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一种具有抗烧结性能的负载型金铂钯催化剂及其制备方法
发明提供一种具有抗烧结性能的负载型金铂钯催化剂,由金铂钯合金纳米颗粒负载在多孔载体上组成,铂与钯的重量比为1:4~2:1,其尺寸为10nm以下。本发明利用一步共同光沉积法制得该催化剂,在700℃以上焙烧温度下保持均一的合金结构,每个均一的合金结构中都均匀分布着金、铂、钯三种金属,且三种金属均为金属价态,形成单相合金结构。本发明的特点在于:1)制得的金铂钯三金属催化剂具有优良的抗烧结性能;2)解决了金铂钯催化剂在700℃以上的高温反应中易烧结失活的问题,拓展了其高温催化应用,如甲烷活化、汽车尾气处理、烷烃氧化等高温反应;3)制备方法简单,适合于大规模工业化生产。
浙江大学 2021-04-13
一种可调节压剪综合试验系统技术平台
本实用新型公开了一种可调节压剪综合试验系统技术平台,包括钢圈梁、压力试验机、混凝土基础、 以及技术平台钢柱,所述钢圈梁为箱型梁,平面布置呈回字形,整体安装在混凝土地基上;所述压力试 验机安装回字形中间的混凝土地基上,技术平台钢柱安装在钢圈梁上端面,为压力试验机提供稳定的水 平支撑,技术平台钢柱上设有高度可调的水平加载装置,水平加载装置包括铸钢横梁、加载油缸和剪切 板,铸钢横梁与技术平台钢柱形成滑动副,加载油缸固定安装在铸钢横梁上,剪切板安装在加
武汉大学 2021-04-14
抗糖尿病/抗AD钒配合物药物开发
研发背景:糖尿病和老年痴呆症(Alzheimer’s disease, 简称 AD)是目前影响人类健康和社会发展的重大疾病。糖尿病和AD之间存在密切联系,因此AD也被某些研究者称为三型糖尿病。目前AD无药可治;而糖尿病已经有了很多的“血糖控制”药物。然而,糖尿病的真正危害不是高血糖,而是高血糖相关的糖尿病并发症。最新的研究表明,目前方式的严格血糖控制并不能给大多数病人带来降低糖尿病并发症的收益;相反,此类血糖控制可能带来低血糖和死亡率升高的风险。因此,美国医师协会(ACP)建议:大多数 2 型糖尿病患者的控制目标应该是糖化血红蛋白水平在7~8%之间(即平均血糖在8~11mM 范围)。而这一理想控糖并降低糖尿病并发症的目标可由钒配合物药物实现。 抗糖尿病钒配合物曾经在2009年前在美国进入二期临床研究。但由于美国金融危机影响和当时测试的钒配合物BEOV的潜在肾脏副作用,BEOV的开发在2009年终止。本研究室从2009年通过长期研究,成功解析了钒配合物药理作用和毒理作用的分子机制,通过理性药物设计,得到了VOdmada等系列新型具有自主知识产权的配合物,有效解决了以前钒配合物存在的问题。在多种二型糖尿病动物上具有良好的控糖和预防并发症的疗效,并且明显延长了动物的寿命。而在APPS1动物模型上,则能够有效抑制淀粉样蛋白对脑组织的损伤,成功维持动物的记忆和认知水平。 前景预测:VOdmada有望开发成功为I类口服抗糖尿病(而非仅仅控糖)新药,以及I类口服抗AD新药。开发策略可根据市场及FDA政策择优选择。 成果特点:VOdmada钒配合物抗糖尿病药物和已有的口服控糖药物相比。现有药物均以胰岛素及其信号通路为靶点,而钒配合物的抗糖尿病作用则以调节细胞应激响应为起点,发挥多种作用,主要包括:激活Hsp60-PPARγ-AMPK信号转导,发挥胰岛素增敏和促进脑、肌肉、脂肪、肝脏等组织的葡萄糖/脂肪代谢的作用。在此方面,钒配合物的作用相当于现有的药物二甲双胍和吡格列酮联用;调节未折叠蛋白响应,促进Grp78表达,进而发挥保护胰岛细胞和促进胰岛细 胞恢复的作用;调节线粒体应激,促进Grp75表达,进而发挥保护脑神经细胞作用;减肥和寿命延长作用(药理分子机制有待阐释)。
北京大学 2021-02-01
水平管式降膜蒸发浓缩装置
本项目主要研究内容如下: (1)通过理论计算和小试实验,研究水平管式蒸发器的喷淋密度、喷淋高度以及喷淋管、蒸发管结构参数等对蒸发管成膜和蒸发传热效率的影响,确定了水平管式蒸发器的关键结构参数和操作参数; (2)采用MVR模式构建水平管式蒸发浓缩装置,对其工艺控制流程进行分析,绘制装置带控制节点的工艺流程图(PID),并确定装置各设备的主要设计参数; (3)在理论计算和小试试验结果的基础上,对装置主要工艺设备,特别是水平管式蒸 发器进行结构设计,构建一套蒸发量达到 1.5T/hr 的中试实验装置; (4)以垃圾渗滤液为主要处理对象,进行水平管式蒸发浓缩装置的中试实验,考察了 处理效果和系统能耗。
南京工业大学 2021-01-12
抗噪声通话系统
一. 应用范围 凡是噪声环境恶略、且需要通话的场合,都适用抗噪声通话系统。二.  主要功能和技术指标噪声环境下可实现多点控制双向通话,支持有线、无线两种工作方式,在噪声环境高达120dB,能确保通话清晰、设备可靠。
北京理工大学 2021-04-13
抗噪声通话系统
Ø  成果简介:凡是噪声环境恶略、且需要通话的场合,都适用抗噪声通话系统。达到国外抗噪声通话产品的性能指标。Ø  项目来源:自行开发Ø  技术领域:先进制造Ø  应用范围:为航天医学工程研究所研制的各种类型抗噪声通话系统全部用于航天员训练工作,解决噪声对人体的侵害,提高噪声环境下的工作效率。适合推广应用。Ø  现状特点:噪声环境下可实现多点控制双
北京理工大学 2021-04-14
中抗动碘
商品名称:中抗动碘 规格:5% 50ml/瓶 类型:消毒剂
德州京信药业有限公司 2021-09-10
超高频RFID四通道读写模块资产管理标签高性能多通道模块读写器
产品介绍 CK-M4L超高频RFID读写模块是小型化的UHF RFID 读写器 ,集成了模拟射频前端与基带数字信号处理模块等功能;用户只需要在模块的基础上作电源处理即可,可以很方便的通过API函数库控制模块工作适合各种应用场景用户开发。该模块支持固件升级,可满足协议扩展和功能扩展的应用需要。   产品特点 支持多种协议:ISO 18000-6C/EPC C1G2 、 ISO 18000-6B、国标GB/T29768-2013(可拓展支 持)。 密集读取:端口最大输出33dBm,可根据需要设置功率,可应对非常密集的使用环境,多标签识别算法,每秒可识别超过400张以上。 能够定频或跳频工作。 输出功率可调,调节步进:1dBm 支持标签数据过滤、支持防碰撞协议、支持多标签识别。 全频段、大功率、灵敏度高、功率准、零配置即可获得最佳性能。   规格参数 主要规格参数 产品型号 CK-M4L 性能参数 频率范围 840MHz~960MHz 空口协议 EPC C1G2、ISO18000-6B/C、GB/T29768-2013(可选配) 功能特点 支持密集读写、多标签识别、支持标签数据过滤、支持RSSI:可感知信号强度 通道数 4通道 RF输出功率(端口) 33dBm±1dBm(MAX) 输出功率调节 ±1dbm 前向调制方式 DSB-ASK、PR-ASK 连续读标签距离(读EPC码) 0-10米,连续读100次,读取成功率大于95%(无干扰环境)(8dBi圆极化天线@H3) 连续写标签距离(写EPC码) 0〜4米(与标签芯片性能有关),连续写100次,写成功率大于90%(8dBi圆极化天线@H3) 通讯口 TTL串口 物理接口 15PIN端子 1.25mm间距 读卡功耗 (33dBm):8W 物理参数 外观尺寸 85*80*8mm 外壳材质 铝型材外壳 安装方式 通过四个螺丝孔固定 电源 工作电压 5V 4A 操作环境 工作温度 -20°C~+70°C 储存温度 -40°C~+85°C 工作湿度 <95% (+25°C)  
深圳市斯科信息技术有限公司 2025-12-27
一种可适应多种直径枝条的专用修枝育苗剪
本实用新型涉及一种可适应多种直径枝条的专用修枝育苗剪,包括第一主体、第二主体和连接两个主体的旋转节构;第一主体和第二主体结构一致,根据轴线对称分布,第一主体及第二主体从左至右分别依次设置有第一刃部、第二刃部、第一柄部和第二柄部;其中第一刃部内侧均规则分布有刃齿,第一柄部外侧对应位置均设置有第一握把、第二柄部外侧对应位置均设置有第二握把;第一刃部由左至右逐渐远离轴线,第二刃部由左至右逐渐接近轴线。本实用新型可适应多种直径枝条、效率高、不易滞涉、夹皮、短弹簧、可同时适用于育苗和修剪苗木整枝。
青岛农业大学 2021-04-11
RFID超高频读写模块高性能远距离读卡器多通道模块电子标签读写器
产品介绍 CK-M1超高频RFID读写模块是小型化的UHF RFID 读写器 ,核心部件采用 R2000 为核心平台,R2000是一款高性能高度集成的读写器 IC,集成了模拟射频前端与基带数字信号处理模块等功能。用户只需要在模块的基础上作电源处理即可,可以很方便的通过 API 函数库控制模块工作适合各种应用场景用户开发。  产品特点 支持多种协议:ISO 18000-6C/EPC C1G2 、 ISO 18000-6B、国标GB/T29768-2013(可拓展支持)。 密集读取:端口最大输出33dBm,可根据需要设置功率,可应对非常密集的使用环境,多标签识别算法,行业内最强,每秒可识别超过600张以上。 能够定频或跳频工作。 输出功率可调,调节步进:1dBm。 支持标签数据过滤、支持防碰撞协议、支持多标签识别。 全频段、大功率、灵敏度高、功率准、零配置即可获得最佳性能。 规格参数 主要规格参数 产品型号 CK-M1 性能参数 频率范围 840MHz~960MHz 空口协议 EPC C1G2、ISO18000-6B/C、GB/T29768-2013(可选配) RFID主芯片 Impinj R2000 功能特点 支持密集读写、多标签识别、支持标签数据过滤、支持RSSI:可感知信号强度 通道数 1通道 RF输出功率(端口) 33dbm±1dbm(MAX) 输出功率调节 ±1dbm 前向调制方式 DSB-ASK、PR-ASK 连续读标签距离(读EPC码) 0-10米,连续读100次,读取成功率大于95%(无干扰环境)(8dBi圆极化天线@H3) 连续写标签距离(写EPC码) 0〜4米(与标签芯片性能有关),连续写100次,写成功率大于90%(8dBi圆极化天线@H3) 标签识别速度 >600次/秒 通讯口 TTL串口 物理接口 15PIN端子 1.25mm间距 读卡功耗 (33dbm):8W 物理参数 外观尺寸 42*76*8mm 外壳材质 铝型材外壳 安装方式 通过四个螺丝孔固定 电源 工作电压   操作环境 工作温度 -20°C~+70°C 储存温度 -40°C~+85°C 工作湿度 <95% (+25°C)
深圳市斯科信息技术有限公司 2025-12-27
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