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一种用于复合波片光轴对准的装夹装置
本发明公开了提供的一种用于复合波片光轴对准的装夹装置,该装置包括电控旋转台、固定波片卡盘和旋转波片卡盘;波片支架安装在电控旋转台,固定波片卡盘与电控旋转台基座连在一起,旋转波片卡盘与电控旋转台转盘连在一起,使用时,将安装有晶片的波片支架安装在固定波片卡盘和旋转波片卡盘上。本发明提供的装夹装置可以实现在对复合波片光轴进行高精度对准时,对组成复合波片的各晶片进行夹持,并保证不同晶片间能产生高精度高分辨率的相对转动。与现有波片夹具相比,本发明所提供的装夹装置不仅能够实现对两片晶片的夹持和精确定位,而且能够使两片晶片间产生高精度高分辨率地相对转动,更适合用于复合波片光轴的对准过程。
华中科技大学 2021-04-11
一种稀土铁基吸波材料及其制备方法
本发明公开了一种具有良好吸波性能的纳米晶稀土铁基吸波材料及其制备方法,该材料的特征在于 将配比为重量百分比为2%~70%稀土元素与5%~98%的铁以及少量掺杂元素熔炼成稀土-铁基合金,再在 0-700℃的温度范围内与氢气反应(氢爆方法)破碎成细小粉末或球磨成细小粉末,然后在100℃-1000℃ 温度范围内与氢气反应生成主相为稀土氢化物(RHx)和α-Fe的复合材料,最后将上述复合材料在低温 氧化或氮化或氮化加氧化,制备出稀土氧化物或氮化物/α-Fe为主的复合材料。这种材料具有吸波性能好, 屏蔽波段宽,耐腐蚀,抗氧化以及价格低廉的特点,可用于建筑电磁屏蔽、信息及通讯技术保密、军事隐 身技术等领域。
四川大学 2021-04-11
中国天眼FAST纳赫兹引力波搜寻研究取得重大突破
近日,由中国科学院国家天文台等单位科研人员组成的中国脉冲星测时阵列(CPTA)研究团队利用中国天眼FAST,探测到纳赫兹引力波存在的关键性证据,表明我国纳赫兹引力波研究与国际同步达到领先水平。
中国科学院国家天文台 2023-06-29
一种电力系统故障录波回放方法
本发明公开了一种电力系统故障录波回放方法,采用双 Picturebox 交互绘图,其中画布 Picturebox1 用于绘制波形图, Picturebox2 用于绘制放大矩形框和定位光标,并且采用双缓冲技术, 在绘制多面板、多通道时,先将所有面板绘制在缓冲区里,然后一次 性在 Picturebox 上绘制;显示全局图时,减小采样率;查看局部时, 按真实采样点数绘制;波形放大平移后,只绘制用户可见时间区间内 的点。这样可以避免在绘制放大矩形框或拖动光标时不断重绘波形图, 提高流畅度。 
华中科技大学 2021-04-14
基于磁致伸缩扭转波检测导磁构件缺陷的装置
基于磁致伸缩扭转波检测导磁构件缺陷的装置,属于超声波无损检测装置,目的在于克服纵向模式导波衰减较大,存在明显频散效应的不足,检测时无须对构件表面进行处理。本发明包括脉冲信号发生器、功率放大器、磁致伸缩扭转波传感器、信号预处理器、A/D 转换器以及计算机;磁致伸缩扭转波传感器包括激励单元和接收单元。计算机控制脉冲信号的产生,经功率放大器放大,通过激励单元在构件中产生扭转波,接收单元接收构件中传播的扭转波,经信号预处理器处理,通过 A/D 转换器转换为数字信号,通过计算机处理获得构件的缺陷信息。本发明可
华中科技大学 2021-04-14
一种用于产生 OAM 波的环形缝隙天线
本发明公开了一种用于产生 OAM 波的环形缝隙天线,包括介质基板、矩形金属贴片阵列和环形缝隙金属板;环形缝隙金属板设置在介质基板的正面,矩形金属贴片均匀阵列分布在介质基板背面与环形缝隙金属板的环形缝隙正对的位置;矩形金属贴片的长度大于环形缝隙宽度;其优选方案还包括馈电电路和金属反射板;馈电电路包括相移器和功分器,用于将一路输入信号分成 N 路幅值相等、相位等差的输出信号,经由矩形金属贴片阵列给环形缝隙天线馈电;金属反射板位于环形缝隙天线下方,以增强天线的正向辐射。本发明提供的这种环形缝隙天线天线能够产生特定模式的 OAM 波,为生成 OAM 波提供了一种低成本、微型化的解决方法。
华中科技大学 2021-04-11
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一,具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点,能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求,正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比,目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上,从而减少甚至取消冷却系统,大幅度降低系统体积和重量,因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验,能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管(图1,有源区面积0.9mm2);4000V/30A的SiC PiN二极管(图2);击穿电压>5000V的SiC JBS二极管(图3)。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件:(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件:(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件:(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学 2021-04-10
一种基于全息波导的头戴式显示器件
本发明公开了一种基于全息波导的头戴式显示器件,该器件包括入耦合光栅(1)、左视场偏折光栅(2)、右视场偏折光栅(3)、出耦合光栅(4)、矩形波导(5);入耦合光栅(1)、左视场偏折光栅(2)、右视场偏折光栅(3)、出耦合光栅(4)、贴附于矩形波导(5)的上表面或下表面;入耦合光栅(1)、左视场偏折光栅(2)、右视场偏折光栅(3)、出耦合光栅(4)、矩形波导(5)贴于上表面或下表面由出入瞳光线设计方向决定。本发明利用光瞳重塑方式解决了传统二维扩瞳方式产生的大视场角情况下的视场分离。
东南大学 2021-04-11
高温压电振动能量回收器件和高温驱动器
传统PZT压电陶瓷应用广泛,但在居里温度较低,环境温度较高时,PZT陶瓷样品极易退极化。随着压电材料的应用范围的进一步拓展,一些极端条件对压电陶瓷的应用提出了新的挑战。北京大学工学院实验室利用高居里点的钪酸铋-钛酸铅压电陶瓷制备了基于d31模式和d33模式的应用于高温环境中的压电振动能量回收器,器件可以稳定地工作在150℃以上的高温环境中。高温下由于电畴被活化,器件的压电系数和相应的输出功率比室温时提高一倍以上。 与压电能量回收器不同的是,压电驱动器是一种利用压电效应,将电能转化为机械能实现纳米级驱动的器件,压电驱动器利用压电材料的准静态逆压电效应实现10微米至100微米的微小位移;同时,还可以利用压电陶瓷的高温谐振动效应制备高温压电马达。
北京大学 2021-02-01
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验,能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。
电子科技大学 2021-04-10
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