电子科技大学电子科学与工程学院（示范性微电子学院）博士生张净植在2018年国际固态电路会议（ISSCC）上发表研究成果，提出了一种“基于强耦合变压器的电流提升技术”，初步实现了用一款芯片覆盖多个频段，让5G通信“全球通”变成了可能。2015年，张净植的导师康凯正承担国家5G技术方面的一个重大专项，他有机会参与其中，负责频率源方面的部分研究任务。而正是这次研究，让他将目光锁定在了5G芯片上。张净植发现，目前不同国家划分的应用于5G通信的频段各不相同。比如，中国用的是24.75GHz~27.5GHz和37GHz~42.5GHz频段，美国用的是27.5GHz~28.35GHz、37GHz~38.6GHz和38.6GHz~40GHz频段，欧洲用的是24.25GHz~27.5GHz频段，日韩则采用26.5GHz~29.5GHz。也就是说，如果5G手机的芯片不支持这么多不同频段，出国后就无法正常通信了。相对于当前使用的4G技术，5G技术在吞吐率、时延、连接数量、能耗等方面有一个质的飞跃，就像美国运营商Sprint新任总裁和即将上任的CEO迈克尔·康贝斯在今年的摩根大通全球技术、媒体和通信会议上所说的，如今的4G网速平均只有30MB/秒，而5G提供的网速将是它的15倍。因此，学界和业界都对5G给予厚望。张净植的研究成果，就是两方小小的“通用芯片”：大的芯片只有910微米×920微米（1微米=10-6米），小的芯片为700微米×670微米，面积都小于1平方毫米，大小相当于一根绣花针的横截面。但这种小芯片却具有“兼容并蓄”的“宽广胸襟”，极大地提升了注入锁定倍频器的工作带宽，即“基于CMOS（互补金属氧化物半导体）工艺的超宽带注入锁定倍频器”，简而言之，就是为了解决5G芯片在不同电磁频段“水土不服”的难题而专门设计的。在与业界最先进技术的比较中，该技术在仅消耗两倍功耗的情况下，将工作带宽提升了5.2倍，同时还解决了毫米波频段中“低相位噪声信号源的大带宽设计”难题，为毫米波领域超宽带低相位噪声信号源设计提供了一个可行方案，对5G通信的高频段多频带应用有着实际意义。左边是差分输出芯片，是核心电路的验证模块；右边是正交输出芯片，是完整的、可以用于5G系统的芯片。原文：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2018/5/412885.shtm

本发明提供了一种水平剪切波电磁超声探头，主要由主永久磁铁、衔铁、壳体、壳盖、插座、辅助永久磁铁和线圈组成。辅助永久磁铁位于两主永久磁铁之间，线圈位于其下部，线圈通过绝缘导线与插头连接。本发明通过在主永久磁铁闭合的磁路上施加辅助永久磁铁，提高了电磁超声线圈下部的试件磁化强度，提高了效率，从而增加了电磁超声信号强度和信噪比，可用于各类铁磁性试件的探伤。

本发明公开了一种带耦合电抗器的强制过零型高压直流断路器， 该断路器包括机械开关、充电换流模块、换流电容和吸能限压模块。 充电换流模块由耦合电抗器和与之二次侧串联的触发开关和预充电模块构成，预充电模块为并联的预充电电容和续流电路，续流电路由串 联的电阻和二极管组成。电容充电模块与换流电容一起为故障电流提 供换流缓冲支路。本发明提供的带耦合电抗器的强制过零型高压直流 断路器，可以实现故障电流的双向开断，结构简单，控制方便；速度 快，可靠性高。 

（专利号：ZL 201410168888.X） 简介：本发明公开了一种基于耦合电感的两相交错并联变换器的拓扑结构，属于电力电子技术领域，它包括直流输入源，两个功率开关管，两个带有两个绕组的耦合电感，三个单向整流二极管，一个输出二极管，一个箝位电容，两个中间储能电容，一个输出滤波电容。本发明具有较高的升压能力，能够实现更高升压比的输出，功率开关管和二极管的峰值电压应力也有所降低，同时利用耦合电感的漏感实现功率开关管的零电流开通和二极管的关断，这样整个变换电路的转换效率得到了提高，并采用两相交错并联的控制方式降低输入电流纹波。

XM-607脑水平切模型   功能特点： ■ XM-607脑水平切模型共5片，每片厚度约1.2cm。 ■ 第一个切面约额叶顶部3.5cm位做水平切，以下每隔约1.2—1.5cm做剖面共4个剖面。 ■ 第一剖面示：右额叶胼骶体。 ■ 第二剖面示：胼骶体膝、侧脑室、岛叶、苍白球、肉速膝、尾状核、背侧丘脑。 ■ 第三剖面示：胼骶体侧脑室前角、后角、尾状核、屏状核、豆状核、背侧丘脑、尾状核尾部。 ■ 第四剖面示：外侧沟、豆状核、红核黑质第三脑室、侧脑室下角、中脑水管。 ■ 尺寸：自然大，19×18×24cm ■ 材质：玻璃钢材料

XM-607脑水平切模型   功能特点： ■ XM-607脑水平切模型共5片，每片厚度约1.2cm。 ■ 第一个切面约额叶顶部3.5cm位做水平切，以下每隔约1.2—1.5cm做剖面共4个剖面。 ■ 第一剖面示：右额叶胼骶体。 ■ 第二剖面示：胼骶体膝、侧脑室、岛叶、苍白球、肉速膝、尾状核、背侧丘脑。 ■ 第三剖面示：胼骶体侧脑室前角、后角、尾状核、屏状核、豆状核、背侧丘脑、尾状核尾部。 ■ 第四剖面示：外侧沟、豆状核、红核黑质第三脑室、侧脑室下角、中脑水管。 ■ 尺寸：自然大，19×18×24cm ■ 材质：玻璃钢材料

XM-607脑水平切模型   功能特点： ■ XM-607脑水平切模型共5片，每片厚度约1.2cm。 ■ 第一个切面约额叶顶部3.5cm位做水平切，以下每隔约1.2—1.5cm做剖面共4个剖面。 ■ 第一剖面示：右额叶胼骶体。 ■ 第二剖面示：胼骶体膝、侧脑室、岛叶、苍白球、肉速膝、尾状核、背侧丘脑。 ■ 第三剖面示：胼骶体侧脑室前角、后角、尾状核、屏状核、豆状核、背侧丘脑、尾状核尾部。 ■ 第四剖面示：外侧沟、豆状核、红核黑质第三脑室、侧脑室下角、中脑水管。 ■ 尺寸：自然大，19×18×24cm ■ 材质：玻璃钢材料