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三
相
400Hz中频静变电源
产品详细介绍简介 本系列产品是采用高频电力电子开关变换技术,专门为航空及军用电子电气设备设计制造的400Hz静止变频电源,可用于飞机及机载设备、雷达、导航等军用电子设备,以及其它需要400Hz中频电源的场合,是机组式变频电源的换代产品。本产品电压、频率均有±20%的调节范围,适用于三相平衡负载,指定相也可作为单相电源使用。 特点 1、采用SPWM专用芯片,控制精度高,波形品质好,可适应各种负载 2、IPM高频静止逆变,体积小、重量轻、噪音低、效率高 3、微处理器控制,输出电压频率在线可调,运行及故障状态一目了然 4、适用于三相平衡负载,指定相可作单相电源适用 5、操作显示可选用中文LCD面板、数字LED面板,使用灵活方便,使您更为得心应手 6、单独使用或装19"标准机柜均可执行标准 《GJB181-86 飞机供电特性及对用电设备的要求》 《GJB572-88 飞机地面电源供电特性及一般要求》 《Q/AK004-2001 静止式变频电源技术条件》 技术参数 型号 0.5,1,2kVA 3,6kVA 10,15,20,30kVA 45,60kVA 输入电压 220V±10% 220V±10% 三相四线 380V±10% AC 三相三线 380V±10% AC 三相三线 380V±10% 输入频率 50Hz±5% 50Hz±5% 50Hz±5% 50Hz±5% 输出额定容量 0.5,1,2kVA 3,6kVA 10,15,20,30kVA 45,60kVA 输出额定频率 400Hz 400Hz 400Hz 400Hz 输出额定电压 三相四线 21/36V,115/200V 可选 三相四线 115/200V 三相四线 115/200V 三相四线 115/200V 调压范围 额定值±20% 额定值±20% 额定值±20% 额定值±20% 调频范围 400Hz±20% 400Hz±20% 400Hz±20% 400Hz±20% 电压稳定精度 ≤±2% ≤±2% ≤±2% ≤±2% 频率稳定精度 ±0.01% ±0.01% ±0.01% ±0.01% 总谐波含量 <5% <3% <3% <3% 负载功率因数 0.6(滞后)~0.9(超前) 0.6(滞后)~0.9(超前) 0.6(滞后)~0.9(超前) 0.6(滞后)~0.9(超前) 躁声 <55dB <60dB <65dB <65dB 操作显示方式 中文LCD或数字LED触摸面板 中文LCD触摸面板 LED数字表、指示灯显示、按钮操作 LED数字表、指示灯显示、按钮操作
济南奥科仪器有限公司
2021-08-23
九按头,二
相
感应电动机
九按头,二相感应电动机,带离心开关。 备注:以上是九按头,二相感应电动机的详细信息,如果您对九按头,二相感应电动机的价格、型号、图片有什么疑问,请联系我们获取九按头,二相感应电动机的最新信息。 咨询电话:0577-67473999
温州市育人教仪制造有限公司
2021-08-23
Inertsil CN-3 氰基液
相
色谱柱
产品详细介绍Inertsil CN-3:Inertsil CN-3是在高纯度球状硅胶上键合了氰丙基的色谱柱,基于氰基三键的π电子作用以及氮的孤对电子作用力,对极性化合物有独特的选择性,适合应用于正相分离。当用于反相系统时,其选择性与C8和C18不同。在药学领域和复杂混合物的分离中应用广泛。Inertsil CN-3一般保存在正己烷/乙醇溶液中,当作为反相色谱柱使用时,务必用能与两种流动相互溶的溶剂,如异丙醇进行过渡置换,再用流动相进行平衡。 --------------------------------------------------------------------------------色谱柱参数:※基体:3系列高纯度硅胶※粒径:3µm,5µm※微孔径:100Å※化学键合基团:氰丙基※端基封尾:无※含碳量:14%※USP号:L10 --------------------------------------------------------------------------------订货信息: 5µm 长度/内径(mm) 2.1 3.0 4.0 4.6 33 5020-05311 5020-05321 5020-05331 5020-05341 50 5020-05312 5020-05322 5020-05332 5020-05342 75 5020-05313 5020-05323 5020-05333 5020-05343 100 5020-05314 5020-05324 5020-05334 5020-05344 150 5020-05315 5020-05325 5020-01942 5020-01940 250 5020-05316 5020-05326 5020-01943 5020-01941 【保护柱】 填料名 粒径 长度(mm) 目标色谱柱的内径(mm) 内径(mm) 更换用小柱E(2根一组) 更换用小柱E套件(小柱E2根+小柱保护柱套) Cat.No. Cat.No Inertsil CN-3 3µm、5µm 10 1.0 1.0 5020-08517 5020-08527 1.5、2.1 1.5 5020-08518 5020-08528 2.1、3.0 3.0 5020-08515 5020-08525 4.0、4.6 4.0 5020-08510 5020-08520 20 2.1、3.0 3.0 5020-08565 5020-08575 4.0、4.6 4.0 5020-08560 5020-08570 --------------------------------------------------------------------------------
深圳市诺亚迪化学科技有限公司
2021-08-23
低成本非真空
铜
铟硒(CIGS)薄膜太阳电池制造技术
CIGS 薄膜太阳电池具有效率高,无衰退、抗幅射、寿命长等特点,采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本,预计可达到0.3$/W。 本项目产品结构为:衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al;其中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体,其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层,构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池上产生电子与空穴,被 p-n 结的自建电场分离,从而输出电能。工艺流程:普通钠钙玻璃清洗→Mo 的溅射沉积→非真空法分步电沉积Cu-In-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理(RTP)→化学水浴法沉积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积→Ni/Al 电极沉积,等。
南开大学
2021-02-01
低温柔性大面积 CIGS(
铜
铟镓硒)太阳电池
以轻质高分子聚合物聚酰亚胺(简称 PI)为柔性衬底的 CIGS 电池不但保持着玻璃衬底太阳电池的一些优良性能,同时还具备不怕摔碰、可卷曲折叠、在制作中可按要求剪裁等特点,具有更广阔的应用前景。PI 薄膜不吸水、绝缘性能好、重量轻(70g/m2)、厚度薄(仅为 0.05mm)、表面光滑及可弯曲等特点,是高功率重量比太阳电池的首选衬底材料,其功率重量比可高达 2000W/Kg(未封装),并且由于 PI 衬底 CIGS 电池可实现大面积卷-卷(Roll-to-Roll)连续化生产,为进一步降低光伏电池成本开辟了有效途径。通过研究低温生长CIGS 薄膜中 Na 掺杂对材料生长及器件复合机制的影响,改善了器件光电性能。柔性聚酰亚胺(PI)CIGS 太阳电池大面积单体电池 2cm×2cm 与 4cm 4cm×4cm 柔性大面积 PI 衬底 CIGS 太阳电池效率分别达 8%与 7%(由中科院太阳光伏发电系统和风力发电系统质量检测中心鉴定)。
南开大学
2021-02-01
低成本非真空
铜
铟硒(CIGS)薄膜太阳电池制造技术
CIGS 薄膜太阳电池具有效率高,无衰退、抗幅射、寿命长等特 点,采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本,预计可达到 0.3$/W。 本项目产品结构为:衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al;其 中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体,其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层 CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层,构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池 上产生电子与空穴,被 p-n 结的自建电场分离,从而输出电能。工艺 流程:普通钠钙玻璃清洗→Mo的溅射沉积→非真空法分步电沉积CuIn-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理(RTP)→化学水浴法沉积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积→ Ni/Al 电极沉积,等。
南开大学
2021-04-11
基于
铜
耗最小的轴向磁场磁通切换容错电机容错控制方法
本发明公开了一种基于铜耗最小的轴向磁场磁通切换容错电机容错控制方法,使轴向磁场磁通切换容错电机发生单相断路故障时能够运行在容错状态,并使电机的铜耗最小化。逆变器采用三相四桥臂容错拓扑,根据相电流判断故障状态。当正常运行时,逆变器工作在三相三桥臂模式下,轴向磁场磁通切换容错电机控制系统采用id=0的SVPWM控制策略,分配d轴、q轴电流;当发生单相故障时,进行容错控制,逆变器工作在两相三桥臂模式下,并通过控制容错绕组电流给电机增磁,使电机整体的铜耗最小化。本发明在单相断路情况下,以铜耗最小为优化目标,
东南大学
2021-04-14
一种高强高导电
铜
-稀土合金材料及其制备工艺
本发明公开了一种高强度导电铜 -稀土合金材料及其制备工艺, 合金各 成分的按质量比为:铜:铬:钕为 97.6-98.8:0.4-1.1:0.02-0.08.本发明制 备工艺包括合金的熔铸工艺、合金熔铸后的处理工艺,合金熔铸后的处理 工艺中直接对合金铸锭冷轧,再进行时效处理。本发明所述制备工艺在合 金熔铸时,直接添加纯金属 Cr 颗粒,浇铸温度为 1100℃-1250℃。 本发明合金材料具有
南昌大学
2021-04-14
低成本非真空
铜
铟硒(CIGS)薄膜太阳电池制造技术
CIGS薄膜太阳电池具有效率高,无衰退、抗幅射、寿命长等特点,采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本,预计可达到0.6$/W。 本项目产品结构为:衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al;其中光吸收层CIGS薄膜为p型半导体,其表面贫Cu呈n型与缓冲层CdS和i-ZnO共同成为n层,构成浅埋式p-n结。太阳光照射在电池上产生电子与空穴,被p-n结的自建电场分离,从而输出电能。工艺流程:普通钠钙玻璃清洗→Mo的溅射沉积→非真空法沉积CIGS薄膜预置层→快速
南开大学
2021-04-14
低温柔性大面积 CIGS(
铜
铟镓硒)太阳电池
以轻质高分子聚合物聚酰亚胺(简称 PI)为柔性衬底的 CIGS 电池不但保持着玻璃衬底太阳电池的一些优良性能,同时还具备不怕摔碰、可卷曲折叠、在制作中可按要求剪裁等特点,具有更广阔的应用前景。PI 薄膜不吸水、绝缘性能好、重量轻(70g/m2)、厚度薄(仅为 0.05mm)、表面光滑及可弯曲等特点,是高功率重量比太阳电池的首选衬底材料,其功率重量比可高达 2000W/Kg(未封装),并且由于PI 衬底 CIGS 电池可实现大面积卷-卷(Roll-to-Roll)连续化生产,为进一步降低光伏电池成本开辟了有效途径。通过研究低温生长CIGS 薄膜中 Na 掺杂对材料生长及器件复合机制的影响,改善了器件光电性能。柔性聚酰亚胺(PI)CIGS 太阳电池大面积单体电池 2cm×2cm 与 4cm 4cm×4cm 柔性大面积 PI 衬底 CIGS 太阳电池效率分别达 8%与 7%(由中科院太阳光伏发电系统和风力发电系统质量检测中心鉴定)。
南开大学
2021-04-13
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