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一种二次激发型黄绿色荧光粉及其制备方法
本发明涉及一种二次激发型黄绿色荧光粉及其制备方法，属于发光材料技术领域。荧光粉的组成为Srx-a-cAl3+2x-zY5-b-yREyMzO12+4x:aEu2+,bCe3+,cDy3+，其中RE为Tb、Gd、Lu中的至少一种；M为Ga、Zn、Ge、Si中的至少一种；0
四川大学
2021-04-11
采用半导体荧光粉的特殊用途发光二极管技术
制备了不同发光波长的半导体量子点材料，设计，优化和制造了应用于航天电子信息显示领域的基于薄膜量子点器件结构的夜视兼容性LED；同时也设计，优化和制造应用于航天电子信息显示领域的基于集成量子点荧光粉-氮化镓单晶蓝光LED器件结构的夜视兼容性LED。通过控制器件的光谱输出，成功地制备出适用于飞机驾驶舱的半导体器件，该器件可直接用于飞机驾驶舱，无需再使用滤光片，并完成了对其性能的评估。同时基于半导体量子点材料制备出了用于NBI内窥镜成像的多光谱通道半导体荧光粉LED阵列。完成对NBI内窥镜成像的多光谱通道半导体荧光粉LED阵列的初步光电测量。此外，分析影响LED发光功率及效率的因素，优化设计的器件结构，探索提高特殊用途效率的方法。优化器件的工艺制作流程，提高器件参数的一致性、均一性。
上海理工大学
2021-04-13
一种LED用共掺杂的硅酸盐绿色荧光粉的制备方法
一种共掺杂的硅酸盐绿色荧光粉的制备方法，属于发光材料技术领域，其化学式为Ba2-x/2-2y-zSiO4:Eu2+z,Li+x+y,Er3+y，其中0≤x≤0.25，0＜y≤0.02，0＜z≤0.1。具体步骤为：按化学式中各元素的化学计量比称取钡盐、二氧化硅、铕盐、锂盐、铒盐及适量的表面活性剂；将称取的钡盐、锂盐、二氧化硅、铕盐、铒盐、表面活性剂和适量的配体充分混合，在室温下球磨一定时间，球磨时加入适量的润滑剂；直接烘干，得到前驱体；将前驱体置于有还原性气氛的气氛炉中于1000～1300℃煅烧2～7h，即得所需荧光粉。本发明制备的荧光粉结晶性好，结构疏松，颗粒细小，分布均匀，具有良好的涂覆性能，适于用作近紫外辐射的InGaN管芯激发的LED用绿色荧光粉。
四川大学
2021-04-11
低温流动层法制备碳氮化物涂层的关键技术在精密模具上应用
为了解决高精度模具表面强化处理变形和高温技术在工业大规模推广应用中的瓶颈问题，本项目提出利用低温流动层法进行碳氮化物涂层制备的方法，应用于高精密模具表面强化处理。通过气流与粉末在600℃左右形成左右的流动层的热辐射特性，在高精密模具表面制备高耐磨高耐蚀的碳氮化物涂层，是由碳化物和氮化物复合而成，兼具碳化物和氮化物的优点，具有高熔点、高硬度、耐磨、耐氧化、耐腐蚀等特性，并具有良好的导热性、导电性和化学稳定性，适用于要求较低的摩擦系数和较高硬度高精密模
常州大学
2021-04-14
利用单一YAG: Ce3+荧光粉和紫外LED芯片匹配获得白光的制备
最近以来，LED照明以其节能环保等优点，获得了大规模的应用。 传统的黄色荧光粉YAG：Ce3+在蓝光LED芯片激发下发出黄色的光，通过蓝光和黄光复合产生白光，但这种粉体不能应用于高能量的紫外LED芯片产生白光，因为YAG：Ce3+的光谱中缺乏蓝光波段。本项目通过特有的表面包覆和处理技术，使得YAG：Ce3+的外观和普通YAG：Ce3+没有区别，但在紫外光365nm激发下，不仅呈现出黄光发射，而且具有蓝光发射，通过调控膜层的组成和厚度，匹配与紫外LED芯片时，器件发射出CIE坐标（0.32,0.33）的白光。 利用此方法，可使得YAG:Ce3+粉发出蓝光和黄光两种波段，进而复合产生白光，工艺简单，技术领先。
电子科技大学
2021-04-10
利用单一YAG: Ce3+荧光粉和紫外LED芯片匹配获得白光的制备
成果简介： 最近以来，LED照明以其节能环保等优点，获得了大规模的应用。 传统的黄色荧光粉YAG：Ce3+在蓝光LED芯片激发下发出黄色的光，通过蓝光和黄光复合产生白光，但这种粉体不能应用于高能量的紫外LED芯片产生白光，因为YAG：Ce3+的光谱中缺乏蓝光波段。本项目通过特有的表面包覆和处理技术，使得YAG：Ce3+的外观和普通YAG：Ce3+没有区别，但在紫外光365nm激发下，不仅呈现出黄光发射，而且具有蓝光发射，通过调控膜层的组成和厚度，匹配与紫外LED芯片时，器件发射出CIE坐标（0.32,0.33）的白光。 利用此方法，可使得YAG:Ce3+粉发出蓝光和黄光两种波段，进而复合产生白光，工艺简单，技术领先。
电子科技大学
2017-10-23
纳米氮化钒及纳米碳氮化钒粉体的制备方法
本发明提供了一种纳米氮化钒及纳米碳氮化钒粉体的制备方法。其特征在于以粉状钒酸铵、碳质还原剂和微量稀土等催化剂为原料，按一定配比将它们溶于去离子水或蒸馏水中，并搅拌均匀，制得溶液。然后将该溶液加热、干燥，最后得到含有钒源和碳源的前驱体粉末。将前驱体粉末置于高温反应炉中，并通入还原气体作为反应和保护气体，于800～950℃、30～60min条件下，制得平均粒径＜100nm、粒度分布均匀的纳米氮化钒及纳米碳氮化钒粉体。本方法具有反应温度低、反应时间短、生产成本低、工艺简单等特点，适合工业化生产。
四川大学
2021-04-11
纳米氮化钒粉体的制备方法
一种纳米氮化钒粉体的制备方法，工艺步骤依次为：(1)前驱体的制备，以V2O5和草酸为原料，V2O5与草酸的重量比为1∶1～1∶3，将所述配比的V2O5和草酸放入反应容器并加水，然后在常压、40℃～70℃进行搅拌，直到V2O5和草酸的还原反应完成为止，还原反应完成后，将所获溶液蒸干即得到前驱体草酸氧钒；(2)前驱体的氨解，将所获前驱体草酸氧钒放入加热炉，在流动氨气氛围中加热至600℃～750℃进行氨解，保温10分钟～3小时后关闭加热炉电源，保持炉内氨氛围，待分解产物冷却至100℃以下取出，即获得纳米氮化钒粉体。
四川大学
2021-04-11
高性能氮化镓基电子材料
已有样品/n中科院半导体所是国内最早开展 GaN 基电子材料研发的单位，并一直在该领域起着引领、 示范和带动作用。经过尽二十年的自主创新，攻克了 2 英寸和3英寸蓝宝石、碳化硅和硅衬底上GaN 基电子材料外延生长的关键科学技术问题，在高阻 GaN 外延材料、高迁移率 GaN 外延材料、高迁移率 AlGaN/GaN 异质结结构材料等方面形成了系统的自主知识产权，设计并研制出了多种具有特色的 AlGaN/GaN 异质结构电子材料，并实现了批量供片。市场预期：该技术是采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）
中国科学院大学
2021-01-12
一种氮化硅或氮化硅/碳化硅复合粉体的制备方法
小试阶段/n本发明专利采用一种新的合成方法制备了氮化硅或氮化硅/碳化硅粉体。与传统制备方法相比，此工艺简单，成本低，具有较大的市场前景，为非氧化物耐火材料原料的生产提供了一个新的思路。
武汉科技大学
2021-01-12