种核壳中空结构WO3@mSiO2微球及其制备方法和应用
（专利号：ZL 201310428729.4） 简介：本发明公开了一种制备WO3@mSiO2微球及其制备方法和应用，属于纳米材料制备技术领域。该制备方法利用十六烷基三甲基磷钨酸铵为核，采用溶胶凝胶法包覆一层SiO2，然后煅烧得到核壳中空结构的WO3@mSiO2微球。该WO3@mSiO2微球分散性好，粒径500～600nm，具有核壳中空结构，核是WO3，壳是多孔SiO2。该微球对以油酸和甲醇为原料合成油酸甲酯（生物柴油）的酯化反应具有很好的
安徽工业大学
2021-01-12
一种流延成型制备金属软磁复合材料的方法
本发明公开了一种流延成型制备金属软磁复合材料的方法。其主要步骤为：1）将钝化剂和溶剂按照钝化剂质量分数为0.1%-5%混合起来得到钝化液，将钝化液和磁性金属粉末按照质量比为0.01-1混合，搅拌，烘干，得到钝化粉；2）将钝化粉和有机溶剂，分散剂，粘结剂，增塑剂混合，搅拌均匀，并经过筛网过滤，除泡，制备得均匀弥散的浆料；3）流延成型；4）干燥，固化处理。本发明的优点是利用流延法制备的金属软磁复合材料具有电阻率高，饱和磁通密度较传统铁氧体高的特点。利用较成熟的流延工艺使薄膜金属软磁复合材料的生产工艺简单化，成本降低，在薄膜电感等电子器件的制备中有广阔的应用前景。
浙江大学
2021-04-11
基于铜耗最小的轴向磁场磁通切换容错电机容错控制方法
本发明公开了一种基于铜耗最小的轴向磁场磁通切换容错电机容错控制方法，使轴向磁场磁通切换容错电机发生单相断路故障时能够运行在容错状态，并使电机的铜耗最小化。逆变器采用三相四桥臂容错拓扑，根据相电流判断故障状态。当正常运行时，逆变器工作在三相三桥臂模式下，轴向磁场磁通切换容错电机控制系统采用ｉｄ＝０的ＳＶＰＷＭ控制策略，分配ｄ轴、ｑ轴电流；当发生单相故障时，进行容错控制，逆变器工作在两相三桥臂模式下，并通过控制容错绕组电流给电机增磁，使电机整体的铜耗最小化。本发明在单相断路情况下，以铜耗最小为优化目标，
东南大学
2021-04-14