主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。

研发阶段/n可用于猪生长速度的遗传改良，在猪的遗传改良中生长速度性状一直是改良的重点，提高生长速度可缩短生长周期，节省饲养成本，但这个性状的测定也必须等到猪长到上市体重，因此测定工作需要花费成本，用专利6，7和8可以进行早期选择，节约测定成本，缩短世代间隔，提高生长速度。

CNT纯度>99%（无须后处理），CNT阵列高度10m-1mm，CNT直径2nm-15nm。技术创新点： 采用水分辅助CVD技术，催化剂效率大大提高，可获得极高的碳纳米管纯度。

本实用新型公开了一种影视工程用摄影灯固定架，包括伸缩杆、三脚支撑架和万向轮，所述三脚支撑架固定安装在所述伸缩杆底部，所述三脚支撑架包括支撑臂、顶撑臂、上固定环和下固定环，所述上固定环与所述伸缩杆固定连接，所述支撑臂共有三根，且上端均铰接在所述上固定环上，三根所述支撑臂以所述伸缩杆为圆轴圆轴均布，所述上固定环的下方设置有所述下固定环。有益效果在于：通过所述收合弹簧实现三脚支撑架的自动收合，通过将拉柄

工作电压： 3.5-35V， 10mA 的待机电流，支持实时定位，短路和电话查询，工作状态，4 级的 EMI。

简单介绍： 蛇形冷光源光纤灯性能特点：多组份玻璃光纤加工的光纤传光束，具有数值孔径大，传输损耗小，光绝缘性能好，光纤较细，填充率低，光强度大，抗电磁干扰能力强，柔软、易弯曲，蛇形冷光源光纤灯可随意改变路径，满足实验需要。 详情介绍： 技术参数： 1.电源电压：~220V+20V 50Hz+1Hz2.灯泡功率：24/150W3.色温：4000K4.输出照度：1 800.000LX5.主机材质：金属烤漆6.光纤材质：玻璃光纤7.机箱尺寸：245MM /1.00MM/ 150MM8.亮度调节：M >[连续可调光色暖白色 9.光源类型：卤素系列10.整机噪音：≤54DB11.净重：3.5KG 12.毛重：4.0KG

项目 参数 输入电压 AC100～240V 频率范围 50/60Hz 功率因数 ≥0.95 认证符合 CE/RoHS 电路保护 短路保护，过流保护，过电压保护，抗浪涌，防雷及过温保护 光源 Epistar/Sanan 晶元/三安 功率 60/100/200/300W（±5%） 灯具尺寸（mm） 600*600/600*900/600*1200/900*1200 配光曲线 Refer to "light distribution curve" 光斑 对称配光 相关色温 3000-6500K 灯具光效 ≥100lm/W 显色指数 ≥70 外形尺寸 详见尺寸图 净重 详见重量图 防护等级 室内使用 工作湿度 10%～95%R.H. 工作温度 -30℃～+50℃ 储存温度 -40℃～50℃ 外壳温度 ＜60°(Ta=25℃) 寿命Ta=25℃ 50000H