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一种核壳结构颗粒材料的制备方法
本发明公开了一种核壳结构颗粒材料的制备方法,首先选择等电位点差异较大而且分别为纳米级和微米级粒度的两种颗粒分别做为介层材料和核体材料,使两种颗粒在水溶液中通过静电自组装形成核-介层复合颗粒骨架,然后在核-介层复合颗粒表面生成壳层,最后研磨并筛分得到从内至外为核-介层-壳层结构的核壳结构颗粒材料。该制备方法在核壳结构中引入纳米介层,克服了原本的核壳结构颗粒材料的核体和壳层结合强度不高,或者直接结合生成副产物的问题,达到可控制备高性能颗粒材料的目的。
华中科技大学 2021-04-13
XM-D023锥体系(皮质核束)电动模型
XM-D023锥体系(皮质核束)电动模型   XM-D023锥体系(皮质核束)电动模型演示面神经、舌下神经的核上下瘫和皮质核束的正常通路。   一、显示内容: ■ 椎体系:演示由中央前回和中央旁小叶前部的巨型椎体细胞和其他类型的椎体细胞以及额、顶叶部分区域的椎体细胞的轴突共同组成椎体束,其中一部分下行至脊髓的纤维束,另一部分止于脑干脑神经运动核的纤维束。 ■ 面神经核核上瘫:演示核上运动神经元受损,产生对侧眼裂以下的面肌瘫痪,表现病灶为对侧鼻唇沟消失,口角低垂并向病灶侧偏斜,流涎,不能鼓腮、露齿等。 ■ 面神经核核下瘫:演示面神经核核下神经元受损,可致病灶侧所有面肌瘫痪,额横纹消失,眼不能闭,口角下垂,鼻唇沟消失等。 ■ 舌下神经核核上瘫:演示舌下神经核核上神经元受损,可产生伸舌时舌尖偏向病灶对侧。 ■ 舌下神经核核下瘫:演示舌下神经核核下神经元受损,可产生全部舌肌瘫痪,伸舌时舌尖偏向病灶侧。   二、技术参数: ■ 尺寸:34×34×81cm ■ 材质:PVC材料+木框   三、标准配置: ■ XM-D023锥体系(皮质核束)电动模型:1台 ■ 电源线:1根 ■ 说明书:1册 ■ 保修卡合格证:1张
上海欣曼科教设备有限公司 2021-08-23
XM-617C脑干及下丘脑核团模型
XM-617C脑干及下丘脑核团模型   XM-617C脑干及下丘脑核团模型可拆分为4部件,主要显示了脑干的形状结构和间脑神经核团,脑干部除可观察延髓、脑桥、菱形窝和中脑的形态外,还可观察第Ⅱ至Ⅻ对脑神经在脑干部位,间脑可观察到上丘脑、背侧丘脑、后丘脑和下丘脑,在背侧丘脑和下丘脑部显示了各主要核团。 尺寸:放大,14×11×22cm 材质:PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司 2021-08-23
带数字标识内囊与基底神经核解剖模型
XM- 644A内囊与基底神经核解剖模型(带数字标识)   XM-644A带数字标识内囊与基底神经核解剖模型可拆分为2部件,显示了脑部内囊与基底神经核各部分解剖结构的外形及位置,以及半侧脑干及脑神经附着部位,左半侧显示丘脑、尾状核、杏仁体、豆状核的形态位置及相互的关系,豆状核上外髓板外为壳,内为苍白球;右半侧显示内囊,内囊是在尾状核、背侧丘脑与豆状核之间,上下交错穿行的投射纤维,在模型中用彩色氛围表示投射纤维的不同去向,共有多个部位数字指示标志和对应的文字说明。 尺寸:12×12×12cm 材质:PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司 2021-08-23
脑干及下丘脑核团模型XM-617C
XM-617C脑干及下丘脑核团模型   XM-617C脑干及下丘脑核团模型可拆分为4部件,主要显示了脑干的形状结构和间脑神经核团,脑干部除可观察延髓、脑桥、菱形窝和中脑的形态外,还可观察第Ⅱ至Ⅻ对脑神经在脑干部位,间脑可观察到上丘脑、背侧丘脑、后丘脑和下丘脑,在背侧丘脑和下丘脑部显示了各主要核团。 尺寸:放大,14×11×22cm 材质:PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司 2021-08-23
酸性烤蓝工艺制备高饱和磁通密度软磁复合材料的方法
本发明公开了一种酸性烤蓝工艺制备高饱和磁通密度软磁复合材料的方法。采用酸性烤蓝工艺在软磁合金粉末表面包覆由尺寸均匀的纳米Fe3O4形成的包覆层,经粘结、压制成型、热处理工艺,制备新型的软磁复合材料。本发明的优点是:采用酸性烤蓝工艺制备Fe3O4方法简单,并且容易控制Fe3O4层的厚度, 由于该反应是原位反应,因此制备的绝缘层致密,与磁粉的结合度高。与传统的软磁复合材料相比,由于绝缘层为亚铁磁性的Fe3O4,有效减少了磁稀释现象,从而可以得到具有高饱和磁通密度、高磁导率的软磁复合材料。
浙江大学 2021-04-11
碱性烤蓝工艺制备高饱和磁通密度软磁复合材料的方法
本发明公开了一种碱性烤蓝工艺制备高饱和磁通密度软磁复合材料的方法。采用碱性烤蓝工艺使磁粉表面氧化生成一层均匀的Fe3O4的绝缘层,然后经粘结、压制成型、热处理工艺,制备新型软磁复合材料。本发明的优点是:采用碱性烤蓝工艺制备的Fe3O4是在软磁粉末的表面原位生长,因此绝缘包覆层与磁粉之间结合度高,并且包覆均匀致密;由于Fe3O4具有较高的电阻率,因此具有较好的绝缘效果;另一方面,用亚铁磁性的Fe3O4作为绝缘包覆剂,克服了传统非磁性物质作为包覆剂的磁稀释现象,可以获得更高的磁导率及磁通密度;碱性烤蓝工艺操作简单,成本较低,有利于实现工业化生产。
浙江大学 2021-04-11
一种基于缺陷磁泄漏域反向场的漏磁检测方法与装置
本发明公开了一种基于磁真空泄漏原理的漏磁检测方法及其装置。该方法为①将待检测导磁构件磁化;②在上述被磁化的导磁构件外围,剔除已有背景磁场,形成磁真空区域;③采用磁敏元件布置于磁真空区域,拾取无磁压缩效应的缺陷漏磁场并转化为电压信号,如果电压信号中存在突变,则说明待检测导磁构件中存在缺陷,否则无缺陷。装置采用穿过式线圈对被检测导磁构件实施局部磁化,以便激发出该磁化区域内导磁构件上缺陷的漏磁场;在其内腔布置永磁体对,产生反向磁场与原背景磁场叠加抵消,形成磁真空区域以供缺陷的漏磁场泄漏扩散进来,同时消除由
华中科技大学 2021-04-14
差示扫描量热仪
差示扫描量热仪是一种测量参比端与样品端的热流差与温度参数关系的热分析仪器,主要应用于测量物质加热或冷却过程中的各种特征参数:玻璃化转变温度Tg、氧化诱导期OIT、熔融温度、结晶温度、比热容及热焓等。
上海和晟仪器科技有限公司 2025-05-06
新型磁致伸缩材料与应用
一、 项目简介磁致伸缩材料具有磁致伸缩大、能量密度高、响应速度快等特点,在功率换能器、精密控制系统、传感器等方面得到广泛应用。针对磁致伸缩材料存在的制备工艺复杂、难于制备复杂形状及高频特性差等问题,提出一种方法来制备磁致伸缩材料。应用制备的材料研制了换能器与传感器等,在企业和大专院校得到应用。二、 项目技术成熟程度已完成实验工作,进入中试阶段,部分产品得到应用。三、 技术指标取向Tb-Dy-Fe合金样品在40 kA/m磁场下的磁致伸缩为1000×10-6。粘结Sm-Dy-Fe合金样品在低磁场下具有较高的磁致伸缩数值,当磁场为100 kA/m时,磁致伸缩可达265×10-6。Fe-Ga合金样品在10 kA/m磁场下的磁致伸缩为260×10-6。获得实用新型专利,已申报发明专利。四、 市场前景材料在功率换能器、精密控制系统、有源消振及传感器等方面得到广泛应用,市场前景广阔。五、 规模与投资需求根据生产规模确定。六、 生产设备真空熔炼炉、模具、压机等。七、 效益分析按每年生产4吨计算,可获利约1500-2000万,八、 合作方式面谈。九、 项目具体联系人及联系方式王博文, 翁玲: 电话:022-60204363;E-mail: bwwang@hebut.edu.cn
河北工业大学 2021-04-11
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