产品详细介绍名称:大推力Z轴微动台 产品特点 放大机械体采用压电陶瓷驱动 采用有限元分析，优化结构尺寸 频率响应快，带负载能力大，结构简单 压电陶瓷分布位置为三点支撑，间隔120度，压电陶瓷具有防震设计，消除震荡对压电陶瓷损伤； 此产品为大推力结构设计，适用于输出力大的实际应用； 有限元分析，设计优化，用客可订制产品 用户可根据自己的应用不同可订制加工 结构体中间有通孔，安装初使位置有手动调节，具有安装定位口；  产 品 名 称：大推力Z轴微动台http://rznxkj.com/index.html型号 RH3KN零位移输出最大推力(驱动电压150V时) 3000N空载最大输出位移(驱动电压150V时) 60微米输出端摩擦片材料 7075超硬铝(表面不做化学外理,)输出端摩擦片 可更换驱动压电陶瓷数量 3支压电陶瓷具有手动预紧和微调输出端位移功能 3支均可调节压电陶瓷驱动电压 0～150 V压电陶瓷电容量 18微法响应频率(注:小信号峰峰值:Vpp >1V) 2K摩擦片数量 4片(含装配件)/材料: 7075超硬铝机体结构材料 7075超硬铝提供技术资料 包括CAD工程图,SolidWorks三维图,调试文件,安装与使用手册输出引线 BNC孔端连接器,线长1.5m外形结构尺寸   

产品详细介绍名称：多功能压电陶瓷驱动电源 http://rznxkj.com/Pzt%20Power%20Supply%201.htmlRH11RH13产品特点产品特性 输出电压通道：1～3路、模拟输入通道：3路 过流保护功能、波形存储，输出功能 高性能控制器及16位A/D转换 专用运算放大电路保证了高压大电流输出 同时具有过流、短路保护等功能 具有高频率响应和极低的静态电压纹波  采用10位模数转换芯片进行数据采集 输出电压的实时监控、液晶汉字显示、薄膜按键输入、  键盘输入控制、模拟信号输入控制、  编码旋钮调节电压控制、上位机SPP控制、波形控制 具有可编程功能，具有VC动态链接库 驱动压电陶瓷双晶片、驱动叠层型压电陶瓷、驱动封装开闭　压电陶瓷、驱动进口陶瓷型 号参　数RＨ11 RＨ13 单位输出通道 1 3 路输出电压范围(单选项） A型 -20～+150 ＶB型 -20～+200C型 -20～+300(+500)D型 -150～+150E型 -200～+200F型 -300～+300电压输出阻抗 ＜20 Ω模拟输入电压 ±10或±5(单选) Ｖ模拟输入阻抗 ＜100 kΩ电压稳定性 ＜0.1% %单路输出平均功率 :Pa 30 30 ／(三路同时输出：10) W±20%( Max)单路输出平均电流: Ia 150 150 ／(三路同时输出：50) mA±20%(>5 ms)单路输出峰值功率: P 60 W±20%( Max)单路输出峰值电流: Imax 300 mA±20%(<5 ms)电压输出入监控 LCD显示  液晶屏显示 128x64  键盘(薄膜按键) 4x4  软件控制输出 提供操作软件  电压输出分辨率 5 mV过流\短路保护电流 >300 mA电源静态电压纹波 ＜20 mV电源阶跃响应 2 ms快速调节步长 0.001～50 V计算机接接口 并口  计算机或手动输出波形 直流、正弦、方波、三角波、梯形波、锯齿波  模拟输出波形 直流、正弦、方波、三角波、梯形波、锯齿波  波形储存功能 各种波形  电源供电电压要求 ＡＣ220±10％ V电源供电频率要求 50±10％ Hz电源工作相对湿度 <85 %工作环境温度 0～45 ℃消耗功率 100 W压电陶瓷驱动接法压电陶瓷驱动电源每一路输出驱动一支压电陶瓷，作为单独控制压电陶瓷，也可以把多支压电陶瓷并联驱动，电容并联电容量相加，总电容量增大，会影响输出频率特性；单路机箱及尺寸三路机箱及尺寸重量：3ｋｇ重量：5ｋｇ    官网：http://rznxkj.com/   

产品详细介绍压电陶瓷驱动电源电话：0451-86268790  芯明天科技——压电纳米定位行业领导者！产品定制服务我们更专业！每年参加展会：LASER World of PHOTONICS CHINA慕尼黑上海光博会、北京光电周ILOPE、深圳光博会CIOE。 哈尔滨芯明天科技有限公司专业致力于压电纳米定位系统的研发生产与销售。十余年的行业经验、专业的研发团队、雄厚的研发实力、完善的管理体系、可靠的品质保障为您提供最佳压电纳米定位技术解决方案！主营产品包括压电陶瓷材料、压电陶瓷片、叠堆压电陶瓷、精密压电促动器、压电马达、压电直线电机、纳米定位台、压电纳米定位台、微米纳米定位台、压电平移台、压电运动台、压电位移台、压电平移台、1-3维纳米精度偏转台/旋转台、压电偏转镜、压电物镜定位器、六自由度并联机构、压电陶瓷驱动电源、压电陶瓷驱动器、压电陶瓷驱动电源、电感/电容/激光测微仪等产品，同时提供压电点胶阀维修服务等。 E00/E01系列多功能模块化控制器是由四个模块组成：功率放大模块、PZT传感控制模块、显示与通信模块及机箱供电模块。可以驱动芯明天全系列压电产品及进口压电产品。            驱动应用： 压电陶瓷  纳米定位台    压电偏转台   压电物镜定位器   压电偏转镜系列哈尔滨芯明天科技有限公司致力于压电纳米定位产品的研发、生产与销售，主要服务于制造高端精密设备的的客户。自2004年起，经过十多年的快速发展，公司已获得高新企业认定，获得产品相关专利以及软件著作权、全部产品拥有自主知识产权、公司产品已覆盖全国各地知名高校、科研院所以及高端精密设备制造企业，并远销欧、美、日、韩等地。公司与中国高科技企业、国家重点实验室建立了合作伙伴关系，已经成为中国最专业的精密定位产品生产商。 更多信息，请访问芯明天官网  www.coremorrow.com 或拨打电话：0451-86268790/17051647888 哈尔滨芯明天科技有限公司产品已广泛应用于半导体技术、光电子、通信与集成光学、光学仪器设备、医疗生物显微设备、生命科学、精密加工设备、新药设计与医疗技术、数据存储技术、纳米技术、纳米制造与纳米自动化、航空航天、图像处理等领域。芯明天正在为中国的工业自动化、国防、航天事业的发展贡献着自己的力量。

主要包含陶瓷原料检测仪器，日用陶瓷、特种功能陶瓷、陶瓷砖成品检测仪器，卫生陶瓷检测仪器，如抗压抗折仪，冲击仪，吸水率仪，抗热震性仪，可塑性仪，耐磨仪，抗冻性仪，蒸压釜，卫生陶瓷冲洗实验装置等。

项目成果/简介: 工艺描述： 将电解铝火眼碳渣破碎，与脱碳药剂充分混合，加入高温炉进行脱碳，得到中间产品；中间产品磨粉，与脱钠药剂充分混合，加入高温炉进行脱钠，得到粗氟化铝；粗氟化铝加入水浸槽，洗盐后得到氟化铝。 技术亮点： 属于电解铝危废高值产品化技术，拥有发明专利3件；实现了碳渣的全量利用，节约了原生氟资源；整个工艺绿色，没有废水废渣产生，废气达标排放；单位能耗远低于原生氟化铝，有效减碳；氟化铝产品符合现有国家标准。 知识产权类型:发明专利知识产权编号:202011250785.X技术先进程度:达到国际先进水平成果获得方式:与企业合作获得政府支持情况:无获得经费:7.50万元自筹资金:100.00万元

工艺描述： 将电解铝火眼碳渣破碎，与脱碳药剂充分混合，加入高温炉进行脱碳，得到中间产品；中间产品磨粉，与脱钠药剂充分混合，加入高温炉进行脱钠，得到粗氟化铝；粗氟化铝加入水浸槽，洗盐后得到氟化铝。 技术亮点： 属于电解铝危废高值产品化技术，拥有发明专利3件；实现了碳渣的全量利用，节约了原生氟资源；整个工艺绿色，没有废水废渣产生，废气达标排放；单位能耗远低于原生氟化铝，有效减碳；氟化铝产品符合现有国家标准。 

本发明公开了一种三氢化铝表面包覆改性方法，采用原子层沉 积技术在三氢化铝粉末表面沉积纳米厚度的金属氧化物或金属物质将 其包覆，以提高三氢化铝粉末热稳定性，包括，S1：将三氢化铝粉体 放入腔体内并抽真空；S2：加热腔体到设定温度且温度均匀稳定后， 通入流化气，使三氢化铝预分散；S3：原子层沉积反应，当腔体内的 温度达到 50～130℃时，开始原子层沉积反应；S4：重复多次原子层 沉积反应，使粉体表面沉积厚度不断增长，通过控制沉积反应循环的 次数从而控制在三氢化铝粉体表面沉积的金属氧化物或金属的厚度，

纳米氧化物中的氧化铝和氧化钛粉体被广泛应用于石油加工，制药工业，复合材料制造，化肥工业，环境保护等领域，我们开发的作为绿色化工产品的氧化铝纤维在纳米催化技术和复合材料制备等方面性能比纳米粉体更优异，例如国内权威机构应用试验其在高温条件下仍保持高的比表面和孔容，是此类高温高强催化剂载体换代产品，是耐热复合增强材料的首选，已显示在众多领域的巨大应用价值和前景&

本项目通过复合改性剂的分子设计和控制有关反应参数，使表面改性后的氧 化铝微粉在不同性质或组成的水性介质中有较为理想的相容性和分散稳定性。 特点： 1. 根据不同性质或组成的水性介质，设计和合成复合改性剂； 2. 控制有关反应参数，使氧化铝粉体的表面包覆率和表面改性效果可 控；283 3. 剩余反应物、溶剂和复合改性剂均可回收和循环使用，整个氧化铝微 粉的表面改性过程闭合循环，清洁环保。 专利 1：一种氧化铝磨料粉体的表面改性方法（20161011250.9） 专利 2：一种高水分散稳定性氧化铝粉体的资源化表面改性方法 （201611166922.5）

本发明公开了一种三氢化铝表面包覆改性方法，采用原子层沉积技术在三氢化铝粉末表面沉积纳米厚度的金属氧化物或金属物质将其包覆，以提高三氢化铝粉末热稳定性，包括，S1：将三氢化铝粉体放入腔体内并抽真空；S2：加热腔体到设定温度且温度均匀稳定后，通入流化气，使三氢化铝预分散；S3：原子层沉积反应，当腔体内的温度达到 50～130℃时，开始原子层沉积反应；S4：重复多次原子层沉积反应，使粉体表面沉积厚度不断增长，通过控制沉积反应循环的次数从而控制在三氢化铝粉体表面沉积的金属氧化物或金属的厚度，实现三氢化铝粉体