高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
0330D010VN4HC(有现货)
产品详细介绍0330D010BN4HC 0330D010BN4HC0330D010BN4HC 0330D010BN4HC 0330D010BN4HC 0330D010BN4HC 
新乡市华豫滤器有限公司 2021-08-23
银河麒麟桌面操作系统V4
银河麒麟桌面操作系统具有良好的软硬件兼容性,支持飞腾、鲲鹏等自主CPU及x86平台,拥有绚丽的人机交互界面,友好易用,用户十分钟便可轻松掌握。银河麒麟桌面操作系统主要面向电子办公、家庭生活、个人娱乐。  产品特点 中文与办公  具有友好的中文安装界面及操作界面,默认集成搜狗输入法、WPS,支持永中office、福昕阅读器等办公软件  友好易用  图形化友好界面,默认集成音乐播放器、视频播放器、邮件客户端、网页浏览器、麒麟助手等应用软件  软件中心  应用软件中心具备应用搜索、在线安装、在线更新、一键卸载等功能特性,给用户轻松、友好、安全的软件管理体验  快速更新  拥有在线快速更新功能,银河麒麟更新服务器会主动向联网用户推送系统更新包和安全补丁,实时提高系统的稳定性和安全性  个性定制  支持个性化版本定制,满足工控机、便携机、平板电脑、手持终端等设备兼容性需求,以及安全增强、可信计算、版本裁剪等用户需求  良好兼容  支持飞腾、龙芯、鲲鹏、兆芯、海光等国产CPU平台,兼容国内外主流台式机、笔记本、一体机、打印机及各类外部设备 
麒麟软件有限公司 2022-09-14
大规模集成电路用引线框架Cu-Ni-Si系、Cu-Fe-P系合金
集成电路是微电子技术的核心,与国防和国民经济现代化, 乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成, 其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路, 是芯片的散热通道, 又是连结电路板的桥梁, 因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位,目前,由于集成电路向高密度, 高集成化方向发展, 芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进,对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求,过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料, 利用铜合金优良的传热性能, 加入少量强化元素, 通过固溶强化和弥散强化提高其强度, 同时仅稍微损失导热性能。目前,铜合金框架已成为主体,形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前,由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距,我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前,本课题组通过一系列研究,开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金,并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。 一、Cu-Ni-Si系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb:650~750MPa; 2.延伸率>8%; 3.导电率:45~60%IACS。 二、Cu-Fe-P系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb:450~600MPa; 2.延伸率>7%; 3.导电率:60~80%IACS。
上海理工大学 2021-04-11
大规模集成电路用引线框架Cu-Ni-Si系、 Cu-Fe-P系合金
集成电路是微电子技术的核心,与国防和国民经济现代化,乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成,其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路,是芯片的散热通道,又是连结电路板的桥梁,因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位,目前,由于集成电路向高密度,高集成化方向发展,芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进,对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求,过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料,利用铜合金优良的传热性能,加入少量强化元素,通过固溶强化和弥散强化提高其强度,同时仅稍微损失导热性能。目前,铜合金框架已成为主体,形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前,由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距,我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前,本课题组通过一系列研究,开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金,并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。
上海理工大学 2021-04-13
objet350 connex3多材料3D打印机
产品详细介绍
广州造维科技有限公司 2021-08-23
Objet260 Connex3光敏树脂3D打印机
产品详细介绍
广州造维科技有限公司 2021-08-23
一种多壳层核壳微纳结构Cu2O的制备方法
“一种多壳层核壳微纳结构Cu2O的制备方法”属于半导体领域。现有方法对设备要求较高,过程复杂,难以控制成本,严重影响Cu2O样品的应用范围。本发明特征在于:按照硫酸铜与柠檬酸三钠的摩尔浓度比范围12∶4~12∶18,硫酸铜与葡萄糖的摩尔浓度比范围12∶2~12∶22,将柠檬酸三钠溶液加入硫酸铜溶液中,充分络合后加入葡萄糖溶液;调节溶液pH值至12.3~14.0;于50°C~95°C反应1.5h~6.0h;反应结束后冲洗、烘干,即得所需产物。该方法(采用葡萄糖作还原剂的化学浴沉积法)与其它液相制备核壳
安徽建筑大学 2021-01-12
解析超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构
超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构及表面特性。首先使用改良的布里奇曼方法得到高质量的层状Bi2O2Se半导体单晶块材,其低温2 K下霍尔迁移率可高达~2.8*105 cm2/Vs(可与最好的石墨烯和量子阱中二维电子气迁移率相比),并观测到显著的舒布尼科夫-德哈斯量子振荡。随后,在超高真空条件下,研究组对所得Bi2O2Se单晶块材进行原位解理,并利用同步辐射光源角分辨光电子能谱(ARPES)获得了非电中性层状Bi2O2Se半导体完整的电子能带结构信息,测得了电子有效质量(~0.14 m0)、费米速度(~1.69*106 m/s,约光速的1/180)及禁带宽度(~0.8 eV)等关键物理参量。
北京大学 2021-04-11
低 C/N 比污水A2/O+BAF 深度脱氮除磷工艺技术
针对我国低 C/N 比污水现状和深度脱氮除磷的要求,本项目全面开发适用于低 C/N 比污水处理的A2/O+BAF(曝气生物滤池)深度脱氮除磷工艺技术,以解决我国污水深度脱氮除磷碳源缺乏的问题。本项目基于反硝化除磷技术和双污泥理论,构建 A2/O+BAF 系统,从工艺设计上解决传统工艺中脱氮和除磷污泥龄的矛盾,并建立起强化 A2/O+BAF 工艺反硝化除磷性能的过程控制方法,使污水处理在不外加碳源的条件下能够达标排放,并且能够节省曝气能耗和降低污泥产量,是一种具有广泛应用价值的新型污水处理技术。
北京工业大学 2021-04-13
低C/N比污水A2/O+BAF深度脱氮除磷工艺技术
北京工业大学 2021-04-14
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 23 24 25
  • ...
  • 104 105 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1