产品详细介绍压电陶瓷电话：0451-86268790  芯明天科技——压电纳米定位行业领导者！产品定制服务我们更专业！每年参加展会：LASER World of PHOTONICS CHINA慕尼黑上海光博会、北京光电周ILOPE、深圳光博会CIOE。 哈尔滨芯明天科技有限公司专业致力于压电纳米定位系统的研发生产与销售。十余年的行业经验、专业的研发团队、雄厚的研发实力、完善的管理体系、可靠的品质保障为您提供最佳压电纳米定位技术解决方案！主营产品包括压电陶瓷材料、压电陶瓷片、叠堆压电陶瓷、精密压电促动器、压电马达、压电直线电机、纳米定位台、压电纳米定位台、微米纳米定位台、压电平移台、压电运动台、压电位移台、压电平移台、1-3维纳米精度偏转台/旋转台、压电偏转镜、压电物镜定位器、六自由度并联机构、压电陶瓷驱动电源、压电陶瓷驱动器、压电陶瓷驱动电源、电感/电容/激光测微仪等产品，同时提供压电点胶阀维修服务等。压电陶瓷芯明天压电陶瓷产品按照生产工艺的不同分为三种类型，叠堆共烧型，复合结构型，单晶体型。      叠堆共烧型压电陶瓷所谓的叠堆共烧是指将单层极化后的压电陶瓷基片与电极层交替叠加后经过高温烧结，形成整块的压电陶瓷，这种工艺生产的压电陶瓷我们称之为叠堆共烧压电陶瓷。叠堆共烧型压电陶瓷的主要特点为驱动电压低≤200V、位移行程大、出力大、重复生产一致性好、性能稳定、使用寿命长等特点。复合结构压电陶瓷通过对压电元件进行叠加、粘接、电极处理等方式制成的压电陶瓷产品，我们称之为复合结构压电陶瓷，芯明天复合结构的压电陶瓷主要包括高压压电陶瓷、压电纤维片、压电双晶片。高压压电陶瓷是通过对单晶体压电陶瓷片与金属电极层叠加再进行电极连接处理制成的。高压陶瓷的驱动电压为500V 或1000V，高压陶瓷形状柱形，环形。产品主要优点为大出力最大可达50000N，可以高动态操作。压电纤维片，是通过很细的压电纤维棒排列、拼接、极化、覆膜而制成厚度为0.3mm左右的薄片，可以横向伸缩或斜向伸缩，与其他金属板粘接可以带动金属片弯曲。可以作为致动器或传感器。广泛用于减震抑振或形变测量等。三维压电陶瓷是将可以XY运动的压电剪切片与轴向运动压电陶瓷片叠加形成多维压电陶瓷结构。压电双晶片是通过单晶体陶瓷片与金属结构结合，实现上下摆动的压电陶瓷片。                               单晶体压电陶瓷：单晶体压电陶瓷为共烧压电陶瓷以及复合结构压电陶瓷的基础元件，是将压电陶瓷粉末经过配料，预烧，混合粉碎，成型排塑，烧结，极化等系列工序而制成各种形状尺寸的压电元件。单晶体压电陶瓷的驱动电压受陶瓷片的厚度所影响，通常极化方向厚度1mm的压电陶瓷，最大驱动电压为1000V特点：方形、环形直线运动最大位移可达180μm最大出力可达50000N最小尺寸1×1×0.2mm放形、环形压电弯曲片压电纤维片应用：光纤拉伸•压电点胶阀•原位测试•机翼减震•光纤传感•压电钳哈尔滨芯明天科技有限公司致力于压电纳米定位产品的研发、生产与销售，主要服务于制造高端精密设备的的客户。自2004年起，经过十多年的快速发展，公司已获得高新企业认定，获得产品相关专利以及软件著作权、全部产品拥有自主知识产权、公司产品已覆盖全国各地知名高校、科研院所以及高端精密设备制造企业，并远销欧、美、日、韩等地。公司与中国高科技企业、国家重点实验室建立了合作伙伴关系，已经成为中国最专业的精密定位产品生产商。更多信息，请访问芯明天官网  www.coremorrow.com 或拨打电话：0451-86268790/17051647888 哈尔滨芯明天科技有限公司产品已广泛应用于半导体技术、光电子、通信与集成光学、光学仪器设备、医疗生物显微设备、生命科学、精密加工设备、新药设计与医疗技术、数据存储技术、纳米技术、纳米制造与纳米自动化、航空航天、图像处理等领域。芯明天正在为中国的工业自动化、国防、航天事业的发展贡献着自己的力量。

1.压电陶瓷高居里温度材料的研发；2.压电陶瓷低温烧结；

宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线

本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。

本发明涉及一种有机功能介孔氧化硅的合成方法。该方法以三乙氧基硅烷与三烷氧基有机硅烷偶联剂作为硅源，以聚环氧乙烷?聚环氧丙烷?聚环氧乙烷三嵌段共聚物（Ｐ１２３）作为表面活性剂，在酸性条件下通过共聚法一步将有机功能基团耦合到有序介孔氧化硅中，得到了功能化程度远远大于传统共聚法接枝率的有机功能化介孔氧化硅。在反应过程中，通过控制有机硅烷偶联剂与三乙氧基硅烷的加入量比例可调控介孔氧化硅的功能化程度及孔道的有序度。

成果创新点 与市场上现有气凝胶产品采用超临界干燥技术不同， 本产品采用常压干燥方式制备。 粉体的导热系数达到 0.015W/mK,复合保温毡垫的导热 系数达到 0.022 W/mK，保温性能优于市场上有机保温材料， 而且燃烧性能达到 A 级不燃，兼有保温和防火效果。 通过工艺改进解决了常压干燥制备有机溶剂使用量大 和制备周期长的缺点，而且使用无机硅源和有机溶剂使用 少，制备成本大大降低。

与市场上现有气凝胶产品采用超临界干燥技术不同， 本产品采用常压干燥方式制备。 粉体的导热系数达到 0.015W/mK,复合保温毡垫的导热系数达到 0.022 W/mK，保温性能优于市场上有机保温材料， 而且燃烧性能达到 A 级不燃，兼有保温和防火效果。 通过工艺改进解决了常压干燥制备有机溶剂使用量大和制备周期长的缺点，而且使用无机硅源和有机溶剂使用少，制备成本大大降低。 

已有样品/n石墨烯由于其独特的二维纳米结构，且具有高强度、高热稳定性、高化学稳定性以及优良的导热性等特性，在防腐涂料领域具有广阔的应用前景。石墨烯、氮化硼等二维材料由于其特殊的结构使其具有不透过性，作为金属基底与腐蚀环境的阻隔层而保护基底不被自然环境所腐蚀。通过化学气相沉积法及块体剥离法可分别制备直接生长于金属表面的大面积石墨烯、氮化硼薄膜，或粉状的石墨烯、氮化硼纳米片。通过化学气相沉淀法，二维材料可以在任意形状的金属基底的所有暴露面上生长，实现对金属表面的全面保护。市场预期：该技术可应用于精细元器

本工作中，基于安徽大学微纳加工平台以及香港科技大学纳米系统实验制造中心联合制造出了两款氮化镓功率器件，分别实现了电压驱动/电流驱动的栅极结构，为后续的驱动设计和研发提供了器件技术支持；工作中也同时提出了两种结构在高温下的稳定性模型，为进一步提升氮化镓器件的性能以及可靠性打下了基础。

近日，我校物质科学与信息技术研究院唐曦教授课题组与电气工程与自动化学院胡存刚教授、曹文平教授课题组在氮化镓功率器件领域取得最新研究进展，在氮化镓GaNHEMT方向取得突破。