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一种低温共烧微波介质陶瓷基板材料及其制备方法
本发明公开了一种低温共烧微波介质陶瓷基板材料及其制备方 法。该基板材料由 5ZnO·2B2O3 粉料和 Pb1.5Nb2O6.5 粉料混合烧结 而成，其中，Pb1.5Nb2O6.5 的摩尔百分比含量为 4.5～7.0mol％，基板 材料的主晶相为 3ZnO·B2O3，次晶相为 Pb1.5Nb2O6.5，介电常数εr ＝7.7～8.6，品质因数 Q×f＝9974～16674GHz，谐振频率温度系数τf ＝-14～+21ppm/℃，满
华中科技大学
2021-04-14
一种用于陶瓷胶态成型的覆膜砂模具的制备方法
本发明属于无机非金属陶瓷制备领域，并公开了一种用于陶瓷 胶态成型的覆膜砂模具的制备方法，包括：构建覆膜砂模具三维模型 进行切片，根据三维模型切片数据进行增材制造制备覆膜砂模具初坯； 将覆膜砂模具初坯埋于玻璃微珠中，并置于烧结炉中进行烧结热处理； 将烧结热处理后的覆膜砂模具初坯置于硅溶胶溶液中浸渗，取出后置 于烘箱中干燥，得到覆膜砂模具；将陶瓷浆料注入到覆膜砂模具中， 然后置于烘箱中使浆料固化并干燥得到陶瓷干坯；将陶瓷
华中科技大学
2021-04-14
一种在还原气氛烧结的高频高介陶瓷制备方法及其产品
本发明公开了一种抗还原高频高介陶瓷介质及其制备方法。采 用固相反应法合成的 xBaO-yNd2O3-ySm2O3-zTiO2 为主晶相材料，加 入改性添加剂，改性添加剂选自 BaO、CuO、B2O3 或 BaO、B2O3、 MnO2、CuO，改性添加剂在介质材料的配方组成中所占的摩尔质量百 分比为 35.5～119.5mol％；经湿法球磨、干燥，从而获得一种能够以 镍或镍合金作为内电极，适合在还原气氛中烧结的陶瓷介质材料、该
华中科技大学
2021-04-14
一种在还原气氛烧结的高频高介陶瓷制备方法及其产品
本发明公开了一种抗还原高频高介陶瓷介质及其制备方法。采 用固相反应法合成的 xBaO-yNd2O3-ySm2O3-zTiO2 为主晶相材料，加 入改性添加剂，改性添加剂选自 BaO、CuO、B2O3 或 BaO、B2O3、 MnO2、CuO，改性添加剂在介质材料的配方组成中所占的摩尔质量百 分比为 35.5～119.5mol％；经湿法球磨、干燥，从而获得一种能够以 镍或镍合金作为内电极，适合在还原气氛中烧结的陶瓷介质材料、该
华中科技大学
2021-04-14
电力电子模块用关键绝缘材料 （导热绝缘陶瓷覆铜DBC板）
在电力半导体模块的发展中，随着集成度的提高，体积减小，使得单位散热面积上的功耗增加，散热成为模块制造中的一个关键问题，而传统的模块结构（焊接式和压接式）已无法成功地解决散热问题。因此对处于散热底板和芯片之间的导热绝缘材料提出了新要求。目前，国内外电力电子行业所用此种材料一般是陶瓷-金属复合板结构，简称DBC板
西安交通大学
2021-01-12
一种提高Y2NiMnO6陶瓷多铁性能
青岛大学
2021-04-13
一种3D打印用光固化陶瓷膏料及其制备方法
本发明公开了一种3D打印用光固化陶瓷膏料及其制备方法，将膨润土和有机铵改性液混合后加热至78~85℃反应4～6h，随后离心分离出沉淀物，经洗涤、干燥后，粉磨至过200目筛，得到有机铵改性膨润土；将得到的有机铵改性膨润土加入丙烯酸光敏树脂内，真空均质后得到光敏树脂混合液；将得到的光敏树脂混合液、陶瓷粉体、极性活化剂混合均匀，即得。通过本发明，可以得到一种具有高触变性、高稳定性的陶瓷膏料。解决了常见的陶瓷浆料在打印过程中需要设计支撑结构的问题。同时，加入有机膨润土可以提高陶瓷的力学性能，可应用于硅基陶瓷型芯的打印。
南京工业大学
2021-01-12
一种激光熔覆石墨烯－陶瓷自润滑涂层刀具及其制备方法
本发明属于机械切削刀具制造技术领域，涉及了一种激光熔覆石墨烯、陶瓷自润滑涂层刀具及其制备方法。所述自润滑涂层刀具的基体材料为高速钢，刀具前刀面为石墨烯?陶瓷自润滑涂层。该自润滑涂层通过将石墨烯添加至Ａｌ２Ｏ３或Ｓｉ３Ｎ４基陶瓷混合粉末中，采用ＣＯ２激光同步送粉方式在刀具前刀面熔覆制成。该刀具具有韧性好、硬度高及自润滑作用的特点。干切削时，利用石墨烯在陶瓷刀具表面形成连续的固体润滑膜，从而实现刀具本身的自润滑功能。
东南大学
2021-04-11
高容量富锂锰基正极材料的合成与性能研究
本发明公开了一种富锂锰基正极材料及其制备方法。该方法采用共沉淀法制备前驱体[Ni(x-y/2)/x+(2-y)/3CoyMn((2-x)/3-y/2)/(x+(2-x)/3)](OH)2，然后采用高温固相法得到富锂锰基正极材料 Li[Li(1-2x)/3Nix-y/2CoyMn(2-x)/3-y/2]O2（0＜x＜0.5,0≤y≤0.15）。这些材料在 2.0-4.6V充放电比容量达到 200mAh/g 以上。本发明的制备方法工艺简单，成本低，适用于工业化大生产，所得到的富锂锰基正极材料在-20°C 下的放电容量可达到常温放电容量的 70%以上，可以广泛应用于电动汽车、通讯领域等。目前已经研究的体系有 Li[Li（1-x）/3Ni2x/3Mn （ 2-x ） /3]O2 ， Li[Li （ 1-x ） /3NixMn （ 2-2x ） /3]O2 ， Li[Li1/3-2x/3NixMn2/3-x/3]O2 ，Li1+x(Ni1/3Co1/3Mn1/3)O2+x/2 等。
江西理工大学
2021-05-04
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
大功率射频LDMOS器件以其线性度好、增益高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、价格低廉等方面的优势已经成为基站、广播电视发射机、航空电子、雷达等领域等应用最广泛的射频功率器件。 本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（图1），能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。目前已制作出频率0.5GHz，输出功率>500W，功率增益>18dB、漏极效率>50%的单芯片RF LDMOS 器件；频率1.2GHz，输出功率>600W，功率增益>20dB、漏极效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；频率3.1GHz，输出功率>80W，功率增益>10dB、漏极效率>35%的单芯片S波段RF LDMOS 器件（图2）。 (a) (b) 图1 RF LDMOS器件：(a)晶圆显微照片 (b)封装器件 a b c 图2 RF LDMOS器件功率测试曲线：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
电子科技大学
2021-04-10