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一种微燃烧发电装置
本发明公开了一种微燃烧发电装置，包括第一至第四预热通道、挡流板、燃烧室、热光伏发电模块和热电模块；第一、第三预热通道一端相连，第二、第四预热通道一端相连，形成两套 U 型管道，分别设置在燃烧室两侧，第一、第四预热通道的另一端为进气口，第二、第三预热通道交汇在燃烧室入口外，挡流板设置在第三、第四预热通道交汇处，热光伏发电模块设置在燃烧室外壁与第二、第三预热通道之间形成的高温区，热电发电模块设置在第一、第三预热通道之间和
华中科技大学
2021-04-14
BHW-SM水煤浆燃烧器
该燃烧器广泛吸收国内水煤浆燃烧器优点，采用先进掺混配风技术，采用先进的稳燃燃烧技术，燃烧稳定，燃烧效率高，烟气排放污染小。水煤浆雾化喷嘴采用特殊表面处理技术，具有耐磨特性，可连续使用2年。 由于国内燃油燃气日趋紧张且价格较贵，洁净煤燃烧技术具有广阔市场前景。
北京航空航天大学
2021-04-13
电线垂直+水平燃烧试验机
产品详细介绍
JN-6699B电线垂直+水平燃烧试验机
符合标准：UL-62-3839，UL-1581-1060-1080，UL-94测试规范。
适用范围：本机适用于各种电线电缆绝缘被覆材料、印刷板材料， IC绝缘体 …… 等有机材料之耐燃烧性试验，试验时，将试件置于火焰顶端，燃烧 15秒，熄灭15秒，重复5次后检查试件被焚情形。全自动型，可设定燃烧、熄灭时间及重复次数，并可自动操作。
结构:
本设备由控制箱、垂直燃烧箱、水平燃烧箱、燃烧灯、电磁阀、高压点火器、煤气管、调压阀、和信号控制线组成。控制箱设有：喷火计时器、停喷计时器、停喷计时器、燃烧计数器、人工/自动操作选择开关、垂直/水平选择开关以及电源开关等组成。带气体控制阀。停机方式：在达到预设的数据时，机器会自动停止测试
主要参数：
1、试料长度：300,457mm
2、燃料：甲烷、瓦斯 （自备）
3、计时器：0～99秒×2
4、计数器：LED，0～9999
5、水平垂直燃烧喷嘴角度：20度 （水平90度）
6、垂直与水平燃烧箱尺寸：305x355x610mm
7、控制箱尺寸：34×24×33cm
8、重量：28kg
9、电源：1∮,AC220V,1A
东莞市劲能仪器科技有限公司
2021-08-23
关于氮化物半导体掺杂研究的进展
采用红外光谱和拉曼光谱技术，克服了GaN中强烈的剩余射线带相关反射区导致的测量难题，实验中观察到半绝缘GaN中与C有关的两个局域振动模，并结合第一性原理计算，给出了C杂质在GaN中替代N位的直接证据，解决了这一长期存在的争议问题。该成果对于理解和认识C杂质在AlN、BN、ZnO等其他六方对称化合物半导体材料中的掺杂行为亦具有重要的参考价值。
北京大学
2021-04-11
成分振荡金属氮化物涂层的制备方法
本发明属于表面工程技术的应用，具体是成分振荡金属氮化物涂层的制备方法，在等离子体偏压反溅清洗过的表面平整的基片上，以反应溅射工艺模式在基片表面沉积成分振荡金属氮化物涂层，沉积过程中，通过改变N2气与Ar气的分流量或分气压来控制溅射气体中N2气与Ar气的含量比，且N2气与Ar气的含量比变化曲线随涂层沉积时间呈现出周期性变化规律。本发明制得的涂层中N元素的含量比沿涂层生长方向的分布具有振荡特征；涂层是由多个亚层组成的多层结构，而每一亚层中N元素含量比的变化呈现梯度分布特征，该涂层具有梯度化与多层化的双重复合结构特征。
四川大学
2016-09-29
一种氮化硅微米管制造方法
本发明公开了一种氮化硅微米管的制备方法，该方法将去除保 护层的光纤表面涂覆一层均匀的石墨粉后在 300～600℃的温度区间内 热解，使光纤表面形成均匀厚度的碳膜；再将光纤在氮气条件下以 1100～1600℃的温度区间高温加热，使碳膜与光纤表面的二氧化硅产 生反应生成硅，然后硅与氮气发生反应在光纤表面形成氮化硅薄膜将形成氮化硅薄膜的光纤刻蚀掉，形成中空的氮化硅微米管。该氮化 硅微米管与炭黑进行混合，使氮化硅微米管增强导电性，然后在其中 加入热熔型粘结剂形成混合物，再均匀涂在洗净的铜箔表面，可得到 氮化
华中科技大学
2021-04-14
高性能压电单晶及新型电声／电光产业链
本世纪初，高性能铁电压电单晶材料的发现是自上世纪五十年代发现压电陶瓷材料以来压电材料领域的激动人心的革命性突破，它将为新型的电声和电光器件及应用领域带来历史性的机遇。近20年来，本课题组在国防军工，国家自然科学基金，科技部及省科技厅的大力资助下，深入开展了这种单晶材料生长技术和相关器件研究，单晶材料现可以小批量生产和供应，开始试用，相关器件正在研制中，技术水平处于国际先进水平，部分学术成果获得国家自然科学二等奖和教育部自然科学一等奖，技术成熟度已达到5-6级。
西安交通大学
2021-04-11
宽禁带半导体 ZnO 和 AlN 单晶生长技术
中试阶段/n作为第三代半导体的核心基础材料之一的 ZnO 晶体既是一种宽禁带半导体，又 是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院半导体研究所的科 研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸 ZnO 单晶材料的新型技术方法-化学气 相传输法（CVT 法）。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元组合化合物是制造波长为 190nm-350nm 的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN 具有高热导率 （3.4W/cmK），与高 Al 组份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等
中国科学院大学
2021-01-12
磁场中大直径直拉硅单晶的生长技术
在太阳能光伏发电和电子工业的快速发展的情况下，大直径、高纯度的晶体硅的需求越来越大。该项目利用磁场结合覆盖液技术，获得了磁场和覆盖剂共同控制下热对流及温度波演化的三维时空图像，以及磁场强度、几何特征及覆盖剂的厚度、杂质等外在参数对单晶硅生长质量控制，通过抑制熔体的热对流和温度波动，降低熔硅与石英坩埚的反应速率，控制氧的浓度和分布，从而在磁场中生长出高质量大直径的硅单晶。该技术主要技术特点：（1）结合覆盖剂的应用，获得不同磁场下，硅熔体内热对流产生的临界条件、演化规律；（2）在磁场作用
南京航空航天大学
2021-04-14
一种 ZnO 单晶纳米片的生长方法
本发明公开了一种 ZnO 单晶纳米片的制备方法。该方法利用脉冲激光沉积辅助范德瓦尔斯外延， 在范德瓦尔斯力作用的层状材料衬底上生长出高覆盖率的 ZnO 单晶纳米片。采用高能量辅助范德瓦尔 斯沉积有利于 ZnO 在衬底上结晶，而高真空环境减少沉积过程中的能量损失，配合上合适的沉积温度 和退火温度，能够改变 ZnO 的择优生长方向，使得 ZnO 优先于面内生长，改变传统 ZnO[001]方向择优
武汉大学
2021-04-14