基于FPGA平台的图形显示IP核，可以将不同航空总线协议数据携带的图形显示信息进行处理并存储，同时设计和开发了相应的嵌入式系统，将图形信息可视化的显示在机载显示器中。协议处理IP核与嵌入式系统驱动及显示应用程序都具有可复用性，可以通过简单的修改适应不同总线协议的显示需求。 本系统不仅仅适用于机载显示，还适用于诸如监控显示，汽车等交通工具的图形显示。 机载座舱图形显示系统能够实时处理1Mbits以上的总线协议，相对于国外封闭的IP核技术，本技术IP核具有开源性，便于剪裁复用后应用到更广泛的领域。研制的后端图形显示系统基于嵌入式Linux，采用Qt图形库，具有开源性，可根据不同需求扩展功能，方便移植。

准备了高效红、绿、蓝量子点和纳米材料，无机量子点材料在发光、显示、太阳能 电池、生物医学领域都有广泛的应用前景。如下图为蓝光量子点材料的图谱。 利用制备的 ZnO 纳米阵列首次得到了色纯度较高的有机复合/无机紫外 LED，实现了室温下 ZnO 纳米棒在 380nm 附近的电致发光。并利用所制备的 ZnO、TiO 量子点和纳米材料，实现在太阳能电池领域的应用，提高了有机太阳能电池的效率。

采用可聚合的甲基丙烯酸月桂酯为溶剂，以热注射法制备钙钛矿量子点，直接与低聚物和引发剂混合，通过紫外光聚合原位制备高质量的量子点-高分子复合薄膜。与经典的十八烯体系纯化后制备的量子点-高分子复合薄膜相比，甲基丙烯酸月桂酯体系制备的薄膜具有更优异的光学性能，绝对荧光量子产率超过90%，超过了传统镉基量子点薄膜。该课题组采用高绝对荧光量子产率的绿光发射的复合薄膜和红色发射荧光粉（KSF）作为液晶背光中蓝光发光二极管（LED）的下转换荧光材料所制备的原型显示器件，在国际照明委员会（CIE）1931颜色空间中的色域覆盖率为115%，超过传统的镉基量子点显示器件10%以上，同时还具有优异的低蓝光健康护眼的特性。此外，该显示器件具有很好的耐高温高湿和耐强光老化性能。这些为发光量子点材料在新一代广色域显示器件中的应用奠定了基础。

实现了基于线性光学系统的量子有限状态自动机的研究。该量子自动机使用3个空间状态，即可解决判定输入整数是否为某一质数P的整数倍的问题，而使用经典的自动机解决同样问题至少需要P个空间状态。该工作首次在实验上实现了量子自动机的运行并验证了其相比于经典自动机的空间资源高效性，在该领域具有开创性的作用。

准备了高效红、绿、蓝量子点和纳米材料，无机量子点材料在发光、显示、太阳能电池、生物医学领域都有广泛的应用前景。如下图为蓝光量子点材料的图谱。  纳米材料的透射电子显微镜图谱，其中右下角的插图分别为各自在紫外灯照射下的数码照片 利用制备的ZnO纳米阵列首次得到了色纯度较高的有机复合/无机紫外LED，实现了室温下ZnO纳米棒在380nm附近的电致发光。并利用所制备的ZnO、TiO量子点和纳米材料，实现在太阳能电池领域的应用，提高了有机太阳能电池的效率。

提出一种基于超构表面透镜双焦点辐射的量子点单光子源结构，该结构对位于双焦点上的量子点和其镜像的辐射光子能实现方向可控的准直出射，并能同时实现左右旋偏振态的按需调控。为提高光子的收集效率，在结构背部设置有一面反射镜，反射光子可以等效为量子点镜像发射的光子。实验制备该量子光源的最大挑战在于如何精确地把量子点和其镜像集成在超构表面透镜的双焦点上。王雪华教授团队通过发展超构表面制备技术和前期研究“三高”量子纠缠光子源【Nature Nanotechnology 14，586（2019）】所发展的定位精度达10纳米的荧光成像精确定位技术，实现了量子点和其镜像与超构表面透镜双焦点的精确重合，演示了到目前为此所报道的最小发散角（3.17度）的准直出射，并实现了左、右旋偏振态分离可调且偏振度达88%的按需调控单光子源。该研究工作提供了基于超构表面调控量子光源的新方案，为推进量子光源性能的按需调控和实用化向前迈出了非常重要的一步。

1. 痛点问题 激光雷达技术存在固有缺陷，造成安全隐患与高昂成本。激光雷达技术主要有以下三个缺点： 1）远距离探测会漏视目标，点云图观看舒适度极低。激光雷达使用点扫描方式探测距离，探测距离越远像点间隔越大，像点之间有漏视问题。激光雷达采用点扫描方式形成点云图，对人眼而言无法直接辨识目标； 2）激光信号易受干扰，造成严重安全隐患；不同激光雷达之间会产生干扰，因为光谱资源有限，这是无法克服的问题； 3）结构复杂、成本高，工业生产难度大。激光雷达使用多线激光提高扫描速度，对生产工艺要求极高。机械转动产生的磨损会直接影响激光雷达的寿命及电机控制的精度，需要定期调校和维护。 2. 解决方案 清华大学物理系的科研团队，经过八年的研究，业内首次实现了芯片级的量子关联成像系统，相关算法和硬件系统获得了国家发明专利。 量子关联成像技术能为智能设备安装“眼睛”，实现成像与3D测绘功能，核心专利是量子物理算法，以低成本实现高精度测绘与成像，有效弥补了激光雷达技术的重大应用缺陷，为获取高空间分辨率的3D测绘提供了全新的技术手段。 寻求有开发ASIC芯片、硅光芯片和电子器件产品经验的企业开展业务合作。

产品详细介绍磁光效应系统是研究磁性薄膜、磁性微结构以及样品磁化强度和样品各向异性最理想的测量工具。是一种基于磁光效应原理设计的超高灵敏度磁强计.具有测量精度高、测量时间短等优点。可以产生平滑、稳定的受控磁场，并且磁场平滑过零。可以逐点测量也可以扫描测量，方便易懂的测量软件以及友好的交互界面为测量提供了有力保障。本套磁光效应系统是广大科研工作者的有利工具.磁光克尔系统功能和特点：测量灵敏度高，准确度高。非接触式测量，是一种无损测量。可以测量同一样品厚度不等的楔形磁性薄膜。可以将样品放到真空中原位测量。可以测量同一样品不同部位的磁化情况。

产品详细介绍根据大量的研究揭示：参加材料导电过程的不仅有带负电的电子，还有带正电的空穴。然而，学生对空穴导电的理解往往比较空泛，因此，我们应物理教学委员会的要求，设计了变温霍尔效应测试系统，供各院校物理系、材料系、电子学系等相关科系开展高年级学生实验。本仪器系统经多次改进，充分考虑了性价比和学生实验的安全性要求，极为适宜实验教学。该仪器系统还是教育部两次实行贷款国际招标的中标产品。其具有如下特点：    ◆  选用高灵敏度的标准样品。其霍尔电压较高，用4位半的微伏 表即可完成测量。因此大大降低了测量系统的造价；    ◆  可换向永磁体是专门为本实验研制的，其造价低、使用安全、磁极换向直观方便；    ◆  测量系统集中到一台仪器上，操作简单，接线方便；    ◆  自带一个N型耐低温霍尔片，其在室温附近已经标定，可以用来测磁场。在全温区可与P型样品对照霍尔电压方 向及大小的变化。    ◆  可用于中低阻样品的科学研究。本仪器系统在学生实验中涉及较为丰富的教学实验内容    变温霍尔效应实验已列入近代物理实验的低温、固体物理实验中。我公司生产的这套设备适用温区广，所选标准样品在低温下是典型的P型半导体，在室温下又是典型的N型半导体，其待测量的霍尔电压信号强，但对磁场强度的要求并不高，使用简便，性价比高，受到各近代物理实验室欢迎。在做学生实验方面有如下特点：     ▲ 学生可以打开恒温器尾部，观察一个实际实验样品是如何安装和焊接引线的，为将来从事科研工作打下一定基础     ▲ 了解低温恒温器的结构和如何减少固体漏热、辐射漏热、气体分子运动漏热     ▲ 实验前要对恒温器夹层抽真空，实践如何使用真空泵产生与测量真空     ▲ 应用已标定的霍尔片，测量可换向永磁体的中心磁场或其它磁场     ▲ 学习加注液氮，掌握低温流体的特性、使用安全注意事项和低温实验的基本技能     ▲ 了解温度的测量和低温温度的控制     ▲ 实测两种载流子的霍尔电压，验证P型导电到N 型导电的转变    同时，本仪器可扩展用于科研。即，焊脱恒温器内随机样品的引线，换上用户样品，即可用于科学研究。二、霍尔效应系统适用范围    本仪器可用于霍尔效应、载流子类型、载流子类型转变的演示和学生实验。也可焊脱恒温器内随机样品的引线，换上用户的样品，用于科学研究；例如研究变温磁阻、超导、电阻温度特性、变温光电、变温磁光（需另购带光学窗口的尾套）等。具有用途广、造价低、使用方便的特点。三、霍尔效应系统组成    本仪器系统由可换向永磁磁铁、CVM－200霍尔效应仪、连接电缆、SV－12变温恒温器、控温仪、和装在恒温器内冷指上的霍耳探头、标准样品组成。为本仪器系统专门研制的CVM－200霍尔效应仪将恒流源，四位半微伏表及霍耳测量复杂的切换继电器——开关组装成一体，大大减化了实验的连线与操作。CVM－200表还可单独做恒流源、微伏表使用。四、霍尔效应系统主要技术指标    此处只列出系统的主要技术指标。    ▲ 磁    场：  大于3500高斯    ▲ 样品电流：2纳安~200毫安    ▲ 测量电压：2微伏~19.999毫伏    ▲ 控温精度：可达±0.2℃/30分钟（与实验技巧有关）    ▲ 最小分辨率：0.01℃/K    ▲ 变温范围：80K--320K    ▲ 恒温器液氮容量：200毫升    ▲ 静态液氮保持时间：4~-6小时（与预抽真空有关）     说明：本系统各部件均有独立的使用说明和详细的技术指标，请参阅。