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超高频RFID标签
芯片
自主设计开发出符合ISO18000-6B、ISO18000-6C标准的四款超高频RFID标签芯片,通过了赛宝实验室(工信部五所)的测试认证,超高频RFID标签芯片测试性能达到Impinj等国际主流公司同期同类产品技术指标。在此基础上,自主设计开发出具有温度感知功能的超高频RFID标签芯片、具有开关状态数监测的超高频RFID标签芯片、具有多传感器接口的超高频物联网标签芯片等样品。
电子科技大学
2021-04-10
超高速模数转换
芯片
超高速模数转换器是数据采集系统的核心,广泛应用于宽带通信、数据捕获系统、软件无线电、射频消费类电子等领域,是国外长期禁运的核心电子元器件。
电子科技大学
2021-04-10
多功能存储微系统
芯片
在后摩尔时代,发挥多功能、异质集成技术的优势和特点,面向存储系统应用,集成DDR3/DDR4、FLASH、LDO、IPD元件以及阻容元件等,构成具有多功能的存储微系统芯片。
西安电子科技大学
2022-06-10
大功率高端LED
芯片
LED具有长寿命、节能环保、微型化等优点,是目前最具竞争力的新一代绿色照明光源。突破高发光效率的功率型高端LED芯片技术,将加快实现LED在通用照明、可见光通信、高端显示等领域的应用。在国家863计划、广东省战略性新兴产业LED专项等重大项目的支持下,项目团队成功开发出效率超过130lm/W的高压LED芯片、大尺寸垂直LED芯片和新型倒装薄膜LED芯片,相关技术指标处于国内领先水平。相关成果发表在Nanoscale Research Letters等国际权威期刊上,申请了22 项国家专利,其中已授
华南理工大学
2021-04-14
快照式光谱成像
芯片
利用超表面与图像传感器集成的新方案实现快照式光谱成像芯片,结合计算光谱分析原理及重建算法,研制出了可见光波段、高精度的光谱成像芯片。
清华大学
2021-02-24
一种红外聚光
芯片
本发明公开了一种红外聚光芯片。该芯片包括圆柱形的液晶调相架构,其包括液晶材料层,依次设置在液晶材料层上表面的第一液晶初始取向层、第一电隔离层、图形化电极层、第一基片和第一红外增透膜,以及依次设置在液晶材料层下表面的第二液晶初始取向层、第二电隔离层、公共电极层、第二基片和第二红外增透膜;图形化电极层由圆形导电膜和同心设置在圆形导电膜外围的至少一个圆环形导电膜构成,圆形导电膜的直径大于与其相邻的圆环形导电膜的径向宽
华中科技大学
2021-04-14
碳纳米管
芯片
技术
芯片是信息科技的基础与推动力。然而,现有的硅基芯片制造技术即将触碰其极限,碳纳米管技术被认为是后摩尔技术的重要选项。相对于传统的硅基CMOS晶体管,碳纳米管晶体管具有明显的速度和功耗综合优势。IBM的理论计算表明,若完全按照现有二维平面框架设计,碳纳米管技术相较硅基技术具有15代、至少30年以上的优势。此外,Stanford大学的系统层面的模拟表明,碳纳米管技术还有望将常规的二维硅基芯片技术发展成为三维芯片技术,将目前的芯片综合性能提升1000倍以上,从而将物联网、大数据、人工智能等未来技术提升到一个全新高度。
北京大学
2021-02-01
芯片
功率器件测试实验平台
芯片功率器件测试平台,以工程教育专业认证为引领参与高校专业建设,以信息化引领构建学习者为中心的教育生态,培养集成电路硬件测试人才。为学生提供丰富的教学资源以及贴近现实的产业环境,支撑集成电路相关课程的教学与实训,且能进行项目开发和师资培训。
安徽青软晶芒微电子科技有限公司
2021-12-16
一种基于
氮化
钛的新型纳米结构光阴极
发明公开了一种基于氮化钛材料的新型纳米结构光阴极;所述氮化钛光阴极包括衬底、氮化钛纳米结构层;还涉及了该型氮化钛光阴极的制备方法,及其电场辅助型光阴极测试装置,所述电场辅助型光阴极包括绝缘垫片、金属薄板阳极、上/下电极导线、外加偏压电源。本设计中核心的氮化钛纳米结构具有表面等离激元共振效应,会带来光子吸收增强和局域电场增强,且材料功函数仅约为3.7eV和导电性优良,有助于光致电子的发射;通过设计氮化钛结构的组成纳米图形和结构参数,可获得与入射激励光波相匹配的等离激元共振,实现可光调控的电子发射。因所述氮化钛材料还具有稳定的物化性质,从而本发明提供了一种可作为稳定、高效率的光阴极。
东南大学
2021-04-11
燃烧合成
氮化
硅基陶瓷的产业化技术
在高技术陶瓷领域,先进陶瓷占有极其重要的地位,在诸多的先进陶瓷中,氮化硅基先进陶瓷以其高强度、高韧性、高的抗热震性、高的化学稳定性在先进陶瓷中占有独特的地位,是公认的未来陶瓷发动机中最重要的侯选材料。并且在国际上氮化硅陶瓷刀具和氮化硅基陶瓷轴承已经形成相当规模的产业。任何一个跨国刀具公司都有氮化硅基陶瓷刀具的系列产品,足见其在机加工行业中具有不可替代的地位。 但是,影响氮化硅陶瓷推广的一个主要因素,是氮化硅粉末价格昂贵,这是由于传统的制取氮化硅粉末的方法耗能高,生产周期长,生产成本高。本项目采用具有自主知识产权的创新的燃烧合成技术,制取氮化硅陶瓷粉末和氮化硅复合粉末,具有耗能低,生产周期短,杂质含量低,生产成本低等特点,具有广泛的应用前景。 燃烧合成(Combustion Synthesis,CS)又名自蔓延高温合成(Self- Propagating High-Temperature Synthesis,SHS),是利用化学反应自身放热合成材料的新技术,基本上(或部分)不需要外部热源,通过设计和控制燃烧波自维持反应的诸多因素获得所需成分和结构的产物。 自1990年以来,本项目负责人等针对燃烧合成氮化硅陶瓷产业化的一系列关键问题,在气-固体系氮化硅基陶瓷的燃烧合成热力学、动力学和形成机制等方面进行了深入研究后得到的创新成果。 采用本项目的技术,可以生产符合制作先进陶瓷要求的从全α-Si3N4相到高β- Si3N4相,及不同配比的氮化硅粉末,还可根据用户要求,用此技术生产α-Sialon,β-Sialon和其它各种氮化硅基的复合粉末。粉末的质量优良而稳定。 应用于航天、航空及机械行业等,用于制作氮化硅陶瓷刀具、氮化硅基陶瓷轴承、耐磨耐腐陶瓷涂料等。
北京科技大学
2021-04-11
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