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一种基于光纤萨格纳克干涉仪的声波传感测量装置
本发明公开了一种基于光纤萨格纳克干涉仪的声波传感测量装 置，包括单色光源、光纤耦合器、第一单模光纤、少模光纤、第二单 模光纤、长周期光纤光栅、第三单模光纤、光电探测器和示波器；在 光纤耦合器的第三端和第四端之间的第一单模光纤、少模光纤、第二 单模光纤、长周期光纤光栅、第三单模光纤依次连接构成了萨格纳克 闭环结构；长周期光纤光栅与少模光纤在萨格纳克闭环内实现了级联； 当外界声波作用于该装置的长周期光纤光栅时，其曲率受到
华中科技大学
2021-04-14
一种纳米压印制备柔性透明表面增强拉曼散射基底的方法
本发明专利公开了一种柔性透明表面增强拉曼散射基底的制备 方法。该方法结合了多孔氧化铝模板与纳米压印技术。首先，利用阳 极氧化方法制备了多孔氧化铝模板；然后，在多孔氧化铝模板上沉积 贵金属纳米颗粒；最后，利用纳米压印技术将多孔氧化铝模板的纳米 结构和贵金属纳米颗粒转移到聚合物薄膜上，得到一种柔性透明的表 面增强拉曼散射基底。基底具有优异透明性、柔性、均匀性及高灵敏 度，可以应用在瓜果蔬菜表面农药残留的原位探测、水溶液中
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2021-04-14
一种适用于 RFID 安全通信的椭圆曲线加密协处理器
本发明公开了一种适用于 RFID 安全通信的椭圆曲线加密协处 理器，所述协处理器包括寄存器阵列、模算术逻辑单元和 ECC 协处理 器指令控制器，所述寄存器阵列用于存储椭圆曲线加密计算过程中的 椭圆曲线参数、私钥、计算过程数据以及计算结果；所述模算术逻辑 单元包括加法电路、乘法电路、平方电路、控制单元和寄存器 T，用 于完成加法、乘法、平方运算；所述 ECC 协处理器指令控制器用于对 所述模算数逻辑单元发送加法、乘法、
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2021-04-14
接枝两性离子提高聚酰亚胺膜抗污染性能的方法及产品
本发明公开了一种提高聚酰亚胺膜抗污染性能的方法及产品， 属于聚酰亚胺膜的改性领域。本发明包括如下步骤：将聚酰亚胺膜浸 渍在二胺溶液中 0.1h～24h，之后取出洗净；将洗净的聚酰亚胺膜浸渍 在酸性溶液中 1h～48h，之后取出洗净。本发明利用了两性离子具有 良好的亲水性的特点，成功地将两性离子接枝到聚酰亚胺膜的表面， 赋予聚酰亚胺膜较高的亲水性能，明显提高了膜的亲水性，进而提高 抗污染性能，并能减少微生物吸附和抑制生
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2021-04-14
一种基于磁纳米粒子交流磁化率的温度测量方法
本发明公开了一种基于磁纳米粒子交流磁化率的温度测量方法，所述方法包括如下步骤：(1)确定待测对象区域，并利用通电螺线管对待测区域施加交流激励磁场；(2)利用探测线圈采集交流激励磁场下待测区域的磁感应强度 H1；(3)保持交流激励磁场不变，将磁纳米样品放置于待测对象的待测区域内，利用探测线圈采集施加磁纳米样品之后待测区域的磁感应强度 H2；(4)计算磁纳米粒子的交流磁化率χ的实部χ’和虚部χ”；其中的 A1，A2，α都
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2021-04-14
一种基于磁纳米粒子一次谐波幅值的成像方法
本发明公开了一种基于磁纳米粒子一次谐波幅值的成像方法。采用交流磁化强度一次谐波幅值实现磁纳米浓度成像，只需在一个方向施加高频正弦磁场并在不同方向提供扫描磁场便可实现一维、二维以及三维空间的扫描；用低频三角波扫描磁场或低频正弦波扫描磁场控制空间区域零磁场点的位置，求解出不同空间位置的磁纳米粒子的一次谐波幅值，最终实现磁纳米浓度成像，从而避免了通过改变直流电源的大小来移动零磁场点扫描空间，有效提高了磁纳米粒子成像的
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2021-04-14
一种测量激光光束质量的装置、方法及光路准直方法
本发明公开了一种测量激光光束质量的装置、方法及光路准直 方法，解决了现有激光光束质量测量系统放置激光器后需要花费大量 时间进行手动准直的问题。本发明包括激光器，第一衰减片，第二衰 减片，全反射棱镜，反射镜，图像采集模块，光束传输距离调节模块， 光束传输角度调节模块，数据处理模块。本发明通过光束传输距离调 节模块和数据处理模块测量出不同光束传输距离下的光斑中心位置计 算出光束偏离角度，从而通过光束传输角度调节模块对激光
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2021-04-14
一种硅太阳能电池正面银电极用银粉的制备方法
本发明公开了一种硅太阳能电池正面银电极用银粉的制备方法， 包括以下步骤：将硝酸银和柠檬酸溶于去离子水配制得到 A 溶液；将 瓜尔豆胶、抗坏血酸以及硝酸溶于去离子水中配制得到 B 溶液；在搅 拌的情况下，将 A 溶液逐渐滴加到 B 溶液，反应一段时间；静置，沉 淀得到银粉。本发明通过引入瓜尔豆胶为反应离子分散剂、柠檬酸为 粒子表面改性剂，在液相化学还原法下制备得到平均粒径 D50 为 1.0-3.0μm 的银粉，并兼顾
华中科技大学
2021-04-14
基于 SiCx 织构的硅量子点浮栅非易失性存储器及其制备方法
本发明公开了一种基于 SiCx 织构的硅量子点浮栅非易失性半导 体存储器及其制备方法，包括硅衬底，在硅衬底上掺杂形成的源导电 区和漏导电区，以及在源漏之间的载流子沟道上依次生长的隧穿氧化 层、电荷存储层、控制栅氧化层及金属栅层；所述电荷存储层包括 SiCx 织构和横纵向均匀分布于 SiCx 织构中的硅量子点。本发明有效利用硅 量子点-SiCx 织构间的隧穿势垒，构成了控制栅氧化层-SiCx 织构-Si 量子点-SiC
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2021-04-14
一种用于同步 OCDMA 系统的变重二次同余码获取方法
本发明公开了一种用于同步 OCDMA 系统的变重二次同余码获 取方法，包括：构建原始二次同余码码集；对原始二次同余码码集中 的任意一个区内的 p 个码字序列进行时移变换获得移位序列码集；对 移位序列码集中的子序列进行子序列问插获得问插序列码集；将原始 二次同余码码集的码字子序列与问插序列码集的子序列进行交换处理 后获得交换序列码集；对交换序列码集中的码字序列进行转置处理获 得变重二次同余码码集。对 p 个组(G0，G
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2021-04-14