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硅基悬臂梁Ｔ型结直接加热式未知频率毫米波相位检测器
本发明的硅基悬臂梁Ｔ型结直接加热式未知频率毫米波相位检测器，其实现结构主要包括悬臂梁耦合结构、Ｔ型结和直接加热式微波功率传感器和开关。悬臂梁耦合结构包括两组悬臂梁，每组悬臂梁由两个对称的悬臂梁构成，两个悬臂梁之间ＣＰＷ传输线的电长度在所测信号频率范围内的中心频率３５ＧＨｚ处为λ／４。为实现未知频率毫米波相位的检测，首先对待测信号的频率进行检测。频率检测通过利用直接加热式微波功率传感器测量两路在所测信号频率范围内的中心频率３５ＧＨｚ处相位差为９０度的耦合信号的合成功率实现；相位检测通过将两路相位差为９
东南大学
2021-04-14
基于硅基悬臂梁Ｔ型结直接加热在线式毫米波相位检测器
本发明的基于硅基悬臂梁Ｔ型结直接加热在线式毫米波相位检测器，主要由悬臂梁耦合结构、Ｔ型结和直接加热式微波功率传感器构成。悬臂梁耦合结构中，两个悬臂梁在ＣＰＷ中央信号线上方，结构相同，用于耦合部分待测信号，通过锚区与Ｔ型结相连，两个悬臂梁之间ＣＰＷ传输线的电长度为λ／８。悬臂梁下方的ＣＰＷ中央信号线上覆盖了一层Ｓｉ３Ｎ４介电层，用于防止电学短路。参考信号通过Ｔ型结分成两路信号，分别与两路悬臂梁耦合的信号通过Ｔ型结合成，Ｔ型结的输出端连接到直接加热式微波功率传感器进行功率检测。最后根据两个直接加热式微波
东南大学
2021-04-14
基于硅基悬臂梁Ｔ型结间接加热在线式毫米波相位检测器
本发明的基于硅基悬臂梁Ｔ型结间接加热在线式毫米波相位检测器，主要由悬臂梁耦合结构、Ｔ型结和间接加热式微波功率传感器构成。悬臂梁耦合结构中，两个悬臂梁在ＣＰＷ中央信号线上方，结构相同，用于耦合部分待测信号，通过锚区与Ｔ型结相连，两个悬臂梁之间ＣＰＷ传输线的电长度为λ／８。悬臂梁下方的ＣＰＷ中央信号线上覆盖了一层Ｓｉ３Ｎ４介电层，用于防止电学短路。参考信号通过Ｔ型结分成两路信号，分别与两路悬臂梁耦合的信号通过Ｔ型结合成，Ｔ型结的输出端连接到间接加热式微波功率传感器进行功率检测。最后根据两个间接加热式微波
东南大学
2021-04-14
一种双向流内循环式PS高级氧化反应器及污水处理方法
本发明公开了一种双向流内循环式PS高级氧化反应器及污水处理方法,包括反应器,其内设两个位置上下交错 且同心的内筒和外筒;内筒的上端开口,内筒的下端与反应器罐体底连接;外筒上端与反应器罐体顶连接,外筒的下端开口;反应器罐体底部设有无动力自吸回流系 统和伞状锥形布水器;一条由反应器罐体顶部伸向底部的催化剂加药管,其下端对应连通伞状锥形布药器,伞状锥形布药器位于反应器布水混合区域之内;还包括圆 环形布水挡板,进水混合装置,二次加药装置等.本反应器结构高径比小,反应空间利用充分,容积负荷率高,动力消耗小,无动力回流系统使未反应完的污染物和 药剂重复处理,提高了药剂利用率,降低了药剂消耗和能量消耗,降低成本。
华南理工大学
2021-04-13
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美国阿波罗
2025-09-15
在新征程上奋力实现高水平科技自立自强——院士专家谈学习贯彻党的二十大精神
在10月25日中国科协召开的科技工作者代表学习贯彻党的二十大精神座谈会上，中国科学院院士、吉林大学化学学院教授、吉林省科协主席、党的二十大代表于吉红表示，要不断提升高水平科技自立自强的深度、广度和厚度。
科技日报
2022-10-26
中钢协：2021年前11个月钢铁行业利润3517亿元 创历史最好水平
“2021年国民经济持续恢复，为钢铁行业发展提供了良好环境，预计全年钢产量为10.3亿吨，全年钢材实现了供需动态平衡。”中国钢铁工业协会（以下简称中钢协）会长陈德荣今日在中钢协第六届会员大会三次会议上表示，钢铁行业总体运行态势良好，前11个月，会员钢铁企业实现利润总额3517亿元，同比增长86.46%，行业效益创历史最好水平。
人民网
2022-01-11
怀进鹏：推动高校和企业“双向奔赴”，促进高校科研成果高水平创造、高效率转化
必须深入实施科教兴国战略、人才强国战略、创新驱动发展战略，统筹推进教育科技人才体制机制一体改革，健全新型举国体制，提升国家创新体系整体效能。”为了深入学习领会党的二十届三中全会精神，人民日报记者采访了教育部党组书记、部长怀进鹏。
人民日报
2024-08-08
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
大功率射频LDMOS器件以其线性度好、增益高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、价格低廉等方面的优势已经成为基站、广播电视发射机、航空电子、雷达等领域等应用最广泛的射频功率器件。 本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（图1），能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。目前已制作出频率0.5GHz，输出功率>500W，功率增益>18dB、漏极效率>50%的单芯片RF LDMOS 器件；频率1.2GHz，输出功率>600W，功率增益>20dB、漏极效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；频率3.1GHz，输出功率>80W，功率增益>10dB、漏极效率>35%的单芯片S波段RF LDMOS 器件（图2）。 (a) (b) 图1 RF LDMOS器件：(a)晶圆显微照片 (b)封装器件 a b c 图2 RF LDMOS器件功率测试曲线：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
电子科技大学
2021-04-10
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件，能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。
电子科技大学
2021-04-10