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关于晶体表界面调控的“变异和遗传”生长机制的研究
研究团队创造性提出晶体表界面调控的“变异和遗传”生长机制,在国际上首次实现种类最全、尺寸最大的高指数晶面单晶铜箔库的制造。
北京大学 2021-04-11
多元化合物半导体单晶的制备方法与生长装置
一种多元化合物半导体单晶的制备方法,工艺步骤为:①清洁坩埚,②装料并除气封结,③晶体生长,④退火与冷却。与该方法配套的单晶生长装置含有可移动下炉加热器及含有中部辅助加热器的单晶生长炉,它可以灵活根据多元化合物的结晶习性,实现对结晶温度梯度区的温场调节,获得化合物单晶生长所需的窄温区、大温梯的结晶温场分布,维持固-液界面的稳定,实现单晶体的平界面生长。使用该生长装置,采用坩埚下降法可成功生长出外观完整、结晶性能好的多种多元化合物半导体单晶体。
四川大学 2021-04-11
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作,成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长,相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异,能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求,对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底,GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点,Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底,其表面原子结构为三重排列,可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而,Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底,获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称,外延生长时无法有效匹配;同时Si(100)表面存在二聚重构体,导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层,在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长,并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础,而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学 2021-04-11
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS(互补金属氧化物半导体)技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制,需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质,有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料,进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求,二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而,现有二维半导体材料体系(过渡金属硫族化合物、黑磷等)薄膜制备仍未满足现实要求,因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备,率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体(硒氧化铋,Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统,在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3,LaAlO3,或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上,利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用,促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性,可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率(>150 cm2/V s)、大的电流开关比(>105)和较高的开态电流(45μA/μm)。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学 2021-04-11
单壁、少壁碳纳米管的水分辅助CVD可控生长
CNT纯度>99%(无须后处理),CNT阵列高度10m-1mm,CNT直径2nm-15nm。技术创新点: 采用水分辅助CVD技术,催化剂效率大大提高,可获得极高的碳纳米管纯度。
上海理工大学 2021-04-13
王强课题组揭示母源肥胖诱发胚胎缺陷的分子机制
近日,我室王强课题组与军科院放射医学研究所舒文杰合作在Nature Genetics杂志上发表了题为“Embryonic defects induced by maternal obesity in mice derive from Stella insufficiency in oocytes”的研究论文,发现了卵母细胞中Stella蛋白在介导母源肥胖对胚胎表型影响过程中的分子途径。 肥胖是全球重要的健康问题。人群中女性肥胖与早期妊娠失败以及出生缺陷等密切相关,但母亲肥胖是如何影响胚胎发育和子代健康的分子机制尚缺乏足够的认识。课题组首先利用高脂饲养(HFD)的雌性肥胖小鼠模型,证实母源肥胖导致了胚胎发育迟缓与阻滞;并通过组学比较分析了正常和肥胖小鼠卵母细胞中蛋白表达差异,发现HFD小鼠卵子中Stella蛋白含量显著减少。在此基础上,进一步揭示了HFD合子表观不对称性的建立出现了异常,表现为母源5mC水平下降及DNA损伤增加。在HFD小鼠卵母细胞中过表达Stella不仅能够部分阻断受精卵中的DNA甲基化异常,而且还改善了母源肥胖相关的胚胎发育缺陷。本研究对于揭示母源营养影响早期胚胎及后代发育的分子机制提供了新的基础理论,具有重要的科学意义和潜在的应用价值。 南京医科大学生殖医学国家重点实验室博士生韩龙森和李玲,以及军科院博士生任超为共同第一作者。本研究工作得到了南京医科大学沙家豪教授和郭雪江教授的大力支持。该课题得到了国家973计划、国家重点研发项目以及国家自然科学基金项目的资助。
南京医科大学 2021-05-08
高产高糖强宿根新品种福农41号通过国家鉴定
植株高大,中大茎;节间园筒形,有短浅芽沟;蔗茎均匀,叶鞘黄绿,易脱叶,57号毛群不发达;叶片浓绿,叶片较长;内叶耳为三角形。萌芽快而整齐,出苗率较高,分蘖较早,分蘖力较强,主茎和分蘖差异小。前中期生长快、中后期生长稳健,宿根性能较好。抗黑穗病,中抗花叶病,抗旱性较强。属中熟、高糖、丰产品种。
福建农林大学 2021-04-29
高可信强智能的心脑血管疾病诊疗服务模式解决方案
一、项目简介 本项目以心脑血管诊疗数据为研究对象,以建立三级协同诊疗服务模式为目标,围绕心脑血管诊疗装备网络共享、多元异构医疗信息智能提取、协同诊疗、国家级协同诊疗服务模式及评价体系四个科学问题,在数据获取与资源共享,知识提取与协同诊疗,三级诊疗服务模式三个层次上开展装备网络协同共享、智能信息提取与知识发现、基于人工智能的心脑血管疾病智能诊疗、医疗服务体系及大数据安全关键技术研究和三
厦门大学 2021-01-12
面向复杂异构环境的双因素强安全认证关键技术研究
项目面对海量庞杂、异质多源、大范围社会与网络关联的复杂应用环境下的身份安全认证这一世界性难题,在深刻分析网络犯罪特性、人群网络习惯和网络安全发生规律的基础上,自主研发了面向复杂异构应用环境下的信息片交叉验证模型和方法,形成了高度自适应的多协议广义双因素安全认证解决方案,平滑了协议与系统的差异,解决了复杂异构应用环境下更高水平的大规模、精细化、强安全身份认证,提高了系统帐户、口令和权限管理力度,实现了统一的认证、帐号、权限、审计管理,并取得了重要突破。项目研制成果取得了7项国家计算机软件著作权登记证书
电子科技大学 2021-04-14
生长因子类蛋白植物油体生物反应器研制
随着新功能基因的分离,克隆以及各种农作物高效表达技术平台的逐步建立,植物反应器的研究越来越深入.本实验利用拟南芥(Arabidopsis thaliana)油体系统表达植物油体蛋白-角质细胞生长因子-2(Keratinocyte growth factor-2,KGF-2).首先人工合成植物密码子偏好性的KGF-2基因,并通过PCR技术克隆了拟南芥油体蛋白Oleosin基因,构建由种子特异性启动子驱动的,含有油体蛋白和KGF-2融合基因的植物油体特异表达载体;通过农杆菌介导法转化野生型拟南芥,采用Basta筛选之后,获得26株转基因拟南芥.
吉林农业大学 2021-05-04
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