ID-214智能消化炉 ID214智能消化炉是一款依据经典湿法消解原理研制而成的样品消解设备。具有消解快速、安全、稳定等优点。广泛适用于饲料、食品、粮食、土壤、肉类和乳制品等样品化学分析前的消解处理。是凯氏定氮仪等蒸馏法设备的理想搭档。     产品特点： l加热体为铝锭及电加热管一体式直接铸造成型，坚固耐用 l炉内温度连续可调，控温精度高，样品消化稳定性好 l采用2.5寸彩屏显示，进口芯片集成电路控制系统，保证仪器的高品质高标准； l具有曲线和直线两种升温模式，并倒计时，到时后自动停止加热并报警 l过热保护，超过设定温度上限时，自动切断电源并报警提示 l加热体与程序控制板采用隔热设计，阳极氧化黑色处理散热器，提高散热效率15%左右，可以最大程度降低与周围环境的热传递，对于程序控制中心起到良好的保护作用，从而达到快速、均匀、稳定的消化效果 l消化支架采用不锈钢材质，机体表面经过喷涂处理，让仪器更美观耐用 l消化管口密封垫片采用耐腐蚀材料，密封效果好的同时不变形且抗老化。采用卡扣设计，易清洗易更换   技术参数： 温度范围 室温~450℃ 控温精度 ±1℃ 加热方式 电加热管加热及铝锭传导 升温速度 约35min（15℃~420℃空载） 隔热方式 分体风道散热器隔热 处理能力 14个/批 消化管容量 300ml 通风要求 排废系统（吸气泵）和通风橱 电源 220V±10%,50～60HZ 额定功率 2100w 外形尺寸（长*宽*高） 380 × 355× 145 mm 净重 20kg       完善的周边附件装置：     排气罩： l采用高性能耐腐蚀密封材料，使用寿命长，密封效果好。 l排气罩采用滴盘设计，有效减少使用后的酸液对桌面等物体带来的腐蚀。 l密封盖采用卡扣式设计，方便更换及清洗。 l玻璃式排气管及不锈钢出气口，能有效减少酸气泄露对周围空气及人员的危害。           一体式铝锭加热体： l采用特制一体式铝模块加热，升温快，受热均匀，消化效果好。 l铝模块耐温高，不易变形。 l电加热管采用镶嵌式模式，能增加铝锭及加热管使用寿命。 l深井式加热孔，孔壁光滑美观，且能提高消化管底部样品的消化效率。       智能液晶温控器系统： l智能液晶控温系统界面美观大方，简单易懂。            l进口芯片集成电路控制系统，提高了安全及稳定性。 lPID参数自检，自动调节加热速率，控温精度高。 l采用超温报警，定时控温一体化，无需人员值守。 l一键式启动设计，杜绝人员操作失误。   售后服务承诺：在一定期限内，产品支持“三包”政策。产品质保两年；终身免费维修；终身提供配件；售后来电1小时内解决故障问题，部分支持上门安装调试维修产品24小时内解决。支持电话、网络、视频指导。

ID-220智能消化炉 ID220智能消化炉是一款依据经典湿法消解原理研制而成的样品消解设备。具有消解快速、安全、稳定等优点。广泛适用于饲料、食品、粮食、土壤、肉类和乳制品等样品化学分析前的消解处理。是凯氏定氮仪等蒸馏法设备的理想搭档。   产品特点： l加热体为铝锭及电加热管一体式直接铸造成型，坚固耐用 l炉内温度连续可调，控温精度高，样品消化稳定性好 l采用2.5寸彩屏显示，进口芯片集成电路控制系统，保证仪器的高品质高标准 l具有曲线和直线两种升温模式，6阶段自动升温，设置简单，加热过程中无需人工操作，并倒计时，到时后自动停止加热并报警 l过热保护，超过设定温度上限时，自动切断电源并报警提示 l加热体与程序控制板采用隔热设计，阳极氧化黑色处理散热器，提高散热效率15%左右，可以最大程度降低与周围环境的热传递，对于程序控制中心起到良好的保护作用，从而达到快速、均匀、稳定的消化效果 l消化支架采用不锈钢材质，机体表面经过喷涂处理，让仪器更美观耐用 l消化管口密封垫片采用耐腐蚀材料，密封效果好的同时不变形且抗老化。采用卡扣设计，易清洗易更换   技术参数： 温度范围 室温~450℃ 控温精度 ±1℃ 加热方式 电加热管加热及铝锭传导 升温速度 约40min（15℃~420℃空载） 隔热方式 分体风道散热器隔热 处理能力 20个/批 消化管容量 300ml 通风要求 排废系统（吸气泵）和通风橱 电源 220V±10%,50～60HZ 额定功率 2400w 外形尺寸（长*宽*高） 380 × 375× 145 mm 净重 23kg       完善的周边附件装置：   排气罩： l采用高性能耐腐蚀密封材料，使用寿命长，密封效果好。 l排气罩采用滴盘设计，有效减少使用后的酸液对桌面等物体带来的腐蚀。 l密封盖采用卡扣式设计，方便更换及清洗。 l玻璃式排气管及不锈钢出气口，能有效减少酸气泄露对周围空气及人员的危害。           一体式铝锭加热体： l采用特制一体式铝模块加热，升温快，受热均匀，消化效果好。 l铝模块耐温高，不易变形。 l电加热管采用镶嵌式模式，能增加铝锭及加热管使用寿命。 l深井式加热孔，孔壁光滑美观，且能提高消化管底部样品的消化效率。       智能液晶温控器系统： l智能液晶控温系统界面美观大方，简单易懂。   l进口芯片集成电路控制系统，提高了安全及稳定性。 lPID参数自检，自动调节加热速率，控温精度高。 l采用超温报警，定时控温一体化，无需人员值守。 l一键式启动设计，杜绝人员操作失误。         售后服务承诺：在一定期限内，产品支持“三包”政策。产品质保两年；终身免费维修；终身提供配件；售后来电1小时内解决故障问题，部分支持上门安装调试维修产品24小时内解决。支持电话、网络、视频指导。

电子胶/AB胶/UV胶/高温胶/瞬间胶/防水胶/厌氧胶/灌封胶/密封胶/环氧胶/塑料胶选择指南 在为高端制造项目筛选胶粘剂供应商时，企业需综合考量技术匹配度、供应稳定性、服务深度及长期合作潜力。

宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线

本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。

成果描述：本实用新型公开了基于电子信息技术的标签检测设备,包括安装底板,安装底板的上方焊接有罩壳,罩壳的两端均设有物料通道,物料通道的开口处铰接有盖板,罩壳的顶部内壁安装有驱动装置,驱动装置上安装有取料机构,安装底板上方还安装有调节装置,调节装置的一侧安装有物料存放盘,调节装置包括与安装底板固定连接的矩形安装板,安装板的一侧侧边焊接有第一限位柱,安装板与第一限位柱相邻的一侧侧边焊接有第二限位柱,安装板远离第一限位柱的一侧下方安装有第一定位机构。本实用新型结构简单、操作调节简单、适用于各种型号的电子信息技术的标签的定位操作,为电子信息技术的标签自动化检测提供基础。市场前景分析：本实用新型结构简单、操作调节简单、适用于各种型号的电子信息技术的标签的定位操作,为电子信息技术的标签自动化检测提供基础。与同类成果相比的优势分析：国内领先

成果描述：本实用新型公开了一种基于电子信息技术的自动冲模装置,包括机架和开关控制装置,所述机架的顶部中央位置焊接有下模座,且下模座的顶部匹配有上模座,所述上模座的两侧分别竖直设有导杆,且两个导杆的底端分别焊接在机架的顶部两侧,每个导杆上开设有矩型放置腔,且矩型放置腔的两侧内壁上均开设有矩型开口,所述矩型放置腔的内部竖直设有金属杆,且金属杆焊接上模座的一侧水平焊接有与矩型开口内壁滑动连接的连接杆,所述连接杆靠近上模座的一端焊接在上模座的中央位置。本实用新型经济实用,冲模装置通过对推杆电机的正反转进行智能控制,以此来带动上模座对下模座上的物料进行冲模操作,使得冲模装置的工作效率高。市场前景分析：本实用新型经济实用,冲模装置通过对推杆电机的正反转进行智能控制,以此来带动上模座对下模座上的物料进行冲模操作,使得冲模装置的工作效率高。与同类成果相比的优势分析：国内领先

近几年，硅基集成电路的速度遭遇瓶颈、停滞不前，解决的办法之一是引入光子学器件，部分取代电子学集成电路中的信号处理和互联器件，这就要求光子学器件具有像电子学集成那样的小尺度和三维集成能力，同时具有和电子学集成兼容的制备工艺。这些要求使得光电混合集成面临巨大的挑战，是一个世界性的难题。 光学所张家森教授团队与信息科学学院彭练矛教授团队合作，提出了基于表面等离激元和碳纳米管的三维光电混合集成系统，该系统与现有的COMS制备工艺兼容，可以实现光子学和电子学的三维集成和互联，为解决集成电路的速度瓶颈提供了一种方法。他们演示了几种集成回路，包括在片光操控回路、波长和偏振复用回路和具有COMS信号处理电路的集成模块。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 这种三维集成系统的优点包括：1. 使用低温COMS兼容制备工艺，可以在单片集成回路中集成光子学模块、电子学信号处理系统和存储系统；2. 利用具有原子厚度的碳纳米管材料以及金属工艺，使得光子学集成和电子学集成在材料上兼容；3. 基于表面等离激元使得光子学器件尺度可以和电子学器件尺度相近，便于集成；4. 碳纳米管的工作波段可以覆盖整个通讯波段，这是硅材料无法做到的；5. 光电探测器工作于光伏模式，可以减小能耗。该工作是首次利用原子厚度材料实现三维光电混合集成，可以实现更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同时，有可能解决电子学集成回路在速度上的瓶颈。 上述实验结果近期发表于最新一期《自然 电子学》杂志。 相关文献：Yang Liu, Jiasen Zhang, and Lian-Mao Peng, Three-dimensional integration of plasmonics and electronics. Nature Electronics 1, 644-651 (2018).Yang Liu, Jiasen Zhang, Huaping Liu, Sheng Wang, and Lian-Mao Peng, Electrically-driven monolithic subwavelength plasmonic interconnect circuits. Science Advances 3, e1701456 (2017).

本成果以混合自适应 人工智能优化程序设计出亚波长单晶硅超构表面结构，实现了相位的精确控制并减小了单晶硅结构在可见 光的吸收。进一步，使用该结构实现了浸镜油浸没下数值孔径为1.48的高透过率超构光学透镜，在可见光 532纳米波长实现211纳米线宽的聚焦光斑，可大大提高共聚焦显微镜分辨率。此成果在2018年12月美国光 学学会旗下光学与光子学新闻（Optics & Photonics News）入选为本年度国际光学重要进展，并对该成果作 了整版报道。已申请国内发明专利一项。 本成果适用于显微显纳成像、激光光刻、光镊等光学聚焦应用相关领域。进一步扩展，可用于光学摄 像及显示技术中的微光学器件。已作为光学探针初步应用于共聚焦成像系统，目前正研制新一代技术拓展 于手机摄像、显示微光学等。

本发明公开了一种 RFID 电子标签在线检测方法，具体为：在 对工位进行RFID芯片封装过程中，实时建立该工位内的 RFID芯片ID 号与标签位置的映射关系；工位封装完成后，同时读取该工位内的所 有 RFID 芯片 ID，将读取的 RFID 芯片 ID 与该工位内的 RFID 标签 ID 与 RFID 标签位置的映射关系进行比对，确定读取缺失的 ID，其对应 的标签即为次品。本发明还提供了一种 RFID 电子标签在线检测装置， 包括 X 向进给机构、Y 向进给机构、读写器、处理器、打标机构、夹 持机构以及屏蔽罩。本发明能同时完成多个标签读写与标记功能，适 用于多行多列 RFID 标签在线检测，不仅能大幅提高检测效率，而且 自动化程度高、稳定、可靠。