本发明涉及一种利用双核酸性离子液体选择性脱除油品中碱性（喹啉）和非碱性（吲哚）氮化物的新方法。其特征在于所采用的离子液体为双咪唑SO3H功能化酸性离子液体，在常温常压下即可进行操作，反应结束，经简单处理，回收的离子液体可重复使用。本发明与传统方法相比，其特点是：（1）无需采用背景技术中的酸精制脱氮，显著改善了设备腐蚀和废水排放等问题。（2）所用离子液体脱氮方法条件缓和，操作简单易行，且离子液体可实现重复使用。（3）与其他离子液体相比，所用离子液体能够同时脱除油品碱性和非碱性氮，且保持较高的选择性，一次脱氮即可将氮含量降至10?mg?L-1以下，且克服了原有脱氮剂只能脱除碱性氮或非碱性氮的弊端。

一种射频识别标签，包括封装体和位于封装体内的射频电路，所述封装体内轴向开有至少一个导流孔，导流孔的一端开孔小于另外一端，导流孔远离轴线的侧壁形成导流斜面，这些导流斜面以封装体轴线为中心对称分布。通过控制导流斜面的斜率而控制射频识别标签投掷到油井管道盐水中时的下落速度，且所述射频识别标签在盐水中下落时不易旋转，运动更加平稳。

本项目着重研发一系列不同工作频率与不同储存信息量有机射频识别（ORFID）标签或有机射频卡为主，研究各种有机集成器件，为大面积集成柔性电子产品产业化奠定了有机电子方面的理论基础。本研究采用不同有机导电材料及制作工艺使有机薄膜晶体管（OTFT）集成于塑料基底上，制备出RFID塑料芯片。工作采用一套新的完整的技术方案，包括结合应用需要进行有机RFID标签的结构，电路设计，在柔性衬底上进行芯片集成电路的制作（通过掩模板及光刻工艺制备高性能的低聚合物RFID标签集成电路，喷墨打印方式制备便宜的高分子等有机RFID标签集成塑料芯片两种路线），印刷天线，及选择合适的测试系统进行应验标签和分析标签工作机制等部分。制备出工作频率为125kHz、13.56MHz 及储存信息量为1字节及8字节的有机RFID标签。其中晶体管的性能达到开关比在104以上，迁移率0.4~0.7cm2/Vs，电路工作电压在15V左右。本项目是国内首批研发有机RFID标签的实验室研究工作，从而给国内有机RFID技术的研发工作建立一个良好的平台，弥补国内在有机RFID标签领域的空白。 主要应用范围： 从长远发展看，有机RFID有可能成为将来主导各行业信息处理的关键技术之一。有机RFID标签作为一个低成本的选择，并不会代替常用、标准的无机RFID标签，而是开辟另一个新的市场，到时在RFID市场，有机半导体将与Si片技术相互补。有机RFID技术除了具有半导体RFID技术的优点以外，还具有便宜、厚度可以非常薄等特点，可以制成柔性电子标签，使用时可以随意粘贴，不受软硬度及厚度等限制，将来可以广泛应用于工业自动化、商业自动化、交通运输控制管理、军事物流等众多领域。 有机半导体的生产工艺将彻底改变了以往的Si集成电路生产流程，省去了复杂及昂贵的CMOS工艺过程（扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、抛光等步骤），便宜并且环保。因为有机电子学能够实现大规模应用很关键的一点就是其能通过印刷工艺来实现有机电子器件的低成本。同样有机RFID标签的研究中，各国研究者的目的是想通过有机半导体材料制备有机集成电路，最终可以通过印刷的方式来得到有机RFID标签产品。这意味着有机RFID标签的到来将带动印刷行业领域的进展。采用打印制备RFID标签的工艺将碳基材料的微细颗粒喷射到芯片的基底上，不到几分钟就可以制造出芯片成品，且塑料芯片可以单片制造，其成本甚至不到0.1美分。而目前如果要建造一座生产Si芯片的工厂，其资金可能要高达百亿美金以上，然而同样的资金却可以建造超过100个生产塑料芯片的工厂。不论从前端厂房及材料成本，到后端的应用与生产成本，有机RFID技术的生产都极具优势。 目前世界各国都认为有机RFID市场前景巨大。至于技术的发展，目前全球都还在探索阶段。各国家、地区和机构纷纷加大研发力度，尤其各国已经有专门的公司进行相关项目的投资。比如，美国Organic ID、IBM和德国PolyIC等公司。而中国的大部分企业一直处于观望的状态，虽然目前已经开始尝试无机RFID在一些领域的应用示范，但在技术基础方面远远落后于欧美各国，加之标准待确立和产业基础薄弱，诸多因素制约着RFID技术在中国这个世界最具潜力的消费市场难以大规模运行。如果有机RFID的研究及应用方面迟迟不肯投资，在未来新崛起的有机RFID产业里又必将落后于欧美、日韩和新加坡等国。只有在快要占领市场的有机RFID技术方面尽早投入，将来才可能分得一杯羹。 制备出基本器件后，随着研发不断深入发展，将制备存储量和响应不断提高的器件。

本实用新型提供了一种鲜切蔬菜真空多极射频等离子体杀菌装置，内部设有射频等离子发射器、射频等离子发生器、真空泵、管路、搁物架，射频等离子发生器箱体内层铺设绝缘材质介质板，并设有压力传感器、温度传感器、和通气阀门，阳极板、阴极板安装在箱体的两侧；等离子体发射器设有功率调节旋钮、时间调节旋钮、真空泵电源按钮、总电源按钮；真空泵通过管路对射频等离子体发生器进行抽真空；搁物架盛放鲜切蔬菜。本实用新型提供一种鲜切蔬菜真空多极射频等离子体杀菌装置，可以在无氧的作用下，快速杀灭鲜切蔬菜表面的微生物，且保持鲜切蔬菜原有的色、香、味及营养成分。

利于层状纳米材料比表面积大的特点，在碳基柔性衬底上制备了高性能柔性 超级电容器，及葡萄糖传感器。超级电容器的能量密度最大为50.2Whkg-1,功 率密度为8002 W kg-1 at 17.6 Wh kg-1,充电1分钟能点亮两只绿色LED灯3 到5分钟。性能处于国际先进水平，成果先后发表于JALC0M , 714(2017) 63-70； 763 (2018) 926-934 等。

北京科技大学特种陶瓷研究室开发出一种自蔓延反应烧结氮化硅/氮化硼复相可加工陶瓷材料，其应用前景极其广阔。 Si和N2合成Si3N4反应的绝热燃烧温度高，体积有所增加，生成棒状的b-Si3N4相相互交叉，提高了自蔓延反应烧结氮化硅多孔陶瓷的强度，但氮化硅加工性能差。h-BN陶瓷可加工性能好，但烧结性能差。本项目利用h-BN相在氮化硅陶瓷中形成弱界面，当加工时，弱界面上会形成微裂纹，并沿弱界面发生偏转，耗散裂纹扩展的能量使裂纹扩展终止；当载荷继续上升时，在下层的弱结合界面处将产生新的临界裂纹再扩展；如此反复，使裂纹成为跳跃式阶梯状扩展，断裂渐次发生而非瞬间脆断，使氮化硅/氮化硼多孔陶瓷材料具有了好的可加工性能。 本项目原料中采用了一定比例的Si粉，比完全以Si3N4粉为原料的普通烧结工艺节约了原料成本。产品的基本工艺为自蔓延高温合成（燃烧合成）工艺，在气体高压反应器中进行，烧结所需要的能量完全由原料自身放热提供，与其他制备方法（常压烧结、热压烧结、反应烧结）相比较，不需要高温烧结炉长时间烧结，大大节省了能源。本项目工艺简单，烧结速度快，效率高。可制作复杂形状一维，二维的大尺寸陶瓷材料。抗弯强度已做到188MPa，材料可加工性能优良。 已获中国发明专利《ZL 200610089013.6自蔓延反应烧结Si3N4/BN复相可加工陶瓷的方法》。

该芯片采用低成本可集成的标准0.25umCMOS工艺实现三波段单变频结构的数字电视调谐器专用芯片，在传统射频调谐芯片的基础上，集成了可变增益放大器，提高了芯片集成度，降低了调谐器产品成本。并调整了部分版图结构，可以实现48～860MHz数字电视信号的全波段接收。芯片采用LQFP44封装。

本发明公开了一种低射频功率检测电路，该检测电路将射频输 入信号连接至匹配负载，然后经过基于检波二极管的峰值检测电路处 理，峰值检测电路的输出连接至峰值补偿电路，使得补偿之后的直流 电平与射频信号峰值基本一致。补偿电路的输出连接至乘法器的两个 输入端，乘法器的输出经滤波、放大、零位补偿之后，在检测电路输 出端得到一个与待测信号功率成正比的直流信号。该发明的特点是： 各功能电路相对独立，调试方便；补偿电路可精细调节，在一定频率 和功率范围内测量准确度较高；通过设定电路参数，响应速度灵活可 调；能满足高达

基于射频能量的血管组织闭合属于智能电外科技术，以美敦力公司的Ligasure为代表，能够有效闭合直径达7mm的大血管；目前国内尚无同等水平的产品。为弥补相关国内空白，研发了射频能量发生器，并基于该硬件设计了智能算法，能够在双极器械作用下向组织施加大功率射频能量，同时检测组织阻抗变化，自动调整功率输出，达到闭合血管组织的目的。初步实验证明，闭合口爆破压可达人体收缩压的3倍以上，满足安全要求。该成果的技术全部为自主研发。 相关技术指标：检测输出目标生物组织阻抗变化，调节功率输出； 最大输出电流：4 Arms 最大输出电压：180 Vrms 输出最大功率：160 W 输出正弦波频率：450 kHz 输出正弦波品质因数：1.414（连续输出时） 输出功率曲线： 技术创新点： 采用对称式E类射频功率放大器，降低功率损耗，提高输出效率； 基于可调功率电源、射频功率放大器、输出参数检测模块、主控模块形成硬件反馈系统，可以快速响应组织的变化； 实时检测目标组织阻抗变化，根据该变化，基于组织的生物物理特性设计智能算法，在安全闭合组织的基础上，有效降低了对周围组织的热损伤。