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双子叶植物茎模型
宁波浪力仪器有限公司（余姚市朗海科教仪器厂）
2021-08-23
植物根系采样器（根钻）
产品详细介绍研究根部可以让我们更了解树木和植物根部生长（深度和密度）的可能性。通常来讲植物在土壤里都应该有密集广阔的根部系统，它能够让植物更充分地利用土壤。如果营养和水分都很充足，那么根部分布越广，吸收就越充分。测量根部系统也是土壤剖面中天然的物理以及/或者化学屏障。如果研究的根部看起来不太“平常”，那通常是以下因素造成的：土壤层太硬，根无法穿透。例如耕犁层、沼矿、厚重的黏土以及肥土层。土层差别太大，例如黏土与沙土，富含腐殖质的土壤和不含腐殖质的土壤（沙地）等。地下水过高。地下水平面波动太大。酸性土层。土壤下层氧气含量太少。比较不同土壤样品的根部密度时，样品的表面和里面都一定要相同。01 单头根钻单头根钻可以在渗透阻抗较低的土壤中取样，而且不会破坏样品。它最深能够在1米的地方取得15cm长的样品。02 双头根钻，2米深度的标准取样设备双头根钻可以在最大厚度为15cm的土层中取样，土壤样品几乎可以保持原样一致。双头根钻的底部有可以更换的钻头，顶部较短，不能拆卸，带有冲击头。
成都耀华科技有限公司
2021-08-23
植物种子传播方式标本
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
双子叶植物茎模型
XM-860双子叶植物茎模型
XM-860双子叶植物茎模型取材于向日葵，示双子叶植物的组织构造，横切面示角质层、表皮、木栓层、韧皮部、形成层和木质部以及髓的组织构造；径向切面示角质层、表皮，表皮下排列着的木栓层，木栓层组织的里边为角部加厚的厚角组织。
尺寸：放大，51x45x34cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
基于多元信息融合的油菜生长模型建模及应用
基于多元信息融合的油菜生长模型是用数学方程描述油菜、气候和土壤之间的作用过程,根据气象条件、土壤条件以及管理方案，动态定量的描述油菜生长、发育、籽粒形成及产量。油菜生长模型最重要的意义是对整个油菜生育系统的知识进行综合，并量化生理生态过程及其相互关系,即综合知识和量化关系。油菜模型是利用计算机强大的信息处理和计算功能,对不同生育过程进行系统分析和合成,相当于所研究系统的最新知识的积累和综合。在这种知识合成的过程中,还能鉴定知识空缺,从而明确新的研究方向，同时，油菜模拟研究在理解油菜生理生态过程及其变
南京工业大学
2021-01-12
一种促进动物生长的重组DNA免疫技术
研发阶段/n本成果主要用于促进动物生长，改善动物的生产性能。内容包括①筛选得到一种双拷贝生长抑素与乙肝表面抗原融合表达质粒，免疫大鼠后，阳性率为60%，体增重提高13.5%。②克隆GM-CSF、CpG、VP22等基因佐剂，提高了原有生长抑素质粒的免疫反应，抗体阳性率可达71.4%。③引入以asd为标志的染色体-质粒平衡致死系统，建立了生长抑素平衡致死系统；由于终载体中不含Amp抗性基因，提高了安全性。④突破原有注射裸质粒的免疫方式，开创肌肉注射携带质粒的灭活沙门氏菌、肌肉注射（或口服）携带质粒的减毒
华中农业大学
2021-01-12
宽禁带半导体 ZnO 和 AlN 单晶生长技术
中试阶段/n作为第三代半导体的核心基础材料之一的 ZnO 晶体既是一种宽禁带半导体，又 是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院半导体研究所的科 研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸 ZnO 单晶材料的新型技术方法-化学气 相传输法（CVT 法）。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元组合化合物是制造波长为 190nm-350nm 的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN 具有高热导率 （3.4W/cmK），与高 Al 组份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等
中国科学院大学
2021-01-12
有机气敏薄膜生长调控与敏感机理研究
本项目属复合材料与传感器研究领域。主要针对气体传感器特异性响应与识别机理、气体信息与电信号转换机制以及薄膜表面/界面效应等基础科学问题开展了深入研究，提出并发展了有机纳米复合气敏材料新领域，为有机/无机纳米薄膜组装与结构调控提供了新途径，同时建立了传感器微观响应模型，对发展新型复合薄膜气体传感器具有重要的科学意义。发表SCI论文71篇，SCI他引905次，均为正面引用，研究成果受到敏感材料与传感器领域研究者的广泛关注与认可。本项目申请国家发明专利49项，授权29项，研制出了灵敏度高、响应快（<
电子科技大学
2021-04-14
磁场中大直径直拉硅单晶的生长技术
在太阳能光伏发电和电子工业的快速发展的情况下，大直径、高纯度的晶体硅的需求越来越大。该项目利用磁场结合覆盖液技术，获得了磁场和覆盖剂共同控制下热对流及温度波演化的三维时空图像，以及磁场强度、几何特征及覆盖剂的厚度、杂质等外在参数对单晶硅生长质量控制，通过抑制熔体的热对流和温度波动，降低熔硅与石英坩埚的反应速率，控制氧的浓度和分布，从而在磁场中生长出高质量大直径的硅单晶。该技术主要技术特点：（1）结合覆盖剂的应用，获得不同磁场下，硅熔体内热对流产生的临界条件、演化规律；（2）在磁场作用
南京航空航天大学
2021-04-14
一种 ZnO 单晶纳米片的生长方法
本发明公开了一种 ZnO 单晶纳米片的制备方法。该方法利用脉冲激光沉积辅助范德瓦尔斯外延， 在范德瓦尔斯力作用的层状材料衬底上生长出高覆盖率的 ZnO 单晶纳米片。采用高能量辅助范德瓦尔 斯沉积有利于 ZnO 在衬底上结晶，而高真空环境减少沉积过程中的能量损失，配合上合适的沉积温度 和退火温度，能够改变 ZnO 的择优生长方向，使得 ZnO 优先于面内生长，改变传统 ZnO[001]方向择优
武汉大学
2021-04-14