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高可靠性高中低压超级结汽车功率电子器件
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室引进了多名来自英飞 凌公司器件部门的归国人才，其中上海市千人计划引进人才 2 人，国 家万人计划中青年科技创新领军人才 1 人。近年来引进人才在集成电 路新型器件研究方向取得了多项处于国际领先水平的器件技术。比如 2013 年发表在美国《科学》杂志上的半浮栅器件，是国内首次发表 在这类高水平杂志上的原创成果。主要技术:1) 新型低压超级结结构及制造专利技术2)
复旦大学
2021-01-12
基于闪蒸喷雾的大功率电子器件冷却系统
随着电子技术的不断发展，电子器件和芯片性能的提高带来电路及其芯片的散热问题日益突出。研究表明：电子器件工作温度在70～80℃水平时，每增加1℃，其可靠性就降低5%。同时由于芯片的不断集成化和微型化，导致散热量的迅速增加，传统的冷却技术已经不能满足散热要求。本技术开发了一种制冷剂闪蒸喷雾高效冷却循环系统，利用闪蒸雾化和相变传热技术，实现了低温高效换热，传热系数高达26533W/(m2·K)，表面温度在低于60摄氏度热流密度即可超过100W/cm2（而常规水冷条件下元器件表面温度超过150摄氏度）。
西安交通大学
2021-04-11
中国科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展
课题组基于NiO生长工艺和异质PN的前期研究基础（Weibing Hao, et.al., Applied Physics Letters, 118, 043501, 2021），设计了结终端扩展结构（Junction Termination Extension, JTE），并优化退火工艺，成功制备出耐高压且耐高温的氧化镓异质结二极管。
中国科学技术大学
2022-06-02
微电子器件高效冷却技术
小试阶段/n通过发展被动式和主动式冷却技术能实现典型移动装备和电子器件的空间冷却需求，具体包括热压/风压自然换热冷却、相变热管换热冷却等被动式技术，半导体热电制冷冷却、喷射冷却和合成射流冷却等主动式冷却技术,获省自然科学一等奖。成果市场前景：有散热需求，就有应用前景。
武汉大学
2021-01-12
电子器件的高效散热技术
随着微电子技术的发展，电子器件的热流密度越来越高，散热已成为其技术发展的主要障碍之一。本项目采用直接液体浸没的沸腾换热方式，开发了高效沸腾换热微结构面，可极大幅度提高散热性能，在电子器件温度低于其正常操作上限温度85oC的条件下，散热热流密度可达150W/cm2以上。沸腾强化换热技术往往在微重力条件下由于气泡难以脱离导致性能恶化而无法应用。近期在微重力条件的实验表明该技术即使在微重力条件下，依然能充分利用热毛细现象进行强化换热，显著提高换热性能。因此，该技术可应用于地面和空间的电子器件高效散热。
西安交通大学
2021-04-11
核心真空电子器件关键技术
项目研制出倍频程和1.5倍频程宽带低二次谐波连续波行波管，二次谐波由-3 dBc降低到-7dBc，是目前国内外此类行波管综合技术水平最高的指标。并且研制出了国际上第一只高效率W波段脊加载曲折波导行波管及第一只V波段曲折波导宽带行波管。该项目获得四川省科技发明一等奖。
电子科技大学
2021-04-14
氮化镓高压电力电子器件
已有样品/n基于AlGaN/GaN异质结材料体系，通过采用导电机制融合和能带分区调控的先进技术路线改变传统氮化镓肖特基二极管正向电压与反向电流等参数之间的经典调控规律，采用无损伤工艺，提升了器件的均匀性和可靠性，进一步提升了氮化镓肖特基二极管的性能。测试结果达到1700V反向耐压，正向开启电压达到0.38V以及高防浪涌能力，为肖特基二极管器件市场提供了一种新选择。
中国科学院大学
2021-01-12
一种磁隧道结单元及自旋电子器件
本发明公开了一种隧道结单元及磁随机存储器，包括依次连接 的第一电极、第一自由层、非磁性绝缘层、钉扎层和第二电极，还包 括连接在第一电极与第一自由层之间的第二自由层，第二自由层的横 截面积小于自由层的横截面积；第二自由层和第一自由层一起形成了 复合自由层结构；第二自由层用于聚集电流，使得第二自由层处的电 流密度大于第一自由层处的电流密度，从而使得第二自由层的磁矩先 于第一自由层发生翻转；由于第二自由层和第一自由层之间的
华中科技大学
2021-04-14
一种磁隧道结单元及自旋电子器件
本发明公开了一种隧道结单元及磁随机存储器，包括依次连接 的第一电极、第一自由层、非磁性绝缘层、钉扎层和第二电极，还包 括连接在第一电极与第一自由层之间的第二自由层，第二自由层的横 截面积小于自由层的横截面积；第二自由层和第一自由层一起形成了 复合自由层结构；第二自由层用于聚集电流，使得第二自由层处的电 流密度大于第一自由层处的电流密度，从而使得第二自由层的磁矩先 于第一自由层发生翻转；由于第二自由层和第一自由层之间的
华中科技大学
2021-04-14
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10